中山隆史 NAKAYAMA Takashi

研究者番号	70189075
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2022年度: 千葉大学, 大学院理学研究院, 教授 2016年度 – 2017年度: 千葉大学, 大学院理学研究科, 教授 2011年度 – 2015年度: 千葉大学, 理学(系)研究科(研究院), 教授 2014年度: 千葉大学, 理学研究科, 教授 2007年度 – 2010年度: 千葉大学, 大学院・理学研究科, 教授 … もっと見る 2007年度 – 2010年度: 千葉大学, 理学系研究科, 教授 2000年度 – 2009年度: 千葉大学, 理学部, 教授 2003年度: 千葉大学, 理学部, 助教授 1995年度 – 1999年度: 千葉大学, 理学部, 助教授 1998年度: 千葉大, 理学部, 助教授 1988年度 – 1995年度: 千葉大学, 理学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者物性Ⅰ / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連研究代表者以外固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 物性一般(含基礎論) / 薄膜・表面界面物性 / 数理物理・物性基礎 / 固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温) / 理工系 / 電子デバイス・電子機器 … もっと見る / 物性Ⅰ / 薄膜・表面界面物性 / 理工系 / 物性一般隠す
キーワード	研究代表者第一原理計算 / 金属クラスター / 混晶化 / 原子空孔 / ショットキーバリア / 電子構造 / 半導体物性 / 計算物理 / 物性理論 / 表面・界面物性 … もっと見る / ギャップ状態 / 電場環境下 / dislocation / first-principles calculation / 極性反転 / 転位 / 空孔 / 積層欠陥 / アンチサイト / electronic structure / 電子状態 / ダングリングボンド / 反射率差スペクトル / 結晶成長 / クラスター / 金属/半導体界面 / 有機半導体 / 金属／半導体界面 / 拡散 / シリサイド / 界面 / 光学スペクトル / 直接・間接ギャップ半導体 / 半導体粒界 / 酸素空孔 / 量子井戸 / pn接合界面 / 原子拡散侵入 / エネルギー共鳴 / トンネル電流 / pn接合 / イオン拡散 / イオン価数 / 二酸化ケイ素 / ワイドギャップ半導体 / ドーパント / 有機固体 / 絶縁・半導体 / 金属電極 / 点欠陥 / 金属イオン / 侵入拡散 / イオン化 / 金属／固体界面 / charge transfer dynamics / amino acid / interface polarization / surface and interface / nonlocal response / optical response function / 偏光 / 荷電表面 / 光励起イオン化 / スペクトルの消滅 / 誘電関数 / 光学応答スペクトル / 垂直分極 / 量子摩擦 / 過渡電流 / 電荷中性理論 / ファンデアワールス結合 / 生体アミノ酸 / 電荷移動ダイナミクス / アミノ酸 / 界面分極 / 表面界面 / 非局所応答 / 光学応答関数 / surface-polarity conversion / interface mixing / defect core structure / molecular dynamics / stacking-fault tetrahedron / epitaxial growth / 融解消滅 / 電荷不整 / ヘテロエピタキシー / モンテカルロ・シミュレーション / 熱消滅 / ドーム構造 / 積層欠陥芯 / 窒化物半導体 / シリコン / 界面形成 / 表面極性反転 / 欠陥芯構造 / 分子動力学 / 積層欠陥四面体 / エピタキシャル成長 / optical anisotropy / heterovalent interface / stacking faults / antisite / crystal growth simulation / vacancy defect / first principles calculation / (110)表面・界面 / 初期成長層 / ヘテロエピ成長 / 空孔配列 / バンドベンティング / 価電子不整 / ダイマー / ダイクロライド / エッチング / 層状酸化 / モンテカルロシミュレーション / 光学異方性 / 空孔欠陥 / ヘテロバレント界面 / 結晶成長シミュレーション / optical transition / dangling bond / adsorption / reconstruction / reflectance difference spectra / interface / surface / crystal growth / 局所場効果 / 異族半導体界面 / ダイマー状態 / 再構成構造 / 光学変遷 / GaAs表面 / 光学遷移 / 吸着表面 / 再構成表面 / 半導体表面 / パイエルス転移 / 次元依存性 / ペンタセン / PTCDA / キャリア伝導 / 不純物散乱 / 相互作用 / 欠陥準位 / 励起子散乱 / 吸着構造 / 不純物分布 / 原子間相互作用 / 不純物欠陥 / 共有結合 / イオン結合 / 電場環境 / 巨大歪環境 / 有機分子固体 / 化合物化 / 界面制御 / 電場下イオン化 / 偏析界面層 / 有機分子半導体 / 混晶過程 / 金属誘起ギャップ状態 / 界面欠陥 / 構造安定性 / 原子拡散 / 界面ボンド分極 / 界面ボンド混成 / 析出 / オリゴアセン / InN界面 / 界面偏析 / 界面構造 / 格子間原子 / 強結合モデル / 界面欠陷 / ドーピング / 偏析 / 電荷中性準位 / 局在化 / 発光スペクトル / ド-ピング / 励起子構造 / 混晶半導体 / 歪超格子 / II-VI族半導体超格子 / バンドオフセット / 歪構造 / 半導体超格子 / 亜鉛化合物半導体 … もっと見る研究代表者以外第一原理計算 / 理論 / 反強磁性体 / 半導体 / 量子効果 / ラマン散乱 / 量子スピン系 / バンド構造 / 超格子 / 半導体量子構造 / スピンギャップ / 交換散乱機構 / 高温超伝導 / 半導体超格子 / ナノデバイス / ナノ物性 / 半導体デバイス / 界面 / ナノサイエンス / 三角格子 / 低次元系 / スピン波 / 量子反強磁性 / 電子状態 / レ-ザ / 多軌道タイトバインディング法 / IV族元素 / ナノリボン / スピン軌道相互作用 / タイトバインディング近似 / 物質合成 / 物質設計 / エッジ状態 / 物質創製 / 二次元物質 / スタネン / ゲルマネン / シリセン / Spin Gap / Spin Wave / Singlet Ground State / Bose-Condensation / Quantum Chaos / Jahn-Teller Distortion / Exchange-Scattering Spectra / Antiferromagnets / 低エネルギー励起 / 数値対角化 / シングレツト対 / スピンギギャップ / ボース凝縮 / ヤーンテラー歪 / 交換散乱スペクトル / シングレット基底 / ボース凝縮体 / 量子カオス / ヤーンテラー効果 / 磁気ラマンスペクトル / EXACT DIAGONALIZATION / REPRODUCTION OF SPECTRA / TRIPLET DIMERS / LADDER HEISENBERG SYSTEM / QUANTUM ANTIFERROMAGNETS / SINGLET GRIND STATE / MAGNETIC RAMAN SPECTRA / EXCHANGE SCATTERING / トリプレット対の励起 / シングレット基底状態 / 梯子構造反強磁性体 / 摂動論 / 数値対角化計算 / 量子スピン / はしご格子 / 磁気ラマン散乱 / Spin polarization / Exciton bifurcation / Charged exciton / Biexciton / High pressure and high magnetic field / Exciton magnetic polaron / Interface magnetism / Diluted magnetic semiconductor quantum structures / スピン緩和 / 縮退四光波混合 / スピン / 励起子分岐 / 荷電励起子 / 励起子分子 / 高圧強磁場 / 励起子磁気ポーラロン / 界面磁化 / 希薄磁性半導体量子井戸 / high pressure / chloride compound / fluoride compound / orbital ordering / 磁化率 / 高圧 / 強磁性的軌道整列 / 反強磁性的軌道整列 / 弗化物磁性体 / 塩化物磁性体 / 化物磁性体 / 軌道整列 / 高圧下磁性 / antiferro magnetic order / many-electreon states / copper oxides / optical properties / strong magnetic field / semiconductor superlattices / bound exciton / first principles / 膜厚依存性 / アルカリハライド超格子 / アルミニウム燐 / ガリウム燐 / 励起子 / 多重量子井戸構造 / 超伝導状態 / YBCO / 反強磁性秩序 / 多電子状態 / 銅酸化物高温超伝導体 / 光学特性 / 強磁場 / 束縛励起子 / impurity defect / first-principle calculation / relaxation dynamics / structural change / non-equilibrium material / metastable structure / defect reaction / electronic excitation / 不純物・欠陥 / 緩和ダイナミックス / 構造変化 / 非平衡物質 / 準安定構造 / 欠陥反応 / 電子励起 / N+N Meeting / Friendship / Mega-gauss Lab. / New Quantum Phenomena / Superconductors / Semiconductors / LDSD / COLLABOTRATION PROGRAMME / EPSRC-MONBUSHO / メソスコピック系 / 総括会議 / 量子ホール効果 / 磁気輸送現象 / 磁気光学 / 超強磁場 / 日英共同研究 / 酸化物超伝導体 / 磁気共鳴 / 動的応答 / スピングラス / シミュレーション / コンピュータ / スピン動力学 / 分子動力学法 / モデリング / 原子間力モデル / 電極反応 / 非平衡ダイナミクス / 熱伝導 / 第一原理分子動力学法 / シリコンデバイス / シリコン結晶 / ナノ電子物性科学 / 移動度 / ひずみ / シリコン / 電子輸送 / 電子デバイス / 電子物性 / 表面科学 / 不純物ドープ / シリコン結晶シリコンデバイス / 集積回路 / 局在スピン / 走査プローブ顕微鏡 / マイクロ派パルス伝導 / 走査ゲート顕微法(SGM) / 量子ポイントコンタクト(QPC) / マイクロ波パルス伝導 / 近藤効果 / 局在磁気モーメント(LMM) / 結合量子ポイントコンタクト / 走査ゲート顕微法 / スピン操作 / スピン生成 / 量子ポイントコンタクト / 界面準位 / 絶縁体 / 界面反応 / 金属 / 酸化物 / 将来デバイス / 炭素ナノチューブ / MOSトランジスタ / 新材料 / ナノ界面 / 磁気異方性 / マグノン / スピン系 / 反強磁性相関 / スピンの縮み / ボゴリューボフ変換 / 擬ポテンシャル法 / シリサイド / エネルギー勾配法 / 格子緩和 / 圧力誘起構造相転移 / アルカリ吸着 / 強磁性ニッケル / 自己相互作用補正 / 吸着構造 / 表面原子操作 / 稀土類鉄化合物 / 光学非線型感受率 / フルポテンシャルKKR法 / 超ソフト擬ポテンシャル法 / 第一原理的分子動力学法 / レーザ / 基底状態 / ハイゼンベルク型交換相互作用 / RVB / フリップ・フロップ数 / 量子ゆらぎ / 正方格子 / 原子層エピタキシ / ホットウォ-ルエピタキシ / 有機金属分子線エピタキシ / 分子線エピタキシ隠す

