斧高一 Ono Kouichi

研究者番号	30311731
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所属 (現在)	2025年度: 大阪大学, 接合科学研究所, 招へい教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度: 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2017年度: 大阪大学, 接合科学研究所, 特任教授 2016年度: 京都大学, 工学研究科, 名誉教授 2015年度: 京都大学, 大学院工学研究科, 教授 2012年度 – 2015年度: 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 … もっと見る 2013年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 2013年度: 京都大学, 工学研究科, 教授 2001年度 – 2011年度: 京都大学, 工学研究科, 教授 2010年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 2004年度 – 2005年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 1999年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 1999年度: 京都大学, 工学研究科, 教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者プラズマ科学 / 理工系 / プラズマエレクトロニクス / プラズマ理工学 / 理工系 / 航空宇宙工学研究代表者以外材料加工・処理 / 材料加工・組織制御工学 / 材料加工・処理 / 応用物理学一般 / 複合材料・表界面工学 / 理工系
キーワード	研究代表者超微細加工形状 / 半導体超微細化 / 表面・界面物性 / プラズマ化学 / プラズマ加工 / プラズマエッチング / 反応粒子輸送 / MEMS / マイクロ波励起プラズマ / Etching … もっと見る / Plasma Processing / エッチング / プラズマプロセス / プラズマ・表面過程揺動 / 軸対称表面波励起プラズマ / マイクロノズル / マイクロプラズマ / 半導体マイクロ波素子 / プラズマスラスター / 微細加工形状 / Transport of Reactive Particles / Etched Profiles / Semiconductor Fabrication / Surface and Interfaces / Plasma Chemistry / Plasma Etching / Chemical Vapor Deposition / High-Density Plasma / Feature Profile Evolution / Surface Reaction / Particle Transport / Microstructure / 化学気相堆積 / 高密度プラズマ / 加工形状進展 / 表面反応過程 / 粒子輸送過程 / 超微細構造 / 表面ラフネス / 反応生成物 / 超微細加工技術 / 高温反応場 / 亜音速・超音速流れ場 / 高温反応揚 / 亜音速・超音速流れ揚 / プラズマスラスタ / 超音速流れ / 超小型プラズマスラスター / 超小型電気推進 / 表面波励起プラズマ / 電気推進 … もっと見る研究代表者以外プラズマ / 電気容量 / 欠陥 / シリコン / 誘電率 / ナノ材料 / プラズマプロセス / 分子動力学 / 欠陥層 / トランジスタ / 材料加工・処理 / 結晶・組成制御 / plasma surface process / non-equilibrium process / ultra-short pulse laser / phonon excitation / ultra-shallow junction / ミリ波照射 / 非平衡プラズマ照射 / プラズマ処理 / 非平衡プロセス / 超短パルスレーザー / フォノン励起 / 半導体極浅接合 / plasma-based ion implantation / large-volume plasma source / low inductance antenna / internal antenna / inductively coupled plasmas / プラズマイオン注入プロセス / 大容積プラズマ / 低インダクタンス / 内部アンテナ / 誘導結合プラズマ / Two-dimensional Rate Monitoring / Two-dimensional Shape Monitoring / In-process Monitoring / Microscopic Interferometry / Microstructure Etching / Plasma Processing / 二次元加工速度診断 / 二次元加工形状診断 / インプロセス・モニタリング / 顕微干渉分光法 / 微細構造エッチング / 有機材料 / 有機膜 / 電子 / 表面・界面 / 変調反射率分光 / 分子動力学法 / 欠陥構造 / 極低消費電力 / 表面・界面制御 / 揺らぎ / 相互作用 / ナノ粒子 / コンビナトリアル摂動解析 / プラズマ局所反応場 / ナノ界面制御 / プラズマナノテクノロジー / ボトムアッププロセス / トップダウンプロセス / 相互作用ゆらぎ / ナノ界面 / 界面層 / レーザー / 誘電関数 / 表面界面改質隠す

プラズマによる表面ナノ周期構造形成に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマエレクトロニクス
- 研究機関
  大阪大学
   京都大学
イオンエネルギー確率分布関数制御型プラズマによる窒化ホウ素薄膜の組成制御の研究
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  材料加工・組織制御工学
- 研究機関
  京都大学
誘電率変調構造を有する有機系新機能素子を目指したプラズマ表面反応制御の研究
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  複合材料・表界面工学
- 研究機関
  京都大学
統合型誘電率設計手法を用いた極低消費電力素子のナノ材料プロセスの研究開発
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  京都大学
プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術統合研究
- 研究代表者
  
