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安武 潔  YASUTAKE Kiyoshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 80166503
その他のID
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2018年度 – 2020年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2017年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2016年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2015年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 … もっと見る
2013年度 – 2015年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2012年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2010年度 – 2011年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授
2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2007年度 – 2008年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授
2006年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
2003年度 – 2005年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授
1998年度 – 2002年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教授
1995年度 – 1997年度: 大阪大学, 工学部, 助教授
1990年度 – 1992年度: 大阪大学, 工学部, 助教授
1989年度: 大阪大学, 工学部, 講師
1986年度 – 1987年度: 大阪大学, 工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
生産工学・加工学 / 機械工作・生産工学 / 材料工学およびその関連分野
研究代表者以外
機械工作・生産工学 / 金属材料 / 生産工学・加工学 / 小区分18020:加工学および生産工学関連 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
シリコン / 大気圧プラズマ / laser cooling / レーザー冷却 / 太陽電池 / 表面パッシベーション / エピタキシャル成長 / 大気圧プラズマ酸化 / 大気圧プラズマCVD / プラズマ酸化 … もっと見る / エピタキシャル / 窒化物ナノ構造 / 窒素ラジカル / 窒素プラズマ / インピーダンス整合 / 電磁場シミュレーション / 電子温度 / 電子密度 / InNナノ構造 / nano-imprint / solid phase crystallization / Ge nano-crystal / crystal nucleus / large-grain / glass substrate / Si thin film / polycrystalline Si / 固相結晶化 / 自己組織化 / 核形成 / 結晶核 / Ge微結晶 / ガラス基板 / 大粒径 / 多結晶Si薄膜 / atom interferometer / atom optics / atom lithography / nanostructure / magnetic quadruple lens / velocity spectrometer / monochromatic atomic beam / 速度圧縮 / 中性原子速度分光 / 中性原子ビーム / 原子波干渉 / 原子干渉磁気回路 / 単色原子ビーム / 原子光学 / stimulated light force / ECR plasma / metastable lifetime / laser collimation / neutral F radical beam / NFィイD23ィエD2 plasma / anisotropic dry etching / フッ素ラジカル / ECRラジカル源 / Fラジカルビーム / 半導体ドライエッチング / 誘導放射圧 / ECRプラズマ / 準安定寿命 / レーザーコリメーション / 中性Fラジカルビーム / NF_3プラズマ / 異方性ドライエッチング / liquid phase crystal growth / Si sheet / dislocation-free single crystal Si / 無転移単結晶Si / 液相成長 / Siシート / 無転位単結晶Si / 太陽電池級Si / 珪砂 / SiO2 / 高圧力プラズマ / プラズマエッチング / 二酸化ケイ素 / 水素還元 / ポーラスSi / 高速成膜 / 多結晶Si / 超薄型Si結晶太陽電池 / 表面再結合 / 界面準位 / Al_2O_3 / ドーピング・エピ技術 / 全低温プロセス / 大気圧プラズマ窒化 / 機能材料 / 薄膜成長 / 半導体プロセス / インライン・エピ技術 / 高速成長 / 低温成長 / 選択成長 / CVD … もっと見る
研究代表者以外
ナノ構造 / 水素 / プラズマ / シリコン / 特殊加工 / Atmospheric pressure plasma CVD / 大気圧プラズマCVD / EEM / 太陽電池 / 無反射表面 / 光無反射 / 光無反射表面 / 半導体 / 光反射率 / 無反射 / 水素プラズマ / 反射率制御 / 表面処理 / Si / 精密部品加工 / 電子・電気材料 / プラズマ加工 / 材料加工・処理 / ウエハ / ゲッタリング / 欠陥制御 / 製造技術 / ウエハ加工 / Interfacial reactions of Al / Atomic structures of amorphous silicon carbide films / Ion beam sputtering device / metal multiple layered films / Ceramics / アモルファス炭化ケイ素 / 界面反応 / アモルファス薄膜界面 / 金属 / 多層薄膜 / イオンビームスパッター蒸着 / 非晶質炭化ケイ素多層膜の界面反応 / A1 / 非晶質炭化ケイ素薄膜の原理的構造 / イオンビームスパック装置 / 金属多層薄膜 / セラミックス / High-rate deposition / Amorphous SiC / 超高速成膜 / アモルファスSiC / atom interferometer / atom optics / atom lithography / nanostructure / magnetic quadrupole lens / laser cooling / velocity spectrometer / monochromatic atomic beam / 単一速度原子ビーム / ナノストラクチャー / 原子干渉計 / 原子光学 / アトムリソグラフィー / 高磁気勾配磁気回路 / レーザー冷却 / 原子ビーム速度分光装置 / 単色原子ビーム / Ultra clean technology / First-principles molecular dynamics simulation / Electrochemical machining in ultrapure water / Plasma CVM / Ultra precision machining / Perfect surfaces / STM / 第一原理分子動力学シュミレーション / 超純粋電解加工 / ウルトラクリーンテクノロジー / 第一原理分子動力学シミュレーション / 超純水電解加工 / プラズマCVM / 超精密加工 / 完全表面 / atomic hydrogen radicals / RF sputtering method / polycrystalline silicon film / low temperature growth / 多結晶Si薄膜 / 高周波スパッタ蒸着法 / 低温成膜 / 多結晶 / Si薄膜 / photoluminescence / strained quantum well / phase locked epitaxy / semiconductor laser / 位相制御エピタキシ- / 半導体レ-ザ / フォトルミネッセンス / 歪み量子井戸 / 位相制御エピタキシー / 半導体レーザ / Quantum-size effect / Heterostructure energy-band diagram / Optical absorption / X-ray small angle scattering / Amorphous semiconductor superlattices / Amorphous semiconductor films / 真空紫外光電子分光 / 結晶化 / 量子サイズ効果 / ヘテロ接合界面エネルギ-バンド図 / 光学吸収 / X線小角散乱 / アモルファス半導体超格子 / アモルファス半導体薄膜 / 精製プロセス / ナノマイクロ加工 / 精製 / ナノワイヤ / Al_xGa_<1-x>N / エピタキシャル成長 / PA-MBE / 紫外光 / レーザ / AlN / 窒化物半導体 隠す
  • 研究課題