金属/半導体界面におけるギャップ状態の消滅機構・電場下での変形の理論研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
- 研究機関
  千葉大学
電場下の金属/固体界面における金属原子のイオン化と拡散の理論研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  千葉大学
新規IV族系二次元物質の創製
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
第一原理計算に基づく有機半導体中の不純物欠陥の理論研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  千葉大学
金属／半導体界面の原子拡散・構造安定性の理論：無機から有機への展開研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  千葉大学
第一原理分子動力学法による構造サンプリングと非平衡ダイナミクス
- 研究代表者
  
  常行真司
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2014
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
界面構造に起因した新しいショットキーバリア理論の展開研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  千葉大学
量子ポイントコンタクトにおけるスピンの生成と操作
- 研究代表者
  
  落合勇一
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  千葉大学
極微細構造シリコン結晶の電子物性に基づくナノスケール半導体デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  遠藤哲郎
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学
第一原理量子論によるナノデバイス材料・界面の物性予測
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
ナノ界面理論の新展開とそのナノデバイスへの応用
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
垂直分極をもつ半導体表面界面の第一原理計算に基づく非局所光学応答理論研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  千葉大学
スピンギャップを内在する量子反強磁性系におけるラマン散乱スペクトルの理論計算
- 研究代表者
  
  夏目雄平
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  数理物理・物性基礎
- 研究機関
  千葉大学
エピタキシャル成長界面での積層欠陥の形成・結晶破損・電子物性の第一原理的理論研究研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  千葉大学
低次元量子反強磁性系の低エネルギー励起状態の関与する光散乱スペクトルの理論計算
- 研究代表者
  
  夏目雄平
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性一般(含基礎論)
- 研究機関
  千葉大学
半導体ナノ構造による光・スピン・電荷複合物性の展開
- 研究代表者
  
  嶽山正二郎
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  千葉大学
ヘテロバレント空孔構造界面層の成長ダイナミクスと電子物性の第一原理的理論計算研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  千葉大学
低次元量子反強磁性系の磁気的低エネルギー励起とその光学的性質に関する理論計算
- 研究代表者
  
  夏目雄平
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性一般(含基礎論)
- 研究機関
  千葉大学
(GaP)m(AlP)n短周期超格子・多重井戸構造の電子状態と発光機構
- 研究代表者
  
  上村洸
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  東京理科大学
高圧下における層状銅化物および塩化物磁性体の軌道整列と磁性
- 研究代表者
  
  山田勲
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
- 研究機関
  千葉大学
GaAs成長表面の表面構造に起因した光学応答スペクトルの第一原理的理論計算研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  千葉大学
量子性の強い低次元反強磁性体のマグノン励起とそのラマン散乱に関する理論と数値計算
- 研究代表者
  
  夏目雄平
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  物性一般(含基礎論)
- 研究機関
  千葉大学
電子励起による新物質相の理論的探索と統一モデル
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  山口大学
II-VI族混晶半導体歪超格子における青色発光スペクトルの機構に関する理論的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  千葉大学
低次元構造半導体とデバイス
- 研究代表者
  
  上村洸
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京理科大学
計算物理学-物性研究における新展開-A01第一原理からの物性予測
- 研究代表者
  
  塚田捷
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
- 研究代表者
  
  藤田茂夫
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
- 研究代表者
  
  藤田茂夫
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
量子反強磁性正方格子基底状態の拡張型RVB描像とド-ブされたホ-ルの振舞の表現
- 研究代表者
  
  夏目雄平
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  物性一般
- 研究機関
  千葉大学
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
- 研究代表者
  
  藤田茂夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
II-VI族化合物半導体超格子の電子構造と光学的性質の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  中山隆史
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  千葉大学
短距離相互作用スピングラス状態の動的応答現象に関する計算機シミュレーション
- 研究代表者
  
  夏目雄平
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究機関
  千葉大学

[図書] Electronic processes in organic electronics: Bridging nanostructure, electronic states and device properties2015
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Nakayama
- 総ページ数
  427
- 出版者
  Springer Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[図書] 次世代結晶性半導体におけるナノ成膜ダイナミックスと界面量子効果2013
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 出版者
  (株)NTS出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[図書] "計算科学に基づく半導体ナノ界面構造と電子物性の評価", 「ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミックスと基板・界面効果」4編1章2節2013
- 著者名/発表者名
  中山隆史, 小日向恭祐
- 出版者
  (株)NTS出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[図書] ポストシリコン半導体 --ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-- 第4編1章2節2013
- 著者名/発表者名
  中山隆史、小日向恭祐
- 総ページ数
  10
- 出版者
  NTS出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[図書] Comprehensive Semiconductor Science and Technology(Eds.Mahajan, Kamimura, and Bhattacharya)(Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces)2011
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, Y.Kangawa, K.Shiraishi
- 出版者
  Elsevier B.V.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[図書] Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces, in "Comprehensive Semiconductor Science and Technology"2011
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 出版者
  Elsevier B.V., Amsterdam
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[図書] Comprehensive Semiconductor Science and Technology(Eds.Mahajan, Kamimura, and Bhattacharya Section 1.12)(Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces)2011
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, Y.Kangawa, K.Shiraishi
- 出版者
  Elsevier B.V., Amsterdam
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[図書] Comprehensive Semiconductor Science and Technology (Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces)2011
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 出版者
  Elsevier B.V, Amsterdam
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[図書] "Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces", in "Comprehensive Semiconductor Science and Technology", Eds. Mahajan, Kamimura, and Bhattacharya2011
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, Y. Kangawa, K. Shiraishi
- 出版者
  Elsevier B.V.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[図書] Comprehensive Semiconductor Science and Technology2011
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 出版者
  Elsevier B.V., Amsterdam
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[図書] The Oxford Handbook of Nanoscience and Technology(Eds.Narlikar and Fu)(Role of computational science in Si nanotechnologies and devices)2010
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, T.Nakayama
- 出版者
  Oxford University Press
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[図書] The Oxford Handbook of Nanoscience and Technology(Eds.Narlikar and Fu, Vol.III)(Role of computational science in Si nanotechnologies and devices)2010
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, T.Nakayama
- 出版者
  Oxford University Press
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[図書] 物理学ハンドブック(章:量子物性-代表物質のバンド構造-)2006
- 著者名/発表者名
  中山隆史(分担執筆)
- 出版者
  朝倉書店
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[図書] 「表面・界面工学大系基礎編」第8章第1節界面の電子状態2005
- 著者名/発表者名
  中山隆史(本多健一他編)
- 出版者
  フジ・テクノシステム社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Photo-carrier induced composition separation in mixed-halide CsPb(IxBr1-x)3 perovskite semiconductors; first-principles calculation2023
- 著者名/発表者名
 Tomita Ami、Nakayama Takashi
- 雑誌名
 
 Applied Physics Express
 
 巻: 16 号: 4 ページ: 041002-041002
- DOI
 10.35848/1882-0786/acc6b3
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-20K03815
[雑誌論文] Clustering feature of metal atoms in pentacene molecular solids: a first-principles study2022
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, Y. Tomita, K. Kawabata, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: 2 ページ: 021003-021003
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac41e2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[雑誌論文] Enhancement of tunneling currents by isoelectronic nitrogen-atom doping at semiconductor pn junctions; comparison of indirect and direct band-gap systems2022
- 著者名/発表者名
  Cho Sanghun、Nakayama Takashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 12 ページ: 124002-124002
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac9fb0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[雑誌論文] Effect of electron transfer on metal-atom penetration into SiO2 in electric field: First-principles study2021
- 著者名/発表者名
  R. Nagasawa, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 60 号: 3 ページ: 031005-031005
- DOI
  10.35848/1347-4065/abe0f4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[雑誌論文] New types of resonant tunneling currents at Si-p/n junctions: One-dimensional model calculation2021
- 著者名/発表者名
  S. Cho, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 60 号: 5 ページ: 054002-054002
- DOI
  10.35848/1347-4065/abf782
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[雑誌論文] Electronic structures and impurity segregation around extended defects in pentacene films: first-principles study2021
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBG05-SBBG05
- DOI
  10.35848/1347-4065/abdf71
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[雑誌論文] Impacts of terminal molecules on metal-atom diffusion into alkane self-assembled-monolayer films: first-principles study2021
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 60 号: 12 ページ: 125505-125505
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac3181
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[雑誌論文] Theoretical studies on the switching mechanism of VMCO memories2019
- 著者名/発表者名
  T. Nakanishi, K. Chokawa, M. Araidai, T. Nakayama, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 215 ページ: 110997-110997
- DOI
  10.1016/j.mee.2019.110997
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Origin of Fermi-level depinning at TiN/Ge(001) interfaces: first-principles study2019
- 著者名/発表者名
  T. Nishimoto, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: 6 ページ: 061007-061007
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1c6d
- NAID
  210000155856
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Resonance-enhanced tunneling current through Si-p/n junction with additional dopants; theoretical study2019
- 著者名/発表者名
  S. Cho, S. Iizuka, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: 6 ページ: 061004-061004
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1717
- NAID
  210000155673
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Origin of Fermi-level depinning at metal/Ge interfaces: first-principles study on effect of segregation2019
- 著者名/発表者名
  T. Nishimoto, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 印刷中
- NAID
  210000156461
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Effect of electric field on formation energies of point defects around metal/SiC and metal/GaN interfaces: First-principles study2019
- 著者名/発表者名
  R. Nagasawa, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 091006-091006
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab3839
- NAID
  210000156878
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Metal-atom penetration and diffusion in organic solids: difference between σ- and π- orbital molecular systems2019
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 印刷中
- NAID
  210000156689
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Structural and Charging Stability of Metal Nanodot Memory in SiO2; First-Principles Study2018
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, S. Yamazaki, Y. Shiraishi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 86 号: 2 ページ: 69-75
- DOI
  10.1149/08602.0069ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] First-principles study of giant thermoelectric power in incommensurate TlInSe22018
- 著者名/発表者名
  Ishikawa M.、Nakayama T.、Wakita K.、Shim Y. G.、Mamedov N.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 16
- DOI
  10.1063/1.5011337
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05993, KAKENHI-PROJECT-17K05488, KAKENHI-PROJECT-17K06357
[雑誌論文] Acceleration of metal-atom diffusion under electric field at metal/insulator interfaces: First principles study2018
- 著者名/発表者名
  R.Nagasawa, Y.Asayama, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FB05-04FB05
- DOI
  10.7567/jjap.57.04fb05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Physics of Fermi-Level "Unpinning" at Metal/Ge Interfaces; First-Principles View2018
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, T. Nishimoto
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 86 号: 7 ページ: 291-298
- DOI
  10.1149/08607.0291ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Material engineering for silicon tunnel field-effect transistors: isoelectronic trap technology2017
- 著者名/発表者名
  T. Mori, S. Iizuka, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  MRS communications
  