  白谷正治
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  九州大学
プラズマと薄膜表面・界面の階層的複合反応制御による次世代ナノ加工技術の構築研究代表者
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  京都大学
ナノスケールのプラズマ微細加工技術開発のためのプラズマ・固体表面相互作用の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマ科学
- 研究機関
  京都大学
ナノ領域誘電率解析手法を用いたプラズマ・固相界面改質プロセスの研究開発
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  京都大学
マイクロプラズマスラスタの研究開発:高温反応場と高速流れ場の競合現象の解明と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  京都大学
塩素・臭素系混合プラズマの気相および固体表面におけるプラズマ化学の解明と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマ科学
- 研究機関
  京都大学
マイクロプラズマスラスターの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  京都大学
極浅半導体接合創成のためのコヒーレントフォノン励起型アニールプロセスの解明・制御
- 研究代表者
  
  節原裕一
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  大阪大学
   京都大学
表面波励起プラズマを用いた超小型プラズマスラスターの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  航空宇宙工学
- 研究機関
  京都大学
プラズマプロセスにおける超微細構造内の粒子輸送と表面反応過程の解明と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマ理工学
- 研究機関
  京都大学
内部アンテナ型大容積RFプラズマ源を用いた高性能プラズマイオン注入プロセスの開発
- 研究代表者
  
  節原裕一
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  京都大学
顕微干渉分光法による超微細構造内のプロセス診断法の開発
- 研究代表者
  
  橘邦英
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  京都大学

[図書] プラズマプロセス技術 (第4章ナノエッチング技術, 分担執筆)2017
- 著者名/発表者名
  斧高一，江利口浩二，鷹尾祥典
- 総ページ数
  273
- 出版者
  森北出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[図書] "High-k 膜のドライエッチング", 「ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術－成膜技術と膜・界面の物性科学－」, 第5編, 第4章 (分担執筆).2012
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 出版者
  エヌ・ティー・エス社
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[図書] High-k 膜のドライエッチングナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術-成膜技術と膜・界面の物性科学-, 第5編, 第4章2012
- 著者名/発表者名
  斧高一(分担執筆)
- 出版者
  エヌ・ティー・エス社
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[図書] 次世代ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術と膜・界面の物性科学2012
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 出版者
  エヌ・ティー・エス社(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[図書] プラズマエッチングにおける表面反応機構マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術式田光宏他監修, 第二編, 第2章2009
- 著者名/発表者名
  斧高一(分担執筆)
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[図書] 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」,式田光宏・佐藤一雄・田中浩監修第二編,第2章"プラズマエッチングにおける表面反応機構"2009
- 著者名/発表者名
  斧高一[分担執筆]
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[図書] 「2009半導体テクノロジー大全」第4編, 第4章, 4節 "高誘電体/電極材料エッチング技2009
- 著者名/発表者名
  斧高一, 江利口浩二 [分担執筆]
- 総ページ数
  684
- 出版者
  電子ジャーナル社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[図書] 2009半導体テクノロジー大全2009
- 著者名/発表者名
  斧高一, 江利口浩二
- 出版者
  電子ジャーナル社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[図書] 「2007半導体テクノロジー大全」第4編第4章第5節"高誘電体/電極材料エッチング技術"2007
- 著者名/発表者名
  斧高一, 江利口浩二
- 出版者
  電子ジャーナル社(印刷中)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[図書] 2007半導体テクノロジー大全(第4編第4章第5節"高誘電体/電極材料エッチング技術")2007
- 著者名/発表者名
  斧高一, 江利口浩二(分担執筆)
- 出版者
  電子ジャーナル社(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[図書] マイクロ・ナノプラズマ技術とその産業応用(橘邦英, 寺嶋和夫監修)2006
- 著者名/発表者名
  斧高一(分担執筆)
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[図書] Surface Science : Fundamentals and Applications [in Japanese](edited by The Surface Science Society of Japan)2004
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 出版者
  NTS, Tokyo
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[図書] エッチング、「新改訂・表面科学の基礎と応用」第3編、第1章、第3節、第6項(日本表面科学会編)2004
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 出版者
  エヌ・ティー・エス社
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Surface morphology evolution during plasma etching: roughening, smoothing and ripple formation2017
- 著者名/発表者名
  K. Ono, N. Nakazaki, H. Tsuda, Y. Takao, and K. Eriguchi
- 雑誌名
  