    (21件)
  • 研究成果

    (180件)
  • 共同研究者

    (13人)
  •  高圧水素プラズマによる光マネジメント用半導体表面ナノ構造の創成

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分18020:加工学および生産工学関連
    • 研究機関
      大阪大学
  •  高密度Nラジカルと金属の反応による窒化物ナノ構造の形成研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 研究分野
      材料工学およびその関連分野
    • 研究機関
      大阪大学
  •  水素サイクルによるケミカルフリー高品位半導体基板創成プロセスの開発

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  珪砂の水素原子還元による太陽電池用シリコン製造技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  超薄型結晶Si太陽電池の製造を可能とする大気圧プラズマ高速成膜技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  インライン対応シリコン低温選択エビ技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  窒化物半導体による紫外光(UV)レーザへの発展

    • 研究代表者
      芳井 熊安
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  高性能アモルファスシリコンカーバイド(SiC)の超高速成膜に関する研究

    • 研究代表者
      芳井 熊安
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      機械工作・生産工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  原子波の干渉による超微細構造の作製と制御研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      機械工作・生産工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  単色原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用

    • 研究代表者
      芳井 熊安
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      機械工作・生産工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  レーザ冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      機械工作・生産工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  無転位単結晶Siシートの作製に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      機械工作・生産工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  完全表面の創成

    • 研究代表者
      森 勇藏 (森 勇蔵)
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 2002
    • 研究種目
      特別推進研究(COE)
    • 研究機関
      大阪大学
  •  高周波スパッタ蒸着法による多結晶半導体およびダイヤモンド薄膜の低温成膜

    • 研究代表者
      芳井 熊安
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      機械工作・生産工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発

    • 研究代表者
      芳井 熊安
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      金属材料
    • 研究機関
      大阪大学
  •  aーSi:H/aーSiC:H超格子薄膜の構造と物性に関する研究

    • 研究代表者
      川辺 秀昭
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      金属材料
    • 研究機関
      大阪大学
  •  セラミックスと金属との超格子薄膜による高強度延性セラミックス材の開発

    • 研究代表者
      川辺 秀昭
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      金属材料
    • 研究機関
      大阪大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] 超精密加工と表面科学 第2部1章2 「半導体表面パッシベーション」2014

    • 著者名/発表者名
      安武潔
    • 総ページ数
      10
    • 出版者
      大阪大学出版会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] 超精密加工と表面科学 -原子レベルの生産技術-(大阪大学グローバルCOE プログラム高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点/精密工学会超精密加工専門委員会編), 半導体表面パッシベーション2014

    • 著者名/発表者名
      安武潔
    • 出版者
      大阪大学出版会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] 改訂版「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」第5章第1節"大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成"(監修小駒益弘)2012

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 出版者
      サイエンス&テクノロジー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] 改訂版「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」(監修 小駒益弘)第5章 第1節2012

    • 著者名/発表者名
      安武潔
    • 総ページ数
      23
    • 出版者
      サイエンス&テクノロジー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] 大気圧プラズマの生成制御と応用技術(監修 小駒益弘),大気圧プラズマCVD によるシリコン薄膜の形成2012

    • 著者名/発表者名
      安武潔,垣内弘章,大参宏昌
    • 出版者
      サイエンス & テクノロジー, 改訂版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] in Generation and Applications of Atmospheric Pressure Plasmas (eds. M. Kogoma et al.), Preparation of Si-based thin films using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition2011

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Kakiuchi and H. Ohmi
    • 出版者
      Nova Science Publishers
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] "Preparation of Si-based thin films using atmospheric pressure plasma chemical vapour deposition" in Generation and Applications of Atmospheric Pressure Plasmas Eds : M.Kogoma, M.Kusano, Y.Kusano2011