  巻: 7 号: 3 ページ: 541-550
- DOI
  10.1557/mrc.2017.63
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488, KAKENHI-PROJECT-15H05526
[雑誌論文] Metal-atom interactions and clustering in organic semiconductor systems2017
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Park, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  J. Electronic Materials
  
  巻: 印刷中号: 7 ページ: 3927-3932
- DOI
  10.1007/s11664-016-5090-4
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] Ionization and diffusion of metal atoms under electric field at metal/insulator interfaces; First-principles study2017
- 著者名/発表者名
  Y. Asayama, M. Hiyama, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processng
  
  巻: 印刷中ページ: 78-82
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.09.010
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] Metal-atom Ionization and Diffusion under Electric Field around Metal/insulator Interfaces; First-principles View (invited paper)2017
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, Y. Asayama, R. Nagasawa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 80 号: 1 ページ: 285-293
- DOI
  10.1149/08001.0285ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[雑誌論文] Tunneling current characteristics by Al+N isoelectronic traps in Si-TFET; first-principles study2017
- 著者名/発表者名
  S.Iizuka, Y.Asayama, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Semicond. Processing
  
  巻: 印刷中ページ: 279-282
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.11.031
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] Defect distribution and Schottky barrier at metal/Ge interfaces: Role of metal-induced gap states2016
- 著者名/発表者名
  S. Sasaki, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 11 ページ: 111302-111302
- DOI
  10.7567/jjap.55.111302
- NAID
  210000147222
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] Quantum process of exciton dissociation at organic semiconductor interfaces; Effects of interface roughness and hot exciton2016
- 著者名/発表者名
  H. Iizuka, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 2 ページ: 021601-021601
- DOI
  10.7567/jjap.55.021601
- NAID
  210000146019
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] Fundamental processes of exciton scattering at organic solar-cell interfaces: One-dimensional model calculation2016
- 著者名/発表者名
  Y. Masugata, H. Iizuka, K. Sato, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 8 ページ: 081601-081601
- DOI
  10.7567/jjap.55.081601
- NAID
  210000146929
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] Physics of Metal/Ge Interfaces; Interface Defects and Fermi-Level Depinning2016
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, S. Sasaki, Y. Asayama
- 雑誌名
  
  ECS trans
  
  巻: 75 ページ: 643-650
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] Stability and electronic structures of isoelectronic impurity complexes in Si: First-principles study2016
- 著者名/発表者名
  S. Iizuka, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 10 ページ: 101301-101301
- DOI
  10.7567/jjap.55.101301
- NAID
  210000147118
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] Tunneling Desorption of Atomic Hydrogen on the Surface of Titanium Dioxide2015
- 著者名/発表者名
  T. Minato, S. Kajita, C-L. Pang, N. Asao, Y. Yamamoto, T. Nakayama, M. Kawai, and Y. Kim
- 雑誌名
  
  ACS Nano.
  
  巻: 9 号: 7 ページ: 6837-6842
- DOI
  10.1021/acsnano.5b01607
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310, KAKENHI-PROJECT-15H02025, KAKENHI-PROJECT-25286012
[雑誌論文] First-Principles Calculation of Electronic Properties of Isoelectronic Impurity Complexes in Si2015
- 著者名/発表者名
  S. Iizuka, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 8 号: 8 ページ: 081301-081301
- DOI
  10.7567/apex.8.081301
- NAID
  210000137599
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] First-principles study of doping properties in ZnSnAs22015
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c)
  
  巻: 印刷中号: 6 ページ: 814-817
- DOI
  10.1002/pssc.201400277
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[雑誌論文] First-Principles Study of Schottky Barrier Behavior at Fe3Si/Ge(111) Interfaces2014
- 著者名/発表者名
  K. Kobinata, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 53 号: 3 ページ: 035701-035701
- DOI
  10.7567/jjap.53.035701
- NAID
  210000143441
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] First-principles evaluation of penetration energy of metal atom into Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  T. Hiramatsu, T. Yamauchi, M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 53 号: 5 ページ: 058006-058006
- DOI
  10.7567/jjap.53.058006
- NAID
  210000143765
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] First-principles theoretical study of optical properties of oxygen-doped II-VI semiconductors2014
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi C
  
  巻: 印刷中号: 7-8 ページ: 1229-1232
- DOI
  10.1002/pssc.201300557
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] First-principles study of Pt-film stability on doped graphene sheets2014
- 著者名/発表者名
  T. Park, Y. Tomita, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Surf. Sci.
  
  巻: 621 ページ: 7-15
- DOI
  10.1016/j.susc.2013.10.011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] First-principles evaluation of penetration energy of metal atom into Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  T. Hiramatsu, T. Yamauchi, M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 印刷中
- NAID
  210000143765
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Materials 2013
  
  巻: 6 号: 8 ページ: 3309-3361
- DOI
  10.3390/ma6083309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361, KAKENHI-PROJECT-24560025
[雑誌論文] First-principles study of oxygen-doping states in II-VI semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Physica Stat. Sol
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 1385-1388
- DOI
  10.1002/pssc.201300249
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] Energetics and electron states of Au/Ag incorporated into crystalline/amorphous silicon2013
- 著者名/発表者名
  M. Y. Yang, K. Kamiya, T. Yamauchi, T. Nakayama, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 114 号: 6
- DOI
  10.1063/1.4817432
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] Physics of Schottky-barrier change by segregation and structural disorder at metal/Si interfaces: First-principles study2012
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 520 ページ: 3374-3378
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] First-principles Calculations of Metal-atom Diffusion in Oligoacene Molecular Semiconductor Systems2012
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Organic Electr
  
  巻: 13 号: 9 ページ: 1487-1498
- DOI
  10.1016/j.orgel.2012.04.019
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] Theoretical study of Si-based ionic switch2012
- 著者名/発表者名
  T. Yamauchi, M. Y. Yang, K. Kamiya, K. Shiraishi, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 100 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4718758
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] 表面界面の光学応答スペクトル2011
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 雑誌名
  
  真空
  
  巻: 54 ページ: 529-536
- NAID
  10029840009
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] N-doping induced band-gap reduction in III-V semiconductors : First-principles calculations2011
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. C
  
  巻: 8 ページ: 352-355
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] Optical Response Spectra of Surfaces and Interfaces2011
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 雑誌名
  
  J. Vac.Soc.Jpn
  
  巻: 54 号: 8 ページ: 529-536
- DOI
  10.1016/j.tsf.2011.10.091
- NAID
  10029840009
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] 表面界面の光学応答スペクトル2011
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, K. Kobinata
- 雑誌名
  
  Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ
  
  巻: 54 号: 10 ページ: 529-536
- DOI
  10.3131/jvsj2.54.529
- NAID
  130002116993
- ISSN
  1882-2398, 1882-4749
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[雑誌論文] Firstprinciples study on Nitrogen-induced band-gap reduction in III-V semi conductors2010
- 著者名/発表者名
  M.Ishikawa, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Physics Procedia 3
  
  ページ: 1363-1366
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Chemical Trend of Schottky-Barrier Change by Segregation Layers at Metal/Si Interfaces : First Principles Study2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, Y.Maruta, K.Kobinara
- 雑誌名
  
  ECS Trans 33
  
  ページ: 913-919
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Chemical Trend of Schottky-Barrier Change by Segregation Layers at Metal/Si Interfaces : First-Principles Study2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 33 ページ: 913-919
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Van der Waals Interactions for Isolated Systems Calculated Using Density Functional Theory within Plasmon-Pole Approx-imation2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, K.Kusakabe, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  J.Phys.Soc.Jpn. 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Metal-Atom Diffusion in Organic Solids : First-Principles Study of Graphene and Polyacetylene Syatems2010
- 著者名/発表者名
  Y.Tomita, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Chemical Trend of Schottky-Barrier Change by Segregation Layers at Metal/Si Interfaces : First-Principles Study2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, Y.Maruta, K.Kobinara
- 雑誌名
  
  ECS Trans Vol.33, No.10
  
  ページ: 1-7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Chemical Trend of Schottky-Barrier Change by Segregation Layers at Metal/Si Interfaces : First-Principles Study2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 33 ページ: 913-919
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Stability and Schottky barrier of silicides: First-principles study2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Sotome, S.Shinji
- 雑誌名
  
  Micro electronics Eng. 86
  
  ページ: 1718-1721
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Firstprinciples study on band-gap reduction in GaN/GaSb superlattices2009
- 著者名/発表者名
  M.Ishikawa, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Micro electronics J 40
  
  ページ: 824-826
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] First-principles Study of Schottky-Barrier Behavior at Metal/InN Interfaces2009
- 著者名/発表者名
  Y.Takei, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016704628
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Stability and Schottky barrier of silicides : First-principles study2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 86
  
  ページ: 1718-1721
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Transient current behavior through molecular bridge systems ; effects of intra-molecule current on quantum relaxation and oscillation2009
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Nakayama, H. Ishii
- 雑誌名
  
  e-J.Surf.Sci.Nanotech. Vol.7
  
  ページ: 606-616
- NAID
  130004439158
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19204030
[雑誌論文] Transient current behavior through molecular bridge systems; effects of intra-molecule current on quantum relaxation and oscillation2009
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Nakayama, H. Ishii
- 雑誌名
  
  e-J. Surf. Sci. Nanotech. 7
  
  ページ: 606-616
- NAID
  130004439158
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Stability and Schottky barrier of silicides : Firstprinciples study2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Sotome, S.Shinji
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 86
  
  ページ: 1718-1721
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Transient current behavior through molecular bridge systems ; effects of intra-molecule current on quantum relaxation and oscillation2009
- 著者名/発表者名
  Y.Tomita, T.Nakayama, H.Ishii
- 雑誌名
  
  eJ.Surf.Sci.Nanotech. 7
  
  ページ: 606-616
- NAID
  130004439158
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Electron carrier generation at edge dislocations in InN films; First-principles study2009
- 著者名/発表者名
  Y.Takei, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 311
  