  J. Phys. D: Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 41 ページ: 414001-414001
- DOI
  10.1088/1361-6463/aa8523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[雑誌論文] Optical model for spectroscopic ellipsometry analysis of plasma-induced damage to SiOC films2017
- 著者名/発表者名
  Kentaro Nishida, Kouichi Ono, and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 6S2 ページ: 06HD01-06HD01
- DOI
  10.7567/jjap.56.06hd01
- NAID
  210000147960
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[雑誌論文] Time-dependent dielectric breakdown characterizations of interlayer dielectric damage induced during plasma processing2017
- 著者名/発表者名
  Kengo Shinohara, Kentaro Nishida, Kouichi Ono, and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 6S2 ページ: 06HD03-06HD03
- DOI
  10.7567/jjap.56.06hd03
- NAID
  210000147962
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[雑誌論文] Surface smoothing during plasma etching of Si in Cl22016
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, H. Matsumoto, H. Tsuda, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 109 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4967474
- NAID
  120005893556
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[雑誌論文] Characterization of plasma process-induced latent defects in surface and interface layer of Si substrate2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nakakubo, K. Eriguchi, K. Ono
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 4 号: 6 ページ: N5077-N5083
- DOI
  10.1149/2.0121506jss
- NAID
  120005756254
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Influence of microwave annealing on optical and electrical properties of plasma-induced defect structures in Si substrate2015
- 著者名/発表者名
  T. Iwai, K. Eriguchi, S. Yamauchi, N. Noro, J. Kitagawa, K. Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. A
  
  巻: 33 号: 6 ページ: 061403-061403
- DOI
  10.1116/1.4927128
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Molecular dynamics simulations of Si etching in Cl- and Br-based plasmas: Cl+ and Br+ ion incidence in the presence of Cl and Br neutrals2015
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 118 号: 23
- DOI
  10.1063/1.4937449
- NAID
  120005694187
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582, KAKENHI-PROJECT-15J04793
[雑誌論文] プラズマ・固体表面界面反応制御－表面ラフネスとリップルの形成機構と制御－2015
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 84 ページ: 895-902
- NAID
  130007718669
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[雑誌論文] Impacts of plasma process-induced damage on MOSFET parameter variability and reliability2015
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, K. Ono
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: 55 号: 9-10 ページ: 1464-1470
- DOI
  10.1016/j.microrel.2015.07.004
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Surface roughening and rippling during plasma etching of Si : Numerical investigations and a comparison with experiments2014
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, N.Nakazaki, Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol.
  
  巻: B 32 号: 3
- DOI
  10.1116/1.4874309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Molecular dynamics simulations of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas2014
- 著者名/発表者名
  N.Nakazaki, Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 5 ページ: 056201-056201
- DOI
  10.7567/jjap.53.056201
- NAID
  210000143754
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Effects of plasma-induced charging damage on random telegraph noise in metal-oxide-semiconductor field- effect transistors with SiO 2 and high-k gate dielectrics2014
- 著者名/発表者名
  M. Kamei, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DF02-03DF02
- DOI
  10.7567/jjap.53.03df02
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Decomposition of methyl orange using pulsed discharge plasma at atmospheric pressure: Effect of different electrodes2014
- 著者名/発表者名
  Yui Hayashi, Wahyudiono, Siti Machmudah, Noriharu Takada, Hideki Kanda, Koichi Sasaki, and Motonobu Goto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 1 ページ: 10212-10212
- DOI
  10.7567/jjap.53.010212
- NAID
  210000143224
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-21110001, KAKENHI-PLANNED-21110004, KAKENHI-PLANNED-21110009, KAKENHI-PROJECT-21246119
[雑誌論文] Improved hardness and electrical property of c-BN thin films by magnetically enhanced plasma ion plating technique2014
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, Y. Takao, N. Terayama, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DB02-03DB02
- DOI
  10.7567/jjap.53.03db02
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321, KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Effects of straggling of incident ions on plasma-induced damage creation in "fin"-type field-effect transistors2014
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DE02-03DE02
- DOI
  10.7567/jjap.53.03de02
- NAID
  210000143495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321, KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Characteristics of optical emission intensities and bubblelike phenomena induced by laser ablation in supercritical fluids2014
- 著者名/発表者名
  Noriharu Takada, Siti Machmudah, Hiroshi Goto, Wahyudiono, Motonobu Goto, and Koichi Sasaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 1 ページ: 10213-10213
- DOI
  10.7567/jjap.53.010213
- NAID
  210000143225
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-21110001, KAKENHI-PLANNED-21110004, KAKENHI-PLANNED-21110009, KAKENHI-PROJECT-21246119
[雑誌論文] μ-Photoreflectance Spectroscopy for Microscale Monitoring of PlaBsma-induced Physical Damage on Si Substrate2014
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DF01-03DF01
- DOI
  10.7567/jjap.53.03df01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Surface roughening and rippling during plasma etching of Si: Numerical investigations and a comparison with experiments2014
- 著者名/発表者名
  H. Tsuda, N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B
  