    • 著者名/発表者名
      Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi
    • 総ページ数
      22
    • 出版者
      Nova Science Publishers, Inc.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] 「大気圧プラズマ基礎と応用」第6章,6.7.3(2),シリコン系CVD2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] 大気圧プラズマ基礎と応用(日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会編)2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 他
    • 出版者
      オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] 新コーティングのすべて」第2章,2.2(1),大気圧プラズマCVD法-フィルムコーティングのための大気圧・超高周波プラズマ技術-2009

    • 著者名/発表者名
      垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      加工技術研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] "High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure"in Trends in Thin Solid Films Research(ed. A. R. Jost)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
    • 総ページ数
      50
    • 出版者
      Nova Science, New York
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] NY, Trends in Thin Solid Films Research (ed. A. R. Jost), High-rate and low-temperature film growth technology using stable glow plasma at atmospheric pressure2007

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake, et. al.
    • 出版者
      Nova Science
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] "High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure"in Trends in Thin Solid Films Research (ed. A.R. Jost)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
    • 出版者
      Nova Science, New York
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [図書] 「システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発」第2編 第6章"Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術"(監修浦岡行治)2007

    • 著者名/発表者名
      安武 潔, 渡部平司, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 総ページ数
      12
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [図書] システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発(第2編 第6章 Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術)(監修 浦岡行治)2007

    • 著者名/発表者名
      安武 潔, 渡部平司, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 総ページ数
      11
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [図書] 大気圧プラズマの生成制御と応用技術(2章 第7節 大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積)(監修 小駒益弘)2006

    • 著者名/発表者名
      安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 総ページ数
      17
    • 出版者
      サイエンス&テクノロジー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3 - 27 kPa2022

    • 著者名/発表者名
      Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, and Hiromasa Ohmi
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      巻: 40 号: 3

    • DOI

      10.1116/6.0001676

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [雑誌論文] Study on silicon removal property and surface smoothing phenomenon by moderate-pressure microwave hydrogen plasma2021

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Kenta Kimoto, Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 129 ページ: 105780-105780

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2021.105780

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [雑誌論文] Significant Improvement of Copper Dry Etching Property of a High-Pressure Hydrogen-Based Plasma by Nitrogen Gas Addition2019

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Yoshiki Shirasu, Tatsuya Hirano, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      ACS Omega

      巻: 4 号: 2 ページ: 4360-4366

    • DOI

      10.1021/acsomega.8b03163

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809, KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [雑誌論文] On-site SiH4 generator using hydrogen plasma generated in slit-type narrow gap2018

    • 著者名/発表者名
      N. Takei, F. Shinoda, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
    • 雑誌名

      J. Phys D: Appl. Phys.

      巻: 51 号: 24 ページ: 245203-245203

    • DOI

      10.1088/1361-6463/aac2ae

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [雑誌論文] Copper dry etching by sub-atmospheric-pressure pure hydrogen glow plasma2016

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Tatsuya Hirano, Yusuke Kubota, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 109 号: 21

    • DOI

      10.1063/1.4967382

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [雑誌論文] Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma2015

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 118 号: 4 ページ: 045301-045301

    • DOI

      10.1063/1.4926849

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [雑誌論文] Atmospheric-pressure low-temperature plasma processes for thin film deposition2014

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi and K. Yasutake
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. A

      巻: vol.32 (published online 31 October 2013) 号: 3

    • DOI

      10.1116/1.4828369

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] Interface properties of SiOxNy layer on Si prepared by atmospheric-pressure plasma oxidationnitridation2013

    • 著者名/発表者名
      Z. Zhuo, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Letters

      巻: 8 号: 1 ページ: 201-201

    • DOI

      10.1186/1556-276x-8-201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] Voltage distribution over capacitively coupled plasma electrode for atmosphericpressure plasma generation2013

    • 著者名/発表者名
      M. Shuto, F. Tomino, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Letters

      巻: 8 号: 1 ページ: 202-202

    • DOI

      10.1186/1556-276x-8-202

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation2012

    • 著者名/発表者名
      Z. Zhuo, Y. Sannomiya, K. Goto, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 雑誌名

      Current Appl. Phys

      巻: vol.12 ページ: S57-S62

    • DOI

      10.1016/j.cap.2012.04.015

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Kakiuchi, H.Ohmi, K.Inagaki, Y.Oshikane, M.Nakano
    • 雑誌名

      J.Phys. : Condens. Matter

      巻: 23 ページ: 1-22

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma2011

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane and M. Nakano
    • 雑誌名

      J. Phys.: Condens. Matter

      巻: vol.23 号: 39 ページ: 1-22

    • DOI

      10.1088/0953-8984/23/39/394205

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017, KAKENHI-PROJECT-22560110
  • [雑誌論文] In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohnishi, Y.Kirihata, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 雑誌名

      ECS Trans. 25

      ページ: 309-315

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] n situ doped Si selective epitaxial growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T. Ohnishi, Y. Kirihata, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 雑誌名