  ページ: 2767-2771
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Stability and Schottky barrier of silicides : First-principles study2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Microelectronic Eng 86
  
  ページ: 1718-1721
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Stability and Schottky barrier of silicides: First-principles study2009
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, S. Sotome, S. Shinji
- 雑誌名
  
  Microelectronic Eng. 86
  
  ページ: 1718-1721
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Why and How Atom Intermixing Proceeds at Metal/Si Interfaces; Silicide Formation vs. Random Mixing2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 16
  
  ページ: 787-795
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Energy-level alignment, ionization, and stability of bio-amino acids at amino-acid/Si junctions2008
- 著者名/発表者名
  M.Oda, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 47
  
  ページ: 3712-3718
- NAID
  40016057275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Relaxation Process of Transient Current through Nanoscale Systems ; Density Matrix Calculations2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishii, Y. Tomita, Y. Shigeno, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  e-J.Surf.Sci.Nanotech. Vol.6
  
  ページ: 213-221
- NAID
  130004933990
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19204030
[雑誌論文] Why and How Atom Intermixing Proceeds at Metal/Si Interfaces ; Silicide Formation vs. Random Mixing2008
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Shinji, S.Sotome
- 雑誌名
  
  ECS Trans Vol.16, No.10(招待講演論文)
  
  ページ: 787-795
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] Relaxation Process of Transient Current through Nanoscale Systems ; Density Matrix Calculations2008
- 著者名/発表者名
  H.Ishii, Y.Tomita, Y.Shigeno, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  eJ.Surf.Sci.Nanotech. 6
  
  ページ: 213-221
- NAID
  130004933990
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] 金属/絶縁体界面の統一理論2008
- 著者名/発表者名
  白石賢二、中山隆史
- 雑誌名
  
  表面科学 29
  
  ページ: 92-98
- NAID
  10021165483
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Atomic and electronic structures of stair-rod dislocations in Si and GaAs2008
- 著者名/発表者名
  R.Kobayashi, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 47
  
  ページ: 4417-4421
- NAID
  40016110952
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[雑誌論文] 金属/絶縁体界面の物理:ショットキーバリアと原子間混晶化2007
- 著者名/発表者名
  中山隆史、白石賢二
- 雑誌名
  
  表面科学 28
  
  ページ: 28-33
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Surface strain and hexagonal/cubic polymorphism in InGaN epitaxy: first-principles study2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, et. al.
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 4
  
  ページ: 299-302
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] 金属/絶縁体界面の物理:ショットキーバリアと原子混晶化2007
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 雑誌名
  
  表面科学 28
  
  ページ: 28-33
- NAID
  10018461516
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Surface strain and hexagonal/cubic polymorphism in InGaN epitaxy: first-principles study2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 4
  
  ページ: 299-302
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Physics of metal/high-k interfaces: Schottky barriers and atom intermixing (in Japanese)2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, et. al.
- 雑誌名
  
  Hyoumenkagaku 28
  
  ページ: 28-33
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Surface strain and hexagonal/cubic polymorphism in InGaN epitaxy : first-principles study2007
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (C) 4巻
  
  ページ: 299-302
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Handbook of Physics (Chapter Quantum properties -Band structures of representative materials-, in Japanese)2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, et. al. (partial contributor)
- 雑誌名
  
  Asakura Publisher Tokyo
  
  ページ: 315-321
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conf. Ser. 38
  
  ページ: 216-219
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures - Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2 -2006
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, P.Ahmet, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Watanabe, Y.Akasaka, N.Umezawa, K.Nakajima, M.Yoshitake, T.Nakayama, K.-S.Chang, K.Kakushima, Y.Nara, M.L.Green, H.Iwai, K.Yamada, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 3(3)
  
  ページ: 351-351
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Thermal annihilation process of stacking-fault tetrahedron defect in Si-film epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  R.Kobayashi, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 29-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conf. Ser. 38巻
  
  ページ: 216-219
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Itaya, D.Murayama
- 雑誌名
  
  J.Phys.Conf.Ser. 38
  
  ページ: 216-216
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] New Theory of Effective Work Functions at Metal/High-k Dielectric Interfaces - Application to Metal/High-k HfO_2 And La_2O_3 Dielectric Interfaces -2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, T.Nakayama, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakaoka, K.Ohmori, P.Ahmet, K.Torii, H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 2(1)
  
  ページ: 25-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Itaya, D.Murayama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conf. Ser. 38
  
  ページ: 216-216
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, S. Itaya, D. Murayama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conf. Ser. 38
  
  ページ: 216-219
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Physics of Metal/High-k Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, K.Shiraishi, S.Miyazaki, Y.Akasaka, T.Nakaoka, K.Torii, A.Ohta, P.Ahmet, K.Ohmori, N.Umezawa, H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 3(3)
  
  ページ: 129-129
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] New Theory of Effective Work Functions at Metal/High-k Dielectric Interfaces-Application to Metal/High-k HfO_2 And La_2O_3 Dielectric Interfaces-2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, T.Nakayama, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakaoka, K.Ohmori, P.Ahmet, K.Torii, H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 2(1)
  
  ページ: 25-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Physics of Metal/High-k interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 雑誌名
  
  ECS transactions 3巻
  
  ページ: 129-140
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] THEORETICAL STUDIES ON THE PHYSICAL PROPERTIES OF POLY-SI AND METAL GATES/HfO_2 RELATED HIGH-K DIELECTRICS INTERFACES2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Torii, Y.Akasaka, T.Nakayama, T.Nakaoka, S.Miyazaki, T.Chikyow, K.Yamada, Yasuo Nara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1(5)
  
  ページ: 479-479
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Thernal annihilation process of stacking-fault tetrahedron defect in Si-film epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  R.Kobayashi, T.Nakayama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 29-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Physics of Metal/High-k Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, et. al.
- 雑誌名
  
  ECS transactions 3
  
  ページ: 129-140
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Physics of Metal/High-k Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 雑誌名
  
  ECS transactions 3
  
  ページ: 129-140
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Thermal annihilation process of stacking-fault tetrahedron defect in Si-film epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  R. Kobayashi, T. Nakayama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 29-32
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, et. al.
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conf. Ser 38
  
  ページ: 216-219
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Electronic structures of natural quantum-dot system ; Si stacking-fault tetrahedron2005
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) 2巻
  
  ページ: 3125-3128
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Ultrathin metal layers to convert surface polarity of nitride semiconductors2005
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (b) 242
  
  ページ: 1209-1213
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Electronic structures of natural quantum-dot system; Si stacking-fault tetrahedron2005
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 2
  
  ページ: 3125-3128
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Electronic structures of natural quantum-dot system; Si stacking-fault tetrahedron2005
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, et. al.
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 2
  
  ページ: 3125-3128
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[雑誌論文] Ultrathin metal layers to convert surface polarity of nitride semiconductors2005
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, et. al.
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (b) 242
  