  巻: 32
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] プラズマナノ加工における表面ラフネスとリップル形成機構2013
- 著者名/発表者名
  斧高一, 津田博隆, 中崎暢也, 鷹尾祥典, 江利口浩二
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 34 ページ: 528-534
- NAID
  10031202796
- URL
  https://www.jstage.jst.go.jp/browse/jsssj/34/10/_contents/-char/ja/
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence2012
- 著者名/発表者名
  Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Friguchi Kouichi Onc
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 8S1 ページ: 08HC01-08HC01
- DOI
  10.1143/jjap.51.08hc01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J01415, KAKENHI-PLANNED-21110008, KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Effect of capacitive coupling in a miniature inductively coupled plasma source2012
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 112 号: 9 ページ: 93306-93306
- DOI
  10.1063/1.4764333
- NAID
  120004920433
- URL
  http://hdl.handle.net/2433/161047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008, KAKENHI-PROJECT-23360321, KAKENHI-PROJECT-23760769
[雑誌論文] High-k MOSFET performance degradation by plasma process-induced charging damage2012
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, M. Kamei, Y. Takao, K. Ono
- 雑誌名
  
  2012 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report
  
  ページ: 80-84
- DOI
  10.1109/iirw.2012.6468925
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Particle Simulations of Sheath Dynamics in Low Pressure Capacitively Coupled Argon Plasma Discharges2011
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Matsuoka, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 50 号: 8S1 ページ: 08JC02-08JC02
- DOI
  10.1143/jjap.50.08jc02
- NAID
  210000071066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008, KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Trade-Off Relationship between Si Recess and Defect Density Formed by Plasma-Induced Damage in Planar Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors and the Optimization Methodology2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 50(掲載予定)
- NAID
  210000071116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Three-dimensional Atomic-scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-based Plasmas : Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness2011
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, H.Miyata, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.A.Appl.Phys.
  
  巻: Vo.50, No.7 (in press)
- NAID
  210000071082
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Particle Simulations of Sheath Dynamics in Low Pressure Capacitively Coupled Argon Plasma Discharges2011
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Matsuoka, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.A.AppL.Phys.
  
  巻: Vo.50, No.7 (in press)
- NAID
  210000071066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Three-dimensional Atomic-scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-based Plasmas : Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness2011
- 著者名/発表者名
  H. Tsuda, H. Miyata, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000071082
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Modeling of plasma-induced damage and its impacts on parameter variations in advanced electronic devices2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, and K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol
  