      ECS Trans. vol.25

      ページ: 309-315

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal 40

      ページ: 984-987

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD-Surface Local Temperature-2008

    • 著者名/発表者名
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] n situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. vol.40

      ページ: 984-987

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films vol.517

      ページ: 242-244

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchia and K. Yasutakea
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] SiO_2 Formation by Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si in Atmospheric Pressure Plasma Excited by Very High Frequency Power2008

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 1884-1888

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressureplasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchia and K. Yasutakea
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] First-principles analysis of He and H atom incidence onto hydrogen-terminated Si(001) 2×1 surface2008

    • 著者名/発表者名
      K. Inagaki, K. Hirosea, K. Yasutake
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal 40

      ページ: 1088-1091

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD - Surface Local Temperature -2008

    • 著者名/発表者名
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 242-244

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 雑誌名

      応用物理 75

      ページ: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition2007

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, N.Tawara, H.Ohmi, Y.Terai, H.Kakiuchi, H.Watanabe, Y.Fujiwara
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46・4B(in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe and Y.Fujiwara
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 2510-2515

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 雑誌名

      応用物理 75

      ページ: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 雑誌名

      応用物理 vol.75

      ページ: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates (Invited)2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • 雑誌名

      Meeting Abst. MA 2006-02 Joint Int. Meeting of 210th Meeting of The Electrochemical Society and XXI Congreso de la Sociedad Mexicana de Electroquimica Cancun, Mexico, (2006) #1575.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • 雑誌名

      ECS Transactions 3巻・8号

      ページ: 215-225

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands as Nuclei2006

    • 著者名/発表者名
      K.Minami, C.Yoshimoto, H.Ohmi, T.Shimura, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yasutake
    • 雑誌名

      Ext.Abst. of Int.21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 19-29

      ページ: 65-66

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • 雑誌名

      ECS Transactions 3 [8]

      ページ: 215-225

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • 雑誌名

      ECS Transactions 3・8

      ページ: 215-225

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Low-Temperature Growth of Epitaxial Si Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Porous Carbon Electrode2006

    • 著者名/発表者名
      H.Ohmi, H.Kakiuchi, N.Tawara, T.Wakamiya, T.Shimura, H.Watanabe, K.Yasutake
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45・10B

      ページ: 8424-8429

    • NAID

      10018340085

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, T.Wakamiya, H.Watanabe
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45・4B

      ページ: 3592-3597

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • 雑誌名

      Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting

      ページ: 19-24

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • 著者名/発表者名
      K.YASUTAKE, H.OHMI, H.KAKIUCHI, H.WATANABE, K.YOSHII, Y.MORI
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43・12A

    • NAID

      10015473490

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yoshii, Y.Mori
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43 [12A]

    • NAID

      10015473490

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • 雑誌名

      Proc. Thin Film Materials & Devices Meeting

      ページ: 19-24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • 雑誌名

      Proc. Thin Film Materials & Devices Meeting (2004)

      ページ: 19-24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yoshii, Y.Mori
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. (2004) 43巻・12A号

    • NAID

      10015473490

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [学会発表] 高密度中圧プラズマを用いた極薄シリコンウエハ用ゲッタリング層の形成とその特性評価2022

    • 著者名/発表者名
      野村俊光,垣内弘章,安武 潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2022年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 中圧水素プラズマによるシリコン表面ナノコーン構造の創成2021

    • 著者名/発表者名
      野村俊光、木元健太、垣内弘章、安武潔、大参宏昌
    • 学会等名
      2021年度精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 中圧水素プラズマを用いた高アスペクト比シリコンナノコーンの形成2021

    • 著者名/発表者名
      野村 俊光、木元 健太、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] Surface nanostructuring of silicon by intermediate-pressure hydrogen plasma treatment2020

    • 著者名/発表者名
      Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Precision Engineering (ICPE2020)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析―不均一密度モデルによる解析―2020

    • 著者名/発表者名
      新田健,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2020年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによる極薄ゲッタリング層の形成2020

    • 著者名/発表者名
      野村 俊光、木元 健太、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 結晶Si膜の低温形成に向けたSiH4ガスのプラズマ改質2019

    • 著者名/発表者名
      浜中恵一,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会(2019年3月9日-12日,東京工業大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析-シース厚さを含めた高精度解析-2019

    • 著者名/発表者名
      吉田和史,新田健,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2019年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] マイクロ波プラズマを用いたSiH4ガスの改質特性2019

    • 著者名/発表者名
      浜中恵一,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2019年度 精密工学会春季大会学術講演会(2019年3月13日-15日,東京電気大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 電磁場シミュレーションによるシースを考慮したプラズマパラメータ解析2019

    • 著者名/発表者名
      吉田和史,新田健,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2019年度関西地方定期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析2018

    • 著者名/発表者名
      吉田和史,田中恭輔,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析―酸化プラズマパラメータと酸化膜特性の関係―2018

    • 著者名/発表者名
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] Copper dry etching using a high-pressure plasma with non-toxic gas2018