  ページ: 1209-1213
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[産業財産権] トンネル電流駆動素子(トンネル電界効果ラジスタ及びその製造方法）2022
- 発明者名
  加藤公彦, 森貴洋, 飯塚将太, 中山隆史, 趙祥勲
- 権利者名
  加藤公彦, 森貴洋, 飯塚将太, 中山隆史, 趙祥勲
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-019819
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[産業財産権] 半導体素子、半導体集積回路及び半導体素子の製造方法2021
- 発明者名
  加藤, 森, 飯塚, 中山隆史, 趙, 加藤
- 権利者名
  加藤, 森, 飯塚, 中山隆史, 趙, 加藤
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-063816
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Si-pn接合中のSiGe量子井戸の共鳴準位によるトンネル電流の増大2023
- 著者名/発表者名
  趙祥勲, 中山隆史
- 学会等名
  第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (EDIT 28)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] ハライド混晶ペロブスカイト半導体 CsPb(IxBr1-x)3 の光誘起相分離：第一原理計算による検討2023
- 著者名/発表者名
  冨田愛美, 中山隆史
- 学会等名
  第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (EDIT 28)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Resonance-enhanced tunneling currents at quantum-well-embedded Si-pn junctions2022
- 著者名/発表者名
  S. Cho, T. Nakayama
- 学会等名
  20th Int. Symp. on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] ハライド混晶ペロブスカイトCsPb(I_xBr_(1-x))_3の安定性：第一原理計算による検討2022
- 著者名/発表者名
  冨田愛美, 中山隆史
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Resonance enhanced tunneling currents at Si-pn junctions; theoretical study2022
- 著者名/発表者名
  Takashi Nakayama
- 学会等名
  19th Conf. on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST-19)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 酸素空孔の帯電が誘起する金属酸化物の構造変化：第一原理計算による検討2022
- 著者名/発表者名
  新井千慧, 中山隆史
- 学会等名
  第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2022)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] First-principles Theoretical Study on Photo-induced Composition Separation of Mixed-halide Perovskites CsPb(IxBr1-x)3 for Solar-cell Application2022
- 著者名/発表者名
  A. Tomita, T. Nakayama
- 学会等名
  2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Stability and optical properties of low-dimensional perovskite CsnPbXn+2 semiconductors; First-principles study2022
- 著者名/発表者名
  A. Tomita, T. Nakayama
- 学会等名
  20th Int. Symp. on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] HfO2強誘電相の安定化：第一原理計算に基づく考察 (招待講演)2022
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2022)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 強誘電HfO2薄膜の安定性と誘電特性:第一原理計算による検討2022
- 著者名/発表者名
  牧芳和, 新井千慧, 洗平昌晃, 白石賢二, 中山隆史
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 太陽電池系ペロブスカイト混晶半導体における光誘起組成分離：第一原理計算に基づく理論2022
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  2022年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] HfO2薄膜の安定性と誘電特性:第一原理計算による検討2022
- 著者名/発表者名
  牧芳和, 新井千慧, 中山隆史
- 学会等名
  第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2022)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 単純金属/Ge界面のフェルミレベル・デピニング：第一原理計算による検討2022
- 著者名/発表者名
  西本瑛, 植田夏葉, 中山隆史
- 学会等名
  第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2022)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Formation and Optical Properties of Perovskite Semiconductor Nanodots; First-principles Theoretical Study2022
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, A. Tomita
- 学会等名
  9th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 半導体のpn接合における点欠陥・不純物を介したトンネル電流の理論的検討2022
- 著者名/発表者名
  加藤珠良偉, 趙祥勲, 中山隆史
- 学会等名
  第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2022)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 低次元薄膜半導体のpn接合におけるトンネル電流の振る舞い：その理論的検討2022
- 著者名/発表者名
  趙祥勲, 飯塚将太, 中山隆史
- 学会等名
  第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2022)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Si-pn 接合中の SiGe 量子井戸の共鳴準位によるトンネル電流の増大2022
- 著者名/発表者名
  趙祥勲, 加藤公彦, 飯塚将太, 森貴洋, 中山隆史
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 金属酸化物中の酸素空孔の拡散と分布形態：第一原理計算に基づくその化学的傾向の検討2021
- 著者名/発表者名
  笈川拓也、中山隆史
- 学会等名
  第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2021)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 金属/SiC界面のショットキーバリアの界面原子による変調：第一原理計算による検討2021
- 著者名/発表者名
  西本瑛、中山隆史
- 学会等名
  第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2021)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 0次元ペロブスカイト半導体Cs_4PbX_6の安定性と光学的性質：第一原理計算による検討2021
- 著者名/発表者名
  冨田愛美, 中山隆史
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Control of Point-defect Formation by Electric Field at Metal/semiconductor Interfaces; First-principles View (invited talk)2021
- 著者名/発表者名
  Takashi Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Processing & Manufactoring of Advanced Materials (THERMEC 2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 強誘電HfO2相の安定性における帯電と歪の複合効果：第一原理計算による検討2021
- 著者名/発表者名
  新井千慧、白石悠人、洗平昌晃、白石賢二、中山隆史
- 学会等名
  第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2021)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] p/n接合中の共鳴不純物準位によるトンネル電流の増大:直接・間接バンドギャップ系の比較2021
- 著者名/発表者名
  趙祥勲、中山隆史
- 学会等名
  第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 2021)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] p/n接合中の共鳴不純物準位によるトンネル電流の増大:直接・間接バンドギャップ系の比較2021
- 著者名/発表者名
  趙祥勲，中山隆史
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] ペンタセン膜中の金属原子クラスターの形態と安定性：第一原理計算による検討2021
- 著者名/発表者名
  渡邊駿汰，川端康平, 富田陽子，中山隆史
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 遷移金属酸化物中の酸素空孔の拡散と分布の理論的検討2020
- 著者名/発表者名
  笈川拓也、長澤立樹、中山隆史
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 帯電が誘起する強誘電直方晶 HfO2薄膜の安定性：第一原理計算による検討2020
- 著者名/発表者名
  新井千慧、白石悠人、洗平昌晃、白石賢二、中山隆史
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] ペンタセン膜中の構造欠陥の電子状態：第一原理計算による検討2020
- 著者名/発表者名
  渡邊駿汰、中山隆史
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Charging-induced Stabilization of Ferroelectric Orthorhombic HfO2 Phase: Key Growth Processes based on First-principles Study2020
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, K.Arai, Y.Shiraishi, R.Nagasawa, M.Araidai, K.Shiraishi
- 学会等名
  51th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (IEEE SISC 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Charging-induced stabilization of ferroelectric orthorhombic HfO2 films: first-principles study on key growth conditions2020
- 著者名/発表者名
  K.Arai, Y.Shiraishi, R.Nagasawa, M.Araidai, K.Shiraishi, T.Nakayama
- 学会等名
  2020 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] 不純物を持つ Si-p/n接合におけるトンネル電流：３次元計算による検討2020
- 著者名/発表者名
  趙祥勲、中山隆史
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] Electronic structures and impurity accumulation around extended defects in pentacene films: first-principles study2020
- 著者名/発表者名
  S.Watanabe, T.Nakayama
- 学会等名
  2020 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K03815
[学会発表] First-principles study of defect properties in radiation-detectable TlBr2019
- 著者名/発表者名
  M.Ishikawa, T.Nakayama, K.Wakita, Y.G.Shim, T.Onodera, N.Mamedov
- 学会等名
  The 46th International Symposium on Compound Semiconductor, Nara Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] New types of resonant tunneling currents at Si-p/n junctions; Theoretical design2019
- 著者名/発表者名
  S. Cho, T. Nakayama
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and materials (SSDM 2019), Nagoya Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Scattered distribution of oxygen vacancies in anatase TiO2 film; first-principles study on VMCO-memory characteristics2019
- 著者名/発表者名
  T. Oikawa, R. Nagasawa, M. Araidai, K. Shiraishi, T. Nakayama
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and materials (SSDM 2019), Nagoya Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Physics of Gap-state Control at Metal/Semiconductor Junctions; Schottky Barrier and Interface Defects2019
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  19th International Workshop on Junction Technology (IWJT 2019), Kyoto Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Generation of one-dimensional metal-atom nano-rods in insulating SAM films: first-principles study2019
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, T. Nakayama
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and materials (SSDM 2019), Nagoya Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Metal-atom Penetration into Organic Solids: Difference between σ- and π-orbital Molecular Systems2018
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, T. Nakayama
- 学会等名
  14th Int. Conf. Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] 金属/半導体・絶縁体界面のショットキーバリアと安定性：gap状態の役割2018
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  日本学術振興会第154委員会第107回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Metal-atom distribution and its effects on carrier transport in organic semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, K. Kawabata, T. Nakayama
- 学会等名
  UK Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] TiN/Ge界面のショットキーバリアに関する第一原理計算による検討Ⅱ -乱れた界面のショットキーバリア-2018
- 著者名/発表者名
  西本俊輝、中山隆史
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Origin of Fermi-level depinning at metal/Ge interfaces: first-principles study2018
- 著者名/発表者名
  T. Nishimoto, T. Nakayama
- 学会等名
  14th Int. Conf. Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Electronic and optical properties of 2-dimensional incommensurate Tl-based semiconductors: First-principles study on TlInS2 ,TlGaSe2 and TlGaS22018
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, Y. G. Shim, N. Mamedov
- 学会等名
  34th Int. Conf. Physics of Semiconductors (ICPS2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Structural and Charging Stability of Metal Nanodot Memory in SiO2; First-Principles Study2018
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, S. Yamazaki, Y. Shiraishi
- 学会等名
  Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] 金属/SiO2界面における電場下での金属原子の拡散2018
- 著者名/発表者名
  長澤立樹、浅山佳大、中山隆史
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Physics of Fermi-Level "Unpinning" at Metal/Ge Interfaces; First-Principles View2018
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, T. Nishimoto
- 学会等名
  Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] 金属原子の有機分子膜への侵入過程に関する理論的検討-ペンタセンの場合2018
- 著者名/発表者名
  渡邊駿汰,中山隆史
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Metal-atom distribution and its effects on carrier transport in organic semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, K. Kawabata, T. Nakayama
- 学会等名
  19th Int. Symp.Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Resonance-enhanced Tunneling Current through Doped Si-p/n Junction; Theoretical Study2018
- 著者名/発表者名
  S. Cho, S. Iizuka, T. Nakayama
- 学会等名
  2018 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Why Fermi-level Pinning is broken at some Metal/Ge Interfaces： based on first-principles study of TiN/Ge(001)2018
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, T. Nishimoto
- 学会等名
  9th Int. SiGe Technol. and Device Meeting & 11th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Hetero-structures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] 金属原子の有機SAM膜への侵入過程に関する理論的検討2017
- 著者名/発表者名
  渡邊駿汰,中山隆史
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Acceleration of metal-atom diffusion under electric field at metal/insulator interfaces: First principles study2017
- 著者名/発表者名
  R.Nagasawa, Y.Asayama, T.Nakayama
- 学会等名
  2017 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] First-principles study of optical properties in incommensurate TlInS2 ,TlGaSe2 and TlGaS22017
- 著者名/発表者名
  M.Ishikawa, T.Nakayama, K.Wakita, Y.G.Shim, N.Mamedov
- 学会等名
  29th Int. Conf. Defects in Semiconductors (ICDS29)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] TiN/Ge界面のショットキーバリアに関する第一原理計算による検討2017
- 著者名/発表者名
  西本俊輝、中山隆史
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Metal-atom Ionization and Diffusion under Electric Field around Metal/insulator Interfaces; First-principles View2017
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, Y. Asayama, R. Nagasawa
- 学会等名
  232nd ECS MEETING
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05488
[学会発表] Metal-Atom Penetration and Clustering Processes in PTCDA Thin Films; First-Principles Study of Film Degradation2016
- 著者名/発表者名
  K. Kawabata, T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Epochal Tsukuba (Tsukuba Japan)
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Physics of Metal/Ge Interfaces: Interface Defects and Fermi-level Depinning2016
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, S. Sasaki, Y. Asayama
- 学会等名
  PRiME 2016 (Pasific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science)
- 発表場所
  Honolulu USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Tunneling current characteristics by Al+N isoelectronic traps in Si-TFET; first-principles study2016
- 著者名/発表者名
  S. Iizuka, T. Nakayama
- 学会等名
  ISCSI-VII/ISTDM2016(7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces & Int. SiGe Technology and Device Meeting)
- 発表場所
  Nagoya Univ. (Nagoya Japan)
- 年月日
  2016-06-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Charge Retention and Stability of Metal Nanodots in SiO2: First-principles Study on Metal Dependence2016
- 著者名/発表者名
  S. Yamazaki, Y. Asayama, Y. Onda, T. Nakayama
- 学会等名
  SSDM 2016 (Int. Conf. Solid State Devices and Materials)
- 発表場所
  Epochal Tsukuba (Tsukuba Japan)
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Ionization and diffusion of metal atoms under electric field at metal/insulator interfaces; First-principles study2016
- 著者名/発表者名
  Y. Asayama, M. Hiyama, T. Nakayama
- 学会等名
  ISCSI-VII/ISTDM2016(7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces & Int. SiGe Technology and Device Meeting)
- 発表場所
  Nagoya Univ. (Nagoya Japan)
- 年月日
  2016-06-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] First-principles study of optical properties of incommensurate TlInSe2 and TlInS22016
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, Y. G. Shim, N. Mamedov
- 学会等名
  ICTMC-20 (20th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds)
- 発表場所
  Halle Germany
- 年月日
  2016-09-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] First-principles study of Giant thermoelectric power in incommensurate TlInSe2 and TlInS22016
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, Y. G. Shim, N. Mamedov
- 学会等名
  19th Int. Conf. Superlattices, Nanostructures and Nanodevices
- 発表場所
  Hong Kong China
- 年月日
  2016-07-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Quantum processes of exciton scattering at organic solar organic solar cell interfaces2016
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  EMN (Energy Materials Nanotechnology) Qingdao Meeting 2016
- 発表場所
  Qingdao China
- 年月日
  2016-06-07
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Metal-atom interactions and clustering in organic semiconductor systems2016
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Nakayama
- 学会等名
  19th Int. Conf. Superlattices, Nanostructures and Nanodevices
- 発表場所
  Hong Kong China
- 年月日
  2016-07-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Structural and electronic stability of metal nanodots in amorphous SiO22016
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, Y. Asayama, Y. Onda
- 学会等名
  ICSNN 2016 (19th Int. Conf. on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices)
- 発表場所
  Hong Kong China
- 年月日
  2016-07-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Quantum processes of exciton dissociation at organic solar-cell interfaces; Effects ofinterface disorder, hot exciton, and polaron2015
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, H. Iizuka, Y. Masugata
- 学会等名
  Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2015))
- 発表場所
  Kona (USA)
- 年月日
  2015-11-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Molecular Vibration Effects on Exciton Scattering Processes at Organic Semiconductor Interfaces2015
- 著者名/発表者名
  Y. Masugata, T. Nakayama
- 学会等名
  15th Int. Conf. Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-15)
- 発表場所
  International Conference Center Hiroshima (Hiroshima, Hiroshima)
- 年月日
  2015-11-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] First-principles study of TlInSe2 and TlInS22015
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, N. Mamedov
- 学会等名
  Int. Conf. Thermoelectric Materials Science 2015 (TMS2015)
- 発表場所
  Nagoya University (Aichi, Nagoya)
- 年月日
  2015-11-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Physics of Metal/Ge Interfaces: Fermi-level Unpinning and Interface Disorders2015
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  2015 Energy Materials Nanotechnology Cancun Meeting
- 発表場所
  Cancun (Mexico)
- 年月日
  2015-07-08
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Chemical Trend of Isoelectronic Traps in Si Tunnel FET; First-Principles Study2015
- 著者名/発表者名
  S. Iizuka, T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center (Hokkaido, Sapporo)
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] First-principles study of Nanostructure of TlInSe22015
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, N. Mamedov
- 学会等名
  Euro. MRS 2015
- 発表場所
  Warsaw (Poland)
- 年月日
  2015-09-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] ポリタイプ結晶の電子物性－積層欠陥と空孔秩序を中心に－2015
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議　（ＮＣＣＧ４５）
- 発表場所
  北海道大学 (北海道，札幌）
- 年月日
  2015-10-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] 第一原理計算によるII-VI族化合物半導体の酸素ドープの光学特性の解析2014
- 著者名/発表者名
  石川真人、中山隆史
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] 第一原理計算によるSn/Ge界面の構造とSBH変調の関係2014
- 著者名/発表者名
  小日向恭祐, 中山隆史