  巻: A29 号: 4 ページ: 41303-41303
- DOI
  10.1116/1.3598382
- NAID
  120003133618
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008, KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Model for Effects of Rf Bias Frequency and Waveform on Si Damaged-Layer Formation during Plasma Etching2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 50(掲載予定)
- NAID
  210000071080
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Model for Effects of Rf Bias Frequency and Waveform on Si Damaged-Layer Formation during Plasma Etching2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50 号: 8S1 ページ: 08JE04-08JE04
- DOI
  10.1143/jjap.50.08je04
- NAID
  210000071080
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Molecular Dynamics Analysis of the Formation of Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-based Plasmas2011
- 著者名/発表者名
  Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, Kouichi Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 8S2 ページ: 08KB02-08KB02
- DOI
  10.1143/jjap.50.08kb02
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J01415, KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Comparative study of plasma-charging damage in high-k dielectric and P-N junction and their effects on off-state leakage current of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 50(掲載予定)
- NAID
  210000071117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, Kouichi Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 8S2 ページ: 08KD03-08KD03
- DOI
  10.1143/jjap.50.08kd03
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J01382, KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Particle Simulations of Sheath Dynamics in Low Pressure Capacitively Coupled Argon Plasma Discharges2011
- 著者名/発表者名
  Y. Takao, K. Matsuoka, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000071066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Analytic Model of Threshold Voltage Variation Induced by Plasma Charging Damage in high-k Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistor2011
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, M. Kamei, Y. Takao, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 10S ページ: 10PG02-10PG02
- DOI
  10.1143/jjap.50.10pg02
- NAID
  210000071431
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda , Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 50(掲載予定)
- NAID
  210000071115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Three-dimensional Atomic-scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-based Plasmas : Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness2011
- 著者名/発表者名
  Hirotaka Tsuda, Hiroki Miyata, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, Kouichi Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 8S1 ページ: 08JE06-08JE06
- DOI
  10.1143/jjap.50.08je06
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J01415, KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching : Formation of surface roughness and residue2010
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, M.Mori, Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 号: 13 ページ: 3475-3480
- DOI
  10.1016/j.tsf.2009.11.043
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Plasma-surface interactions for advanced plasma etching processes in nanoscale ULSI device fabrication : A numerical and experimental study2010
- 著者名/発表者名
  K.Ono, H.Ohta, and K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 号: 13 ページ: 3461-3468
- DOI
  10.1016/j.tsf.2009.11.030
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching : Formation of surface roughness and residue2010
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, M.Mori, Y.Takao, K.Friguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
  
  ページ: 3475-3480
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Plasma-surface interactions for advanced plasma etching processes in nanoscale ULSI device fabrication : A numerical and experimental study2010
- 著者名/発表者名
  K.Ono, H.Ohta, K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
  
  ページ: 3461-3468
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Two-dimensional particle-in-cell Monte Carlo simulation of a miniature inductively coupled plasma source2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, N, Kusaba, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 108 号: 9
- DOI
  10.1063/1.3506536
- NAID
  120005553877
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Modeling of Ion-Bombardment Damage on Si Surfaces for In-Line Analysis2010
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 3481-3486
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] 先端エッチングプロセスのモデリングと体系化2010
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 雑誌名
  
  化学と工業
  
  巻: 61 ページ: 457-465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
- NAID
  40017116117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Hydrogen-Plasma-Damaged Silicon Surface Structures and Its Impact on In-line Monitoring2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Fukasawa, Y.Takao, T.Tatsumi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 49
- NAID
  210000069055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] 先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化2010
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 雑誌名
  
  化学工業
  
  巻: Vol.61, No.6 ページ: 457-465
- NAID
  40017136560
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 49
  
  ページ: 56203-56203
- NAID
  40017116117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] 先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化2010
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 雑誌名
  
  化学工業
  
  巻: 61 ページ: 457-465
- NAID
  40017136560
- URL
  http://www.kako-sha.co.jp/2010contentskagaku.htm
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000069053
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Hydrogen-Plasma-Damaged Silicon Surface Structures and Its Impact on In-line Monitoring2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Fukasawa, Y.Takao, T.Tatsumi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000069055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching : Analysis of profile anomalies and microscopic uniformity2010
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, M.Mori, Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 49 号: 8S1 ページ: 08JE01-08JE01
- DOI
  10.1143/jjap.49.08je01
- NAID
  210000069057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Two-dimensional particle-in-cell Monte Carlo simulation of a miniature inductively coupled plasma source2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, N, Kusaba, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: Vol.108, No.9
- NAID
  120005553877
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching : Analysis of Profile Anomalies and Microscopic Uniformity2010
- 著者名/発表者名
  H. Tsuda, M. Mori, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000069057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000068176
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Plasma-surface interactions for advanced plasma etching processes in nanoscale ULSIdevice fabrication : A numerical and experimental study2010
- 著者名/発表者名
  K. Ono, H. Ohta, and K. Eriguchi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 ページ: 3461-3468
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Bias frequency dependence of pn junction charging damage induced by plasma processing2010
- 著者名/発表者名
  M.Kamei, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 3469-3474
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching : Analysis of profile anomalies and microscopic uniformity2010
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, M.Mori, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: Vol.49, No.8
- NAID
  210000069057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Plasma-Induced Defect-Site Generation in Si Substrate and Its Impact on Performance Degradation in Scaled MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. 30
  
  ページ: 1275-1277
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Plasma chemical behavior of reactants and reaction products during inductively coupled CF_4 plasma Etching of SiO_22009
- 著者名/発表者名
  H. Fukumoto, I. Fujikake, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Plasma Sources Sci. Technol.
  