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi,Yoshiki Shirasu, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • 学会等名
      The 17th Joint Vacuum Conference (JVC-17), Olomouc, Czech Republic
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 添加ガスによる高圧水素プラズマを用いた銅ドライエッチングの特性改善2018

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,佐藤純平,白数佳紀,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会(2018年3月15日-17日,中央大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによるSi表面の欠陥制御法の検討2018

    • 著者名/発表者名
      木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会秋季大会学術講演会(函館アリーナ)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 高圧水素プラズマを用いたケミカルフリーなSiウエハ薄化プロセスの開発―プロセス雰囲気中不純物の影響―2018

    • 著者名/発表者名
      木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会(2018年3月15日-17日,中央大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] マイクロ波水素プラズマを用いたオンサイトシラン生成器の開発とその応用2018

    • 著者名/発表者名
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会(早稲田大学)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析 ―ヘリウム及びヘリウム酸素混合プラズマの内部パラメータ比較―2018

    • 著者名/発表者名
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2018年度関西地方定期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによるSi薄化プロセスの開発(I)2017

    • 著者名/発表者名
      木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 水素プラズマを用いた銅ドライエッチングにおける添加ガス効果2017

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,佐藤純平,久保田雄介,平野達也,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] Siウエハ薄化プロセスに向けた高密度水素プラズマエッチング技術の開発2017

    • 著者名/発表者名
      木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会(2017年9月20日-22日,大阪大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析2017

    • 著者名/発表者名
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 電磁場解析によるマイクロ波プラズマの電子密度算出手法の開発2017

    • 著者名/発表者名
      吉田和史,田中恭輔,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2017年度関西地方定期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 高密度水素プラズマによるオンサイト生成シランを用いたシリコンエピ成長とドーピング2017

    • 著者名/発表者名
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 狭ギャップ水素プラズマを用いたオンサイト生成SiH4によるシリコンエピ成長2017

    • 著者名/発表者名
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会(2017年9月20日-22日,大阪大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] High-Rate Etching of Copper By High-Pressure Hydrogen-Based Plasma2017

    • 著者名/発表者名
      H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, and Y. Kubota
    • 学会等名
      231st ECS Meeting (May 28-June 1, 2017 New Orieans, LA, USA)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] Toxic chemical-free Si etching by narrow gap hydrogen plasma toward Si wafer thinning process.2017

    • 著者名/発表者名
      H. Ohmi, N. Takei, K. Kimoto, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      CIP MIATEC 2017 (June 26-30, 2017 Nice, France)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 水素のみを用いた銅のプラズマエッチング技術の開発2016

    • 著者名/発表者名
      平野達也,佐藤純平,垣内弘章,安武潔,久保田雄介,大参宏昌
    • 学会等名
      2016年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      茨城大学 (茨城県・水戸市)
    • 年月日
      2016-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長2016

    • 著者名/発表者名
      武居則久,篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ (新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 高圧水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ形成における金属触媒の影響2015

    • 著者名/発表者名
      竹本啓輝,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      第76回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 準大気圧雰囲気での水素プラズマ化学輸送法を用いたシリコンナノワイヤの形成2015

    • 著者名/発表者名
      竹本啓輝,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      精密工学会 2015年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      京都工芸繊維大学
    • 年月日
      2015-06-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] シミュレーションによる挟ギャップマイクロ波プラズマの解析2015

    • 著者名/発表者名
      足立昂拓,首藤光利,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2015年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      東洋大学
    • 年月日
      2015-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] Impact of catalytic metal element on silicon nanowire growth by high-pressure hydrogen plasma chemical transport2015

    • 著者名/発表者名
      H. Takemoto, Y. Ishikawa, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
    • 学会等名
      TACT 2015 International Thin Films Conference
    • 発表場所
      National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
    • 年月日
      2015-11-15
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 高圧力マイクロ波水素プラズマ中のH密度評価2015

    • 著者名/発表者名
      安武潔,山田高寛,垣内弘章,大参宏昌
    • 学会等名
      2015年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      東洋大学
    • 年月日
      2015-03-17
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] Nucleation for Si film selective growth using GeO2 solution and high-pressure plasma2015

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Yuji Onoshita, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • 学会等名
      20th international colloquium of plasma processes
    • 発表場所
      Saint-Etienne, France
    • 年月日
      2015-06-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 高圧かつ狭ギャップマイクロ波水素プラズマにおける解離度の評価2014

    • 著者名/発表者名
      山田高寛,足立昴拓,山田浩輔,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2014年 第61回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによる液体金属の蒸発促進と金属膜の超高速形成2014

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] Development of Open Air Plasma Oxidation Process for Crystalline Si Solar Cells2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 学会等名
      International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 高圧マイクロ波水素プラズマ中の原子状水素密度―電力バランスカロリメトリによる評価―2014

    • 著者名/発表者名
      足立昂拓,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2014年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      近畿大学
    • 年月日
      2014-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] 水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ成長2014