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] 金属/半導体界面における拡散過程の理論検討2014
- 著者名/発表者名
  平松智記, 中山隆史
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Enhanced stability of Pt monolayer films on doped graphene sheets2013
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Park, and T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013)
- 発表場所
  Kauai U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] 自己組織化単分子膜における金属原子の拡散2013
- 著者名/発表者名
  吉田一行、中山隆史
- 学会等名
  第33回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Enhanced stability of Pt monolayer films on doped graphene sheets2013
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Park, T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013)
- 発表場所
  Kauai U.S.A
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] 3サイト分子架橋系におけるループ電流の過渡特性に関する理論研究2013
- 著者名/発表者名
  飯塚秀行，中山隆史
- 学会等名
  第33回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Quantum processes of Exciton dissociation at Organic Semiconductor Interfaces2013
- 著者名/発表者名
  K. Sato, T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Fukuoka Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Quantum Processes of Exciton Dissociation at Semiconductor Heterointerfaces2013
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, K. Sato
- 学会等名
  Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013)
- 発表場所
  Kauai U.S.A
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] First-principles study of oxygen-doping electric optical states2013
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa and T. Nakayama
- 学会等名
  18th Int. Conf. Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
- 発表場所
  Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] FirstPrinciples Theoretical Study of Optical Properties of Oxygen-doped II-VI Semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 学会等名
  16th Int. Conf. II-VII Compound and Related Materials
- 発表場所
  Nagahama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] First-Principles Theoretical Study of Optical Properties of Oxygen-doped II-VI Semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa and T. Nakayama
- 学会等名
  16th Int. Conf. II-VI Compound and Related Materials (II-VI 2013)
- 発表場所
  Nagahama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Firstprinciples study of oxygen-doping electric optical states in II-VI semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 学会等名
  18th Int. Conf. Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
- 発表場所
  Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Firstprinciples study of oxygen-doping states in IIVI semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 学会等名
  40th Int. Symp. Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Physics of Interface Segregation; What Determine Schottky Barrier at Metal/Semiconductor Interfaces ?2013
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS (Japan-USA) Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] First-principles study of oxygen-doping states in II VI semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa and T. Nakayama
- 学会等名
  ISCS 2013 - 40th Int. Symp. Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] 界面における電子正孔対の解離シミュレーション2013
- 著者名/発表者名
  佐藤紅介、中山隆史
- 学会等名
  第33回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Quantum Processes of Exciton Dissociation at Semiconductor Heterointerfaces2013
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama and K. Sato
- 学会等名
  Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013)
- 発表場所
  Kauai U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] 分子架橋系における分子-電極接合の幾何と過渡電流2013
- 著者名/発表者名
  佃真吾,　中山隆史
- 学会等名
  第33回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Disorderinduced Schottky-barrier Changes at Metal/Semiconductor Interfaces; Firstprinciples Calculations2012
- 著者名/発表者名
  K. Kobinata, T. Nakayama
- 学会等名
  31st Int. Conf. Phys. Semicond. (ICPS2012)
- 発表場所
  Zurich Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Dopingenhanced Stability of Catalytic Pt Ultrathin Films on Graphene Sheet : First-principles Calculations2012
- 著者名/発表者名
  T. Park, T. Nakayama
- 学会等名
  31st Int. Conf. Phys. Semicond
- 発表場所
  Zurich Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Firstprinciples study of band-gap reduction of II-VI semiconductors by Oxygen dopings; Comparison to III-V Systems2012
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 学会等名
  17th Int. Conf. Superlattices, Nanostructures, Nanodevices
- 発表場所
  Dresden Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] First-principles Study of Atomic Impurity States in Organic Semiconductors : Their Chemical Classification2012
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Nakayama, S. Okada
- 学会等名
  31st Int. Conf. Phys. Semicond. (ICPS2012)
- 発表場所
  Zurich Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Oxygendoping-induced Band-gap Reduction in II-VI Semiconductors; Comparison to III-V Systems2012
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T. Nakayama
- 学会等名
  31st Int. Conf. Phys. Semicond. (ICPS2012)
- 発表場所
  Zurich Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Schottkybarrier change by structural disorders at metal/Si interfaces2011
- 著者名/発表者名
  K. Kobinata, T. Nakayama
- 学会等名
  Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
- 発表場所
  Osaka Japan
- 年月日
  2011-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Physics of Schottkybarrier change by segregation and structural disorder at metal/Si interfaces : First-principles study2011
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  ICSI-72011 (7th Int. Conf. Si Epitaxy and Heterostructures)
- 発表場所
  Leuven Belgium
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Firstprinciples study of metal-atom diffusion in graphene and organic solids : intrinsic difference from inorganic systems2011
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Nakayama
- 学会等名
  ISANN 2011 (Int. Symp. Advanced Nanostructures and Nano-Devices)
- 発表場所
  Maui USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] How and why loop currents are generated in molecular bridge systems : density-matrix calculation of time evolustion2011
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, H. Iizuka, G. Anagama, Y. Tomita
- 学会等名
  ISANN 2011 (Int. Symp. Advanced Nanostructures and Nano-Devices)
- 発表場所
  Maui USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] How and why loop currents are generated in molecular bridge systems: density-matrix calculation of time evolustion2011
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanostructures and Nano-Devices
- 発表場所
  Maui, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Physics of Schottky-barrier change by segregation and structural disorder at metal/Si interfaces: First-principles study2011
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures(招待講演)
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Photo-absorption spectra of nitrogen-doped InP and GaP : Comparison of direct and indirect band-gap systems2010
- 著者名/発表者名
  M.Ishikawa, T.Nakayama
- 学会等名
  Int.Conf.Superlattices, Nano-structures and Nanodevices 2010
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Metal Silicides : Stability, Stoichiometry, and Schottky Barrier Control (invited)2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  International Conference on Solid-State and integrated Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Stability, Doping, and Schottky Barrier of Polymorphic Silicides : First-principles Study2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  International Symposium on Technology Evolutionfor Silicon Nano-Electronics
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-06-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] ナノ界面科学の課題2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  応用物理学会講演会
- 発表場所
  長崎大(シンポジウム招待講演)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Theory of Workfunction Control of Silicides by Doping for Future Si-Nano-Devices based on Fundamental Physics of Why Silicides Exist in Nature2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, K.Kakushima, O.Nakatsuka, Y.Machida, S.Sotome, T.Matsuki, K.Ohmori, H.Iwai, S.Zaima, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamada
- 学会等名
  IEDM 2010
- 発表場所
  San Francisco USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Theory of Workfunction Control of Silicides by Doping for Future Si-Nano-Devices based on Fundamental Physics of Why Suicides exist in Nature2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, K.Kakushima, O.Nakatsuka, Y.Machida, S.Sotome, T.Matsuki, K.Ohmori, H.Iwai, S.Zaima, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamada
- 学会等名
  International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  サンフランシスコ、米国
- 年月日
  2010-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] 金属/絶縁体界面の物理 -電子準位はどのように整列するのか-2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  触媒学会主催第3回新電極触媒シンポジウム講演
- 発表場所
  静岡(招待講演)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Metal Silicides : Stability, Stoichiometry, and Schottky Barrier Control2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  Int.Conf.on Solid-State and Integrated Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai, China (招待講演)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Metal-atom diffusion in organic semiconductors : graphene and oligoacene systems2010
- 著者名/発表者名
  Y.Tomita, T.Nakayama
- 学会等名
  30th Int.Conf.Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2010-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] ナノ界面科学の課題2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  応用物理学会シンポジウム講演
- 発表場所
  長崎大学(招待講演)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] ナノ界面科学の課題2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  応用物理学会シンポジウム
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Segregation-induced Schottky-barrier change at metal/Si interfaces : First-principles study on chemical trend2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  Int.Conf.Superlattices, Nano-structures and Nanodevices 2010
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-07-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Segregation-induced Schottky-barrier change at metal/Si interfaces : First-principles study on chemical trend2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  International Conference on Superlattices, Nano- structures and Nanodevices 2010
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-07-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Metal Silicides : Stability, Stoichiometry, and Schottky Barrier Control2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  Int.Conf.on Solid-State and Integrated Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai China(招待講演)
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Stability, Doping, and Schottky Barrier of Polymorphic Silicides: First-principles Study2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  Int.Symp.Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-06-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Doping properties of metal silicides : firstprinciples study on solubility and Schottky barrier2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Sotome
- 学会等名
  30th Int.Conf.Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2010-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Theory of Workfunction Control of Silicides by Doping for Future Si-Nano-Devices based on Fundamental Physics of Why Silicides Exist in Nature2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史, 他
- 学会等名
  2010 IEEE International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2010-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Doping properties of metal silicides : first-principles study on solubility and Schottky barrier2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  30th Int.Conf.Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2010-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] 金属/絶縁体界面の物理-電子準位はどのように整列するのか-2010
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  触媒学会燃料電池関連触媒研究会
- 発表場所
  伊東(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] First-principles study of metal-cluster adsorption on graphene/graphite sheets2010
- 著者名/発表者名
  T.Park, T.Nakayama
- 学会等名
  5th Int.Workshop on Electronic Structure and Processes at Molecular-Based Interfaces
- 発表場所
  Chiba, Japan
- 年月日
  2010-01-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Doping properties of metal silicides : first-principles study on solubility and Schottky barrier2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  30th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2010-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Segregation-induced Schottky-barrier change at metal/Si interfaces : First-principles study on chemical trend2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  Int.Conf.Superlattices, Nanostructures and Nanodevices
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-07-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Stability, Doping, and Schottky Barrier of Polymorphic Silicides : First-principles Study2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  Int.Symp.Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Transient current behavior at nano-contact nano-scale systems(invited)2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  Photonics Integration-Core Electronics Workshop
- 発表場所
  Cambridge, England
- 年月日
  2009-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Transient current behavior in nano-linked molecular-bridge systems; what causes applied-pulse deformation?2009
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  5th Int. Conf. Molecular electronics and Bioelectronics
- 発表場所
  Miyazaki, Japan
- 年月日
  2009-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Adsorption and Diffusion of Metal Atoms in/on Graphene Sheets ; First-principles Study2009
- 著者名/発表者名
  Y.Tomita, T.Nakayama
- 学会等名
  15th Int.Symp.Intercalation Compounds
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2009-05-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Stability and Schottky barrier of silicides : First-principles study2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Sotome, S.Shinji
- 学会等名
  16th Biannual Conf. Insulating Films on Semi conductors
- 発表場所
  Cambridge, England
- 年月日
  2009-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Schottky barrier at metal/high-k-oxide interfaces2009
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  2nd Int.Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  Anan, Japan(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Universal Behavior of Metal-atom Diffusions in Organic Pentacene and Graphene Systems ; First-principles Study2009
- 著者名/発表者名
  Y.Tomita, T.Nakayama
- 学会等名
  MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Energy-level alignment,ionization,and hole transfer of bio-amino acids at protein/semiconductor junctions2009
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  5th Int. Conf. Molecular electronics and Bioelectronics
- 発表場所
  Miyazaki, Japan
- 年月日
  2009-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Ionization and Hole-transport in Bio-amino-acid Protein using Amino-acid/Semiconductor Junctions2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, M.Oda
- 学会等名
  15th Int.Symp.Intercalation Compounds, Compounds
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2009-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] 未来デバイス界面の物理-ショットキーバリアと量子散逸を例に2009
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  応用物理学会講演会
- 発表場所
  筑波大(シンポジウム招待講演)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Stability and Schottky barrier of silicides : First-principles study2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  16th Biannual Conference of Insulating Films on Semi conductors
- 発表場所
  Cambridge, England
- 年月日
  2009-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Ionization and Hole-transport in Bio-amino-acid Protein using Amino-acid/Semiconductor Junctions2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  15th Int.Symposium on Intercalation Compounds
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2009-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Metal-atom diffusion in organic solids : graphene and acetylene prototypes2009
- 著者名/発表者名
  Y.Tomita, T.Nakayama
- 学会等名
  5th Int.Conf.Molecular electronics and Bioelectronics
- 発表場所
  Miyazaki, Japan
- 年月日
  2009-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] 可視光で見る埋もれた界面の電子:反射率差分光(RDS)の物理2009
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  応用物理学会講演会
- 発表場所
  .筑波大(シンポジウム招待講演)
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Polymorphic Silicide Interfaces ; First-principles Study of Stability, Doping, and Schottky Barrier2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  2009 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Metal atom diffusion in organic solids ; first-principles study2009
- 著者名/発表者名
  Y.Tomita, T.Nakayama
- 学会等名
  G-COE Workshop on Organic Elctronics : Electronic States, Charge Transport and Devices
- 発表場所
  Chiba, Japan(招待講演)
- 年月日
  2009-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Polymorphic Silicide Interfaces ; Firstprinciples Study of Stability, Doping, and Schottky Barrier2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Sotome