  巻: 18
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Plasma-Induced Defect-Site Generation in Si Substrate and Its Impact on Performance Degradation in Scaled2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. 30
  
  ページ: 1275-1277
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Effects of Mask Pattern Geometry on Plasma Etching Profiles2009
- 著者名/発表者名
  H. Fukumoto, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. App. Phys.
  
  巻: 48
- NAID
  40016743034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Numerical Study on Si Etching byMonoatomic Cl^+/Br^+ Beams and DiatomicBr_2^+/Cl_2^+/HB_r^+ Beams2009
- 著者名/発表者名
  T. Nagaoka, H. Ohta, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. App. Phys.
  
  巻: 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Molecular-Dynamics-Based Profile Evolution Simulation for Sub-10-nm Si Processing Technology2009
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, K.Eriguchi, K.Ono, and H.Ohta
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 2 号: 11 ページ: 116501-116501
- DOI
  10.1143/apex.2.116501
- NAID
  10027012154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Molecular-Dynamics-Based Profile Evolution Simulation for Sub-10-nm Si Processing Technology2009
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, K.Eriguchi, K.Ono, H.Ohta
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express Vol.2, No.11
- NAID
  10027012154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Plasma chemical behaviour of reactants and reaction products during inductively coupled C_F4 plasma Etching of SiO_22009
- 著者名/発表者名
  H.Fukumoto, I.Fujikake, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Plasma Sources Sci.Technol. Vol. 18, No. 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Effects of Mask Pattern Geometry on Plasma Etching Profiles2009
- 著者名/発表者名
  H.Fukumoto, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.App.Phys. Vo. 48, No. 9
- NAID
  40016743034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Numerical Study on Si Etching by Monoatomic Cl^+/Br^+ Beams and Diatomic Br_2^+/Cl_2^+/HBr^+Beams2009
- 著者名/発表者名
  T.Nagaoka, H.Ohta, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.App.Phys. Vo. 48, No. 7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Micro plasma thruster for ultra small satellites: Plasma chemical and aerodynamical aspects2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takao, T. Takahashi, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Pure Appl. Chem. (In press)
- NAID
  120005553869
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] Numerical Analysis and Experiments of a Microwave-excited Microplasma Thruster2007
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Proc. 30th Int. Electric Propulsion Conf. (30th IEPC), Florence, Italy, Sep. 2007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] A miniature electrothermal thruster using microwave-excited microplasmas : Thrust measurement and its comparison with numerical analysis2007
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. (in press)
- NAID
  120002696049
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] A miniature electrothermal thruster using microwave-excited microplasmas: Thrust measurement and its comparison with numerical analysis2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. Vol.101
- NAID
  120002696049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] マイクロプラズマスラスター2007
- 著者名/発表者名
  斧高一, 鷹尾祥典
- 雑誌名
  
  応用物理第76巻,第4号
  
  ページ: 394-398
- NAID
  130007717789
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] A Model Analysis of Feature Profile Evolution and Microscopic Uniformity during Polysilicon Gate Etching in Cl_2/O_2 plasmas2006
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, M.Mori, N.Itabashi, K.Takahashi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 Vol.45, No.10B
  
  ページ: 8157-8162
- NAID
  10018339129
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Properties of Inductively-Coupled RF Plasma Sources with Multiple Low-Inductance Antenna Modules2006
- 著者名/発表者名
  K.Takenaka, Y.Setsuhara, K.Nishisaka, A.Ebe, S.Sugiura, K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proc.6th International Conf. on Reactive Plasmas and 23rd Symp. on Plasma Processing, Matsushima, Japan, Jan.24-27
  
  ページ: 183-184
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360388
[雑誌論文] Miniature electrothermal thruster using microwavew-excited plasmas : A numerical design consideration2006
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Plasma Sources Sci. Technol. Vol.15, No.2
  