    • 著者名/発表者名
      石川祥博,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 大気圧プラズマを用いたSi 薄膜形成プロセスの開発2014

    • 著者名/発表者名
      安武潔
    • 学会等名
      第67回マテリアルズ・テーラリング研究会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2014-04-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧プラズマ酸化によるAlOx/SiO2/Siスタック構造の形成と評価2014

    • 著者名/発表者名
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      東京大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 高圧マイクロ波水素プラズマ中の原子状水素密度 -アクチノメトリによる相対密度変化の検討-2014

    • 著者名/発表者名
      山田高寛,平野達也,山田浩輔,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2014年 第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] 水溶性Geを用いたプリンタブル核形成処理による選択的Si膜形成技術の開発2013

    • 著者名/発表者名
      石川祥博,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      精密工学会 2013年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおけるプラズマ中でのシラン分解2013

    • 著者名/発表者名
      山田浩輔,山田高寛,足立昂拓,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2013年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      関西大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] Printable formation of Ge film using a GeO2 solution by high-pressure hydrogen plasma reduction treatment2013

    • 著者名/発表者名
      H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      TACT 2013 International Thin Films Conference
    • 発表場所
      Taipei,Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 大気開放プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーョン技術の開発2013

    • 著者名/発表者名
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2013年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      関西大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] selective formation of silicon film by chemical transport technique using a high-pressure narrow-gap hydrogen plasma2013

    • 著者名/発表者名
      H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      19th International Vacuum Congress IVC-19
    • 発表場所
      Paris, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] Atmospheric Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada and H. Kakiuchi
    • 学会等名
      2012 Kyrgyz-Japan Solar Energy Workshop
    • 発表場所
      Bishkek (Kyrgyz)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温形成2012

    • 著者名/発表者名
      三宮佑太(安武潔)
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] エピタキシャルSi太陽電池形成のための大気圧プラズマCVD技術の開発2012

    • 著者名/発表者名
      金谷優樹, 後藤一磨, 三宮佑太, 卓澤騰, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2012年度精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • 年月日
      2012-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Siのマイクロ波水素プラズマエッチングにおける水素ガス流れと熱伝導のシミュレーション2012

    • 著者名/発表者名
      岡本康平(安武潔)
    • 学会等名
      2012年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      九州工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake
    • 学会等名
      59th AVS International Symposium
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧VHFプラズマによるシリコン表面パッシベーションプロセスの開発2012

    • 著者名/発表者名
      三宮佑太, 後藤一磨, 卓澤騰, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure VHF Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface2012

    • 著者名/発表者名
      Z. Zhuo (K. Yasutake)
    • 学会等名
      精密工学会 2012年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      立命館大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake
    • 学会等名
      2012 Kyrgyz-Japan Solar Energy Workshop
    • 発表場所
      Bishkek, Kyrgyz
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] エピタキシャルSi 太陽電池形成のための大気圧プラズマCVD 技術の開発2012

    • 著者名/発表者名
      金谷優樹,後藤一磨,三宮佑太,卓澤騰,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2012年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • 年月日
      2012-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発―大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温高速形成―2012

    • 著者名/発表者名
      金谷優樹(安武潔)
    • 学会等名
      2012年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      九州工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake
    • 学会等名
      2012 Kyrgyz-Japan Solar Energy Workshop
    • 発表場所
      Bishkek, Kyrgyz
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] Surface passivation of Si by atmospheric-pressure plasma oxidation at low temperatures2012

    • 著者名/発表者名
      卓澤騰, 三宮佑太, 後藤一磨, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2012年度精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • 年月日
      2012-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      59th AVS International Symposium
    • 発表場所
      Tampa (USA)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmosperic-Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake
    • 学会等名
      5th Int. Sym. on Atomically Controlled Fabrication Technology (ACFT-5)
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Formation of Passivation Films for Si Surfaces by Atmospheric-Pressure VHF Plasma Oxidation2012

    • 著者名/発表者名
      Z. Zhuo (K. Yasutake)
    • 学会等名
      5th Int. Sym. on Atomically Controlled Fabrication Technology (ACFT-5)
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Si Surface Passivation2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Sannnomiya, K.Goto, ZT.Zhuo, Y.Kanetani, T.Yamada, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      15th International Conference on Thin Films
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2011-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Functional Thin Films at Low-Temperatures2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, T.Yamada, H.Kakiuchi
    • 学会等名
      4th Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2011-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Formation of SiO_xN_y Films for Passivation of Si Surfaces by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation2011

    • 著者名/発表者名
      ZT.Zhuo, K.Goto, Y.Sannomiya, Y.Kanetani, T.Yamada, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      4th Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2011-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発2011

    • 著者名/発表者名
      後藤一磨, 卓澤騰, 三宮佑太, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2011年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      金沢大学
    • 年月日
      2011-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Surface Passivation of N-type Si surfaces using SiO_2 grown by of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Processing2011