- 学会等名
  2009 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Transient current behavior at nano-contact nano-scale systems2009
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  Photonics Integration-Core Electronics Workshop
- 発表場所
  Cambridge, UK(招待講演)
- 年月日
  2009-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Schottky barrier at metal/high-k-oxide interfaces(invited)2009
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  2nd Int.Workshop on Epitaxial Growth and Fundam ental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  Anan, Japan
- 年月日
  2009-08-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Transient current behavior in nano-linked molecularbridge systems ; what causes appliedpulse deformation?2009
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  5th Int. Conf.Molecular Elect.Bioelectronics
- 発表場所
  Miyazaki, Japan(招待講演)
- 年月日
  2009-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Schottky barrier at metal/high-k interfaces (invited)2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  2008 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco USA
- 年月日
  2008-03-26
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] First-principles study of defect-induced carrier generation in InN films; dislocation vs. vacancies and electrode interfaces2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  15th Int. Conf.Superlattices,Nanostructures,and Nanodevices
- 発表場所
  Natal, Brazil
- 年月日
  2008-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Schottky barrier at metal/high-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, R.Ayuda, H.Nii, K.Shiraishi
- 学会等名
  2008 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Currentinduced quantum friction of nanolinked molecule vibration2008
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, Y.Shigeno
- 学会等名
  29th Int.Conf.Physics Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Theoretical investigations on metal/high-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi. T. Nakayama, S. Miyazaki, A. Ohta, Y. Akasaka, H. Watanabe, Y. Nara, K. Yamada
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theory of current-induced friction of nano-linked molecule vibration2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  15th Int. Conf.Superlattices,Nanostructures,Nanodevices
- 発表場所
  Natal, Brazil
- 年月日
  2008-08-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Defect-induced carrier generation in InN films (invited)2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  Hakone, Japan
- 年月日
  2008-03-03
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Physics of Schottky barrier at metal/high-k interfaces(invited)2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco,USA
- 年月日
  2008-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Stability and Schottky barrier of polymorphic Ni_xSi_y silicides on Si substrate; first-principles study2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  29th Inc. Conf. Physics Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Theoretical Investigation of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits-2008
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, S. Miyazaki
- 学会等名
  214th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Pheonix, AZ., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Defectrinduced carrier generation in InN films(invited)2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int.Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  Hakone,Japan
- 年月日
  2008-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Electron carrier generation by edge dislocations in InN films ; first-principles study2008
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, Y.Takei
- 学会等名
  29th Int.Conf.Physics Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Schottky barrier at metal/high-k interfaces (invited)2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2008-03-26
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Stability and Schottky barrier of polymorphic NixSiy silicides on Si substrate ; first-principles study2008
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, S.Shinji
- 学会等名
  29th Int.Conf.Physics Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Electron carrier generation by edge dislocations in InN films; first_ principles study2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  29th Inc. Conf. Physics Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Current-induced quantum friction in nano-linked molecule vibration2008
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  13th Advanced Heterostructure and Nanostructures Workshop
- 発表場所
  Kona, USA
- 年月日
  2008-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Theory of current-induced friction of nano-linked molecule vibration2008
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, Y.Shigeno
- 学会等名
  15th Int.Conf.Superlattices, Nanostructures, Nano devices
- 発表場所
  Natal, Brazil
- 年月日
  2008-08-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Defect-induced carrier generation in InN films (invited)2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  Hakone Japan
- 年月日
  2008-03-03
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Firstprinciples study of defect-induced carrier generation in InN films ; dislocation vs. vacancies and electrode interfaces2008
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, Y.Takei
- 学会等名
  15th Int.Conf.Superlattices, Nanostructures, Nano devices
- 発表場所
  Natal, Brazil
- 年月日
  2008-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Electronic breathing of transient current through molecule-bridge systems2008
- 著者名/発表者名
  Y.Tomita, T.Nakayama
- 学会等名
  13th Advanced Heterostructure and Nanostructures Workshop
- 発表場所
  Kona, USA
- 年月日
  2008-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Physics of Schottky barrier at Metal/high-k Interfaces2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, R. Ayuda, H. Nii, K. Shiraishi
- 学会等名
  2008 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of Schottky barrier at Metal/high-k Interface2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, R. Ayuda, H. Nii, K. Shiraishi
- 学会等名
  2008 MRS Spring Meeting, H5.5
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Current-induced quantum friction of nano-linked molecule vibration2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  29th Inc. Conf. Physics Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20540310
[学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces ; theoretical view2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama(Invited)
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-K Gate Stacks Based on Thermodynamics2007
- 著者名/発表者名
  K., Shiraishi・Y., Akasaka・G., Nakamura・T., Nakayama・S., Miyazaki・H., Watanabe・A., Ohta・K., Ohmori・T., Chikyow・Y., Nara・K., Yamada
- 学会等名
  212th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington D. C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theoretical Studies on Metal/. High-k Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, K. Yamada
- 学会等名
  211th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Schottky banier and stability of metal/high-k ilterfaces;theoreticalview (invited)2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int.Conf.on Sohd State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba,Japan
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces ; theoretical view2007
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama
- 学会等名
  Int.Conf.Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba Japan [Invited]
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Theoretical Studies on Metal/.High-k Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, and K. Yamada
- 学会等名
  211th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Recent Progress in Understanding the Mechanism of Shottoky Barrier Height Formation at Various Interfaces2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Okada, S. Miyazaki, H. Watanabe, Y. Akasaka, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada
- 学会等名
  International Symposium on Theories of Organic-Metal Interfaces 2007
- 発表場所
  Suita, Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Unusual Schottky Barrier at Metal/High-k Interfaces (invited)2007
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  物性研短期研究会「計算物性物理学の進展」
- 発表場所
  物性研柏
- 年月日
  2007-11-01
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Theoretical Studies on Metal/.High-k Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S.Miyazaki, H.Watanabe, A.Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K.Yamabe, and K. Yamada
- 学会等名
  211th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Ionization of bio-amino acids/Transient current in nano-contact systems; theoretical study (invited)2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Workshop on Super-Functionality Organic Devices
- 発表場所
  Chiba, Japan
- 年月日
  2007-06-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces; theoretical view2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Theoretical Studies on Metal/. High-k Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S.Miyazaki, H.Watanabe, A.Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K.Yamabe, and K. Yamada(Invited)
- 学会等名
  211th Meeting of Electrochemical Society, Chicago
- 発表場所
  USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Ionization of bio-amino acids/Transient current ill nanocontact systems; theoretical study(invited)2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int.Workshop on Super'Functionality Organic Devices
- 発表場所
  Chiba,Japan
- 年月日
  2007-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Unusual Schottky Barrier at Metal/High-k Interfaces (invited)2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  ISSP University of Tokyo meeting "development of computational condensed matter physics"
- 発表場所
  Kashiwa Japan
- 年月日
  2007-11-01
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Ionization of bio-amino acids/Transient current in nano-contact systems; theoretical study (invited)2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Workshop on Super-Functionality Organic Devices
- 発表場所
  Chiba Japan
- 年月日
  2007-06-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces; theoretical view2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces; theoretical view (invited)2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2007-09-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces; theoretical view (invited)2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba Japan
- 年月日
  2007-09-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces; theoretical view2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics at metal/insulator interfaces; atomic and electronic structures (invited, in Japanese)2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Jpn. Appl. Phys. Meeting Symp
- 発表場所
  Ritsumeikan Univ. Shiga Japan
- 年月日
  2006-08-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Physics of Metal/High-k Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, K. Yamada
- 学会等名
  Fourth International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks at the 210th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] 金属/絶縁体界面の物理-構造と電子物性-(invited)2006
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  応用物理学会シンポジウム
- 発表場所
  立命館大滋賀
- 年月日
  2006-08-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Defect Formation in Si and ZnSe/GaAs Epitaxy (invited)2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  Bonassola Italy
- 年月日
  2006-09-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Design principles for effective workfunctions of gate metals (invited)2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  SEMI Forum Japan
- 発表場所
  Osaka Japan
- 年月日
  2006-06-12
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Physics of Metal/High-k Interfaces (invited)2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  4th Int. Symp. on High Dielectric Constant Gate Stacks
- 発表場所
  Cancun Mexico
- 年月日
  2006-11-02
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] 金属/絶縁体界面の物理:その構造と電子特性(invited)2006
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  ゲートスタック第11回研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  三島静岡
- 年月日
  2006-02-03
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] What Happen at High-k Dielectric Interfaces?2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, T. Nakayama, Y. Akasaka, H. Takeuchi, S. Miyazaki, N. Umezawa, G. Nakamura, A. Ohta, T. Nakaoka, H. Watanabe, K. Yamabe, K. Ohmori, P. Ahmet, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, K. Yamada
- 学会等名
  37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of metal/insulator interfaces; crystal structures and electronic properties (invited, in Japanese)2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  11th gate Stack meeting Physics of materials, processes and analysis
- 発表場所
  Mishima Sizuoka Japan
- 年月日
  2006-02-03
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Elemental processes of interface analysis theoretical view (invited, in Japanese)2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  Surf. Sci. Soc. Lecture
- 発表場所
  Tokyo Science Univ., Tokyo
- 年月日
  2006-11-16
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Physics of interfaces between gate electrodes and high-k dielectrics2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, A. Ohta, H. Watanabe, N. Umezawa, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Toii, T. Chikyow, Y. Nara, T-J. King Liu, H. Iwai, K. Yamada
- 学会等名
  8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] 理論から見た界面分析の基礎過程(invited)2006
- 著者名/発表者名
  中山隆史
- 学会等名
  表面科学会基礎講座
- 発表場所
  東京理科大東京
- 年月日
  2006-11-16
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17540291
[学会発表] Why Defect Density Remarkably Increases at Metal/Ge Interfaces;
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama
- 学会等名
  2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS)
- 発表場所
  Kohala USA
- 年月日
  2014-11-30 – 2014-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Stability and Schottky Barrier of Spin-polarized Fe3Si/Ge Interfaces; First-Principles Study
- 著者名/発表者名
  K. Kobinata, T. Nakayama
- 学会等名
  8th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Chemical Trend of Atomic Impurity States in Organic Semiconductor Films; Theoretical Investigation
- 著者名/発表者名
  Y. Tomita, T. Nakayama
- 学会等名
  2012 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] How and Why Loop Currents Are Generated in Molecular Bridge Systems : Density-Matrix Calculation of Time Evolution
- 著者名/発表者名
  H. Iizuka, T. Nakayama, G. Anagama
- 学会等名
  6th Int. Symp. Surface Science(ISSS-6)
- 発表場所
  Tokyo Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Physics of Fermi-level Unpinning at Metal/Ge Interfaces
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, K.Kobinata, S.Sasaki
- 学会等名
  Int. Conf. Superlattice, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN 2014)
- 発表場所
  Savannah USA
- 年月日
  2014-08-03 – 2014-08-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Defect distribution and MIGS at metal/Ge interfaces: first-principles study
- 著者名/発表者名
  S. Sasaki, T.Hiramastu, K.Kobinata, T.Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  Tsukuba Japan
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Physics of Metal/Ge Interfaces: Fermi-level Unpinning and Interface Disorders
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, K.Kobinata, S.Sasaki
- 学会等名
  Int. Uni. Material Research Society (IUMRS 2014)
- 発表場所
  Fukuoka Japan
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Quantum Process of Exciton Dissociation at Organic Semiconductor Interfaces
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, Y.Masugata, K.Sato
- 学会等名
  Int. Conf. Superlattice, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN 2014)
- 発表場所
  Savannah USA
- 年月日
  2014-08-03 – 2014-08-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] First-Principles Study of N, O, and F Molecule-Dot Doping in III-V and II-VI Semiconductors
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, T.Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Superlattice, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN 2014)
- 発表場所
  Savannah USA
- 年月日
  2014-08-03 – 2014-08-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Theoretical study of current fluctuation in multi-contact molecular bridge systems
- 著者名/発表者名
  S. Tsukuda, T.Nakayama
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  Tsukuba Japan
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310
[学会発表] Enhanced Stability of Catalytic Pt Ultrathin Films on Doped Graphene Sheets : Firstprinciples Study
- 著者名/発表者名
  T. Park, T. Nakayama
- 学会等名
  6th Int. Symp. Surface Science (ISSS-6)
- 発表場所
  Tokyo Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540361
[学会発表] Quantum process of exciton dissociation at disordered organic solar-cell interfaces
- 著者名/発表者名
  H. Iizuka, T.Nakayama
- 学会等名
  The 7th Int. Symp. Surface Science
- 発表場所
  Matsue Japan
- 年月日
  2014-11-02 – 2014-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26400310