  ページ: 211-227
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] Microwave-sustained miniature plasmas for an ultra small thruster2006
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (in press)
- NAID
  120005553870
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] A Model Analysis of Feature Profile Evolution and Microscopic Uniformity during Polysilicon Gate Etching in Cl_2/O_2 plasmas2006
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, M.Mori, N.Itabashi, K.Takahashi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys., Part 1 Vol.45, No.10B
  
  ページ: 8157-8162
- NAID
  10018339129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Plasma etching of high-κ and metal gate materials2006
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Kitagawa, K.Osari, K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Vacuum Vol.80,No.7
  
  ページ: 761-767
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Selective etching of high-k HfO_2 films over Si in hydrogen-added fluorocarbon (CF_4/Ar/H_2 and C_4F_8/Ar/H_2) plasmas2006
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.A Vol.24, No.3
  
  ページ: 437-443
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Plasma etching of high-k and metal gate materials2006
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Kitagawa, K.Osari, K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Vacuum (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Etching of High-k Dielectric HfO_2 Films in BCl_3-Containing Plasmas Enhanced with O_2 Addition2006
- 著者名/発表者名
  T.Kitagawa, K.Nakamura, K.Osari, K.Takahashi, K.Ono, M.Oosawa, S.Hasaka, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 Vo.45, No.10
- NAID
  10018158543
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Plasma Diagnostics and Thrust Performance Analysis of a Microwave -Excited Microplasma Thruster2006
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part 1 Vol.45,No.7(in press)
- NAID
  10018339427
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] Microwave-sustained miniature plasmas for an ultra small thruster2006
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.506-507
  
  ページ: 592-596
- NAID
  120005553870
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] A Model Analysis of Feature Profile Evolution and Microscopic Uniformity during Polysilicon Gate Etching in Cl_2/O_2 plasmas2006
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, M.Mori, N.Itabashi, K.Takahashi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45,No.10B
  
  ページ: 8157-8162
- NAID
  10018339129
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Miniature electrothermal thruster using microwave-excited plasmas : A numerical design consideration2006
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Plasma Sources Sci.Technol., Vol.15,No.2
  
  ページ: 211-227
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] Selective etching of high-k HfO_2 films over Si in hydrogen-added fluorocarbon (CF_4/Ar/H_2 and C_4F_8/Ar/H_2) plasmas2006
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. A Vol24,No.3
  
  ページ: 437-443
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Selective etching of high-k HfO_2 films over Si in hydrogen-added fluorocarbon (CF_4/Ar/H_2 and C_4F_8/Ar/H_2) plasmas2006
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, K Ono
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.A Vol.24, No.3(in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Plasma Diagnostics and Thrust Performance Analysis of a Microwave-Excited Microplasma Thruster2006
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl. Phys. Vol.45, No.10B
  
  ページ: 8235-8240
- NAID
  10018339427
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] Profile simulation model including ion reflection on feature surfaces during plasma etching2006
- 著者名/発表者名
  S.Irie, Y.Osano, M.Mori, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proc. 6th Int. Symp. Dry Process
  
  ページ: 35-36
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Plasma etching of high-k and metal gate materials2006
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Kitagawa, K.Osari, K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Vacuum Vol.80, No.7
  
  ページ: 761-767
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Plasma distribution in a planar-type surface wave-excited plasma source2006
- 著者名/発表者名
  H.Kousaka, K.Ono, N.Umemura, I Sawada, K.Ishibashi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] Selective etching of high-k HfO_2 films over Si in hydrogen-added fluorocarbon (CF_4/Ar/H_2 and C_4F_8/Ar/H_2) plasmas2006
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. A Vol.24, No.3
  
  ページ: 437-443
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Etching of High-k Dielectric HfO_2 Films in BCl_3-Containing Plasmas Enhanced with O_2 Addition2006
- 著者名/発表者名
  T.Kitagawa, K.Nakamura, K.Osari, K.Takahashi, K.Ono, M.Oosawa, S.Hasaka, M.Inoue
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys., Part 2 Vo.45, No.10
- NAID
  10018158543
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] An Atomic Scale Model of Multilayer Surface Reactions and the Feature Profile Evolution during Plasma Etching2005
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys., Part 1 Vol.44, No.12
  