    • 著者名/発表者名
      卓澤騰, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 他3名
    • 学会等名
      2011年度精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      講演論文集A66東洋大学(東京)
    • 年月日
      2011-03-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] 大気圧プラズマを用いたシリコン表面パッシベーションプロセスの開発2011

    • 著者名/発表者名
      三宮佑太, 後藤一磨, 卓澤騰, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2011年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      兵庫県立大学
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧プラズマを用いたSi薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 山田高寛, 垣内弘章
    • 学会等名
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第98回研究会「高速・高品質化を実現する先端プラズマ技術(シリコン薄膜形成)」
    • 発表場所
      弘済会館(東京)
    • 年月日
      2010-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface2010

    • 著者名/発表者名
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他3名
    • 学会等名
      63rd Gaseous Electronics Conf.and 7th Int.Conf on Reactive Plasmas
    • 発表場所
      Maison de la Chimie (Paris)
    • 年月日
      2010-10-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface2010

    • 著者名/発表者名
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他2名
    • 学会等名
      精密工学会2010年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都)
    • 年月日
      2010-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si2010

    • 著者名/発表者名
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他3名
    • 学会等名
      3rd Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学中之島センター(大阪)
    • 年月日
      2010-11-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション膜の形成2010

    • 著者名/発表者名
      後藤一磨, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 他3名
    • 学会等名
      2010年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋)
    • 年月日
      2010-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] 大気圧プラズマを用いたSi 薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      安武潔,大参宏昌,山田髙寛,垣内弘章
    • 学会等名
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第98回研究会「高速・高品質化を実現する先端プラズマ技術 (シリコン薄膜形成)
    • 発表場所
      弘済会館(東京)
    • 年月日
      2010-09-10
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法によるSi選択エピタキシャル成長2009

    • 著者名/発表者名
      大西崇之, 桐畑豊, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      中央大学(東京)
    • 年月日
      2009-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] New Formation Process of Solar-Grade Si Material Based on Atmospheric-Pressure Plasma Science2009

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, K.Inagaki, H.Kakiuchi
    • 学会等名
      2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学中之島会館(大阪市)
    • 年月日
      2009-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算2009

    • 著者名/発表者名
      稲垣耕司、金井良太、広瀬喜久治、安武潔
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本大学(熊本市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohnishi, Y.Kirihata, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      216th ECS meeting CVD-XVII & EUROCVD-17
    • 発表場所
      Austria Center Vienna(オーストリア、ウィーン)
    • 年月日
      2009-10-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] First-Principles Molecular-Dynamics Simulation of Reaction in CVD Si Epitaxial Thin Film Growth Process -Hydrogen Coverage Dependence on Incident Radical Temperature-2009

    • 著者名/発表者名
      K.Inagaki, R.Kanai, H.Hirose, K.Yasutake
    • 学会等名
      2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学中之島会館(大阪市)
    • 年月日
      2009-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric-Pressure Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Ohnishi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      1^<st> Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing-
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2009-02-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] (招待講演)大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 学会等名
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会第44回応用物理学会スクール「安価,簡単,便利~大気圧プラズマの基礎と応用~」
    • 発表場所
      筑波大学(筑波市)
    • 年月日
      2009-04-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] First-Principles Molecular-Dynamics Analysis of Surface Reaction in Low-Temperature Si Thin Film Growth -Adsorption of Reactive Precursors onto H-Terminated Si Surface-2009

    • 著者名/発表者名
      K. Inagaki, R. Kanai, K. Hirose, K. Yasutake
    • 学会等名
      1^<st> Int. Symp. 0n Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing-
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2009-02-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVDによる低温in situドープSi選択エピタキシャル成長に関する研究2009

    • 著者名/発表者名
      大西崇之, 後藤一磨, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • 発表場所
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • 年月日
      2009-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] (特別講演)低温・高速・高品質を実現する大気圧プラズマプロセスによる薄膜形成技術2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • 発表場所
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • 年月日
      2009-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法によるSi薄膜成膜における高分解前駆体表面反応の理論解析2009

    • 著者名/発表者名
      金井良太, 稲垣耕司, 広瀬喜久治, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • 発表場所
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • 年月日
      2009-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] Low-Temperature Si Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohnishi, K.Goto, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学中之島会館(大阪市)
    • 年月日
      2009-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Si Thin Films at Low Temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      1^<st> Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing-
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2009-02-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 学会等名
      第44回応用物理学会スクール「安価, 簡単, 便利~大気圧プラズマの基礎と応用~」
    • 発表場所
      筑波大学(筑波市)(招待講演)
    • 年月日
      2009-04-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] (特別講演)低温・高速・高品質を実現する大気圧プラズマプロセスによる薄膜形成技術2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • 発表場所
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • 年月日
      2009-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 水素終端Si表面上でのSiエピタキシャル成長初期過程のミクロカノニカル第一原理分子 動力学計算による解析2008

    • 著者名/発表者名
      稲垣耕司, 広瀬喜久治, 安武潔
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(愛知)
    • 年月日
      2008-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマプロセスによるSi系薄膜の低温形成2008