1. 夏目雄平 (80114312)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
2. 白石賢二 (20334039)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 20件
3. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 藤田茂夫 (30026231)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 藤安洋 (60022232)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
6. 小長井誠 (40111653)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
7. BOERO Mauro (40361315)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. BERBER Savas (90375402)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 吉田博 (30133929)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 岡田晋 (70302388)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
11. 山内淳 (90383984)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 遠藤哲郎 (00271990)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 諏訪雄二 (20216500)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 上村洸 (60011475)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 村口正和 (90386623)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 野村晋太郎 (90271527)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 舘野賢 (40291926)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 落合勇一 (60111366)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 青木伸之 (60312930)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 知京豊裕 (10354333)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
22. 山田啓作 (30386734)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
23. 品田賢宏 (30329099)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 常行真司 (90197749)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 大谷実 (50334040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 吉本芳英 (80332584)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 杉野修 (90361659)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 森川良忠 (80358184)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 赤木和人 (50313119)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 館山佳尚 (70354149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 合田義弘 (50506730)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 三浦登 (70010949)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 浜口智尋 (40029004)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 柊元宏 (50013488)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 川路紳治 (00080440)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 安藤恒也 (90011725)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
37. 青木秀夫 (50114351)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 篠塚雄三 (30144918)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. 萱沼洋輔 (80124569)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
40. 住斉 (10134206)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
41. 山田勲 (90037820)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
42. 嶽山正二郎 (20163446)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
43. 足立智 (10221722)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
44. 三野弘文 (40323430)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
45. 福元好志 (00318213)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
46. 小野祐己 (50423083)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
47. 塚田捷 (90011650)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
48. 永吉秀夫 (90108605)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
49. 浅野摂郎 (80013499)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
50. 赤井久純 (70124873)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
51. 城健男 (20093487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
52. 藤原毅夫 (90011113)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
53. 寺倉清之 (40028212)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
54. 太田幸則 (70168954)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
55. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
56. 宮崎誠一 (70190759)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
57. 牧原克則 (90553561)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
58. 初貝安弘 (80218495)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
59. 洗平昌晃 (20537427)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
60. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
61. ジョナサンバードP.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
62. PEPPER Micha

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
63. NICHOLAS Rub

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
64. EAVES Lawren

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
65. BUTCHER Paul

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
66. SKOLNICK Mau

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
67. LIANG Yao

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
68. LIANG W.Y.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
69. NICHOLAS Rob

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
70. イーブスローレンス

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
71. 脇田和樹

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
72. 沈用球

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

中山 隆史 NAKAYAMA Takashi

研究課題

研究成果

共同研究者

金属/半導体界面におけるギャップ状態の消滅機構・電場下での変形の理論研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電場下の金属/固体界面における金属原子のイオン化と拡散の理論研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

第一原理計算に基づく有機半導体中の不純物欠陥の理論研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属／半導体界面の原子拡散・構造安定性の理論：無機から有機への展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

界面構造に起因した新しいショットキーバリア理論の展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

垂直分極をもつ半導体表面界面の第一原理計算に基づく非局所光学応答理論研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

エピタキシャル成長界面での積層欠陥の形成・結晶破損・電子物性の第一原理的理論研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

中山隆史 NAKAYAMA Takashi