  ページ: 8650-8660
- NAID
  10016959476
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Microwave-sustained miniature plasmas for an ultra small thruster2005
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (in press)
- NAID
  120005553870
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14655364
[雑誌論文] Microwave-Excited High-Density Plasma Column Sustained Along Metal Rod at Negative Voltage2005
- 著者名/発表者名
  H.Kousaka, N.Umemura, K.Ono, J.Xu
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys., Part 2 Vol.44,No.36
- NAID
  130004766234
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] Microwave-sustained miniature plasmas for an ultra small thruster2005
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (in press)
- NAID
  120005553870
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] An Atomic Scale Model of Multilayer Surface Reactions and the Feature Profile Evolution during Plasma Etching2005
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44 [submitted]
- NAID
  10016959476
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Plasma Etching of High-k and Metal Gate Materials2005
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 雑誌名
  
  Proc.8th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, ISSP-2005, Kanazawa, Japan (Vacuum Society of Japan, 2005) PP2-5 [in press]
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Plasma Etching of High-k and Metal Gate Materials2005
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 雑誌名
  
  Proc.8th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, ISSP-2005, Kanazawa, Japan, 2005, Paper PP2-5 (in press)
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Etching characteristics of high-k dielectric HfO_2 thin films in inductively coupled fluorocarbon plasmas2005
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, K.Ono, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. A Vol.23, No.6
  
  ページ: 1691-1697
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] An Atomic Scale Model of Multilayer Surface Reactions and the Feature Profile Evolution during Plasma Etching2005
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys., Part 1, Vol.44, No.12
  
  ページ: 8650-8660
- NAID
  10016959476
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Etching characteristics of high-k dielectric HfO_2 thin films in inductively coupled fluorocarbon plasmas2005
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, K.Ono, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.A Vol.23, No.6
  
  ページ: 1691-1697
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] An Atomic Scale Model of Multilayer Surface Reactions and the Feature Profile Evolution during Plasma Etching2005
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44(submitted)
- NAID
  10016959476
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] マイクロプラズマスラスターの研究開発2005
- 著者名/発表者名
  鷹尾祥典, 斧高一
- 雑誌名
  
  高温学会誌第31巻,第5号
  
  ページ: 283-290
- NAID
  10029253309
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] An Atomic Scale Model of Multilayer Surface Reactions and the Feature Profile Evolution during Plasma Etching2005
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 Vol.44, No.12
  
  ページ: 8650-8660
- NAID
  10016959476
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Optical emission spectroscopy of a microwave-excited plasma source for very small propulsion2004
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  Bulletin of the American Physical Society Vol.49,No.5
  
  ページ: 40-40
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14655364
[雑誌論文] 誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率HfO_2薄膜のエッチング2004
- 著者名/発表者名
  高橋和生, 斧高一, 節原裕一
- 雑誌名
  
  表面技術 Vol.55 No.12
  
  ページ: 793-799
- NAID
  10014096314
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Low-Temperature Activation of Ion Implanted Nano-Scale Dopant Layer for Ultra-Shallow Semiconductor Junction Formation by Nonequillibrium Phonon Exitation Processes2004
- 著者名/発表者名
  Y.Setsuhara, M.Hashida, M.Fujita, K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Ninth International conference on Plasma Surface Engineering(Garmisch-Partenkirchen, Germany, September 13-17,2004)
  
  ページ: 372-372
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360388
[雑誌論文] Development and Modeling of a Microwave-Excited Microplasma Thruster2004
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 40th Joint Propulsion Conference, Fort Lauderdale, Florida, July,2004
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] 半導体シミュレーションとTCAD2004
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 雑誌名
  
  プラズマ・核融合学会誌 Vol.80 No.11
  
  ページ: 909-918
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Etching of High Dielectric Constant HfO_2 Thin Films in Inductively Coupled Fluorocarbon Plasmas2004
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, K.Ono, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  J.Surface Finishing Soc.Jpn.[in Japanese] Vol.55, No.12
  
  ページ: 793-799
- NAID
  10014096314
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Optical emission spectroscopy of a microwave-excited plasma source for very small propulsion2004
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  Bulletin of the American Physical Society Vol.49,No.5
  
  ページ: 40-40
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] Development and Modeling of a Microwave-Excited Microplasma Thruster2004
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 40th Joint Propulsion Conference, Fort Lauderdale, Florida, July, 2004
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14655364
[雑誌論文] Low-Temperature Activation of Ion Implanted Nano-Scale