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 学会等名
      応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 第2回プラズマ新領域研究会
    • 発表場所
      広島大学
    • 年月日
      2008-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成2008

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 学会等名
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第87回研究会
    • 発表場所
      ホテル明山荘(蒲郡市)(招待講演)
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 水素終端Si(001)表面上でのSiH_3とHの作用によるエピタキシャル成長過程の第一原理分子動力学計算2008

    • 著者名/発表者名
      稲垣耕司, 田代崇, 広瀬喜久治, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2008年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      堺市産業振興センター
    • 年月日
      2008-07-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による低温in situドープSi選択エピタキシャル成長2008

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 大西崇之, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(愛知)
    • 年月日
      2008-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成2008

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 学会等名
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第87回研究会
    • 発表場所
      ホテル明山荘(愛知)
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Marseille, France
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD-Surface Local Temperature-2007

    • 著者名/発表者名
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • 学会等名
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • 発表場所
      大阪大学(吹田)
    • 年月日
      2007-10-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 学会等名
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      日本大学(駿河台)
    • 年月日
      2007-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVDによる高品質エピタキシャルSiの低温成長2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2007年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪産業大学(大東市)
    • 年月日
      2007-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 学会等名
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      日本大学(駿河台)
    • 年月日
      2007-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による高品質Siエピタキシャル膜の低温成長2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 田原直剛, 大参宏昌, 垣内弘章, 渡部平司, 安武潔
    • 学会等名
      2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原)
    • 年月日
      2007-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2007年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      旭川市ときわ市民ホール
    • 年月日
      2007-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVDにおけるシリコンエピタクシャル成長低温化の第一原理シミュレーションによる解明-表面へのガス原子の作用-2007

    • 著者名/発表者名
      稲垣耕司, 掛谷悟史, 広瀬喜久治, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪産業大学(大東市)
    • 年月日
      2007-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] In situ B doped Si Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 学会等名
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • 発表場所
      大阪大学(吹田)
    • 年月日
      2007-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] In situ B doped Si Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 学会等名
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • 発表場所
      大阪大学(吹田)
    • 年月日
      2007-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVDにおけるシリコンエピタクシャル成長低温化の第一原理シミュレーションによる解明-表面へのガス原子の作用-2007

    • 著者名/発表者名
      稲垣耕司, 掛谷悟史広瀬喜久治, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2007年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪産業大学(大東市)
    • 年月日
      2007-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • 発表場所
      マルセイユ
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD - Surface Local Temperature-2007

    • 著者名/発表者名
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • 学会等名
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • 発表場所
      大阪大学(吹田)
    • 年月日
      2007-10-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] Atmospheric-pressure plasma processes for fabrication of Si and SiO2 thin films at low-temperatures2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      日本大学(千代田区)(招待講演)
    • 年月日
      2007-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2007年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      旭川市ときわ市民ホール
    • 年月日
      2007-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVDによる高品質エピタキシャルSiの低温成長2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪産業大学(大東市)
    • 年月日
      2007-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • 発表場所
      マルセイユ
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • 発表場所
      マルセイユ
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • 発表場所
      マルセイユ
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 低純度Si精製に向けたジボラン(B2H6)選択除去手法の開発とその特性評価

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 薄型結晶Si太陽電池のための大気開放プラズマ酸化プロセスの開発

    • 著者名/発表者名
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2013年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Boron Elimination Filter from SiH4 and B2H6 Gas Mixture for Purification of Metallurgical Si

    • 著者名/発表者名
      H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
    • 学会等名
      225th ECS Meeting
    • 発表場所
      Orlando, FL, USA
    • 年月日
      2014-05-11 – 2014-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] Calorimetry study of degree of dissociation in narrow-gap microwave hydrogen plasma for high-rate Si etching

    • 著者名/発表者名
      K. Yamada, T. Adachi, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 学会等名
      1st KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    • 発表場所
      Senri Life Science Center
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [学会発表] SiH4 conversion rate in Si etching reaction induced by high-pressure hydrogen plasma

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • 学会等名
      13th European Vacuum Conference
    • 発表場所
      Aveiro, Portugal
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 水素プラズマによる金属の蒸発促進と高速成膜への応用

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 大気圧プラズマを用いたSi薄膜形成プロセスの開発

    • 著者名/発表者名
      安武 潔
    • 学会等名
      第67回マテリアルズ・テーラリング研究会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • 1.  垣内 弘章 (10233660)
    共同の研究課題数: 13件
    共同の研究成果数: 84件
  • 2.  芳井 熊安 (30029152)
    共同の研究課題数: 11件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  大参 宏昌 (00335382)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 144件
  • 4.  川辺 秀昭 (90028978)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  森 勇藏 (00029125)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  広瀬 喜久治 (10073892)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  片岡 俊彦 (50029328)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  遠藤 勝義 (90152008)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  森田 瑞穂 (50157905)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  渡部 平司 (90379115)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 13件
  • 11.  志村 考功 (90252600)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  青野 正和 (10184053)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  志村 孝功
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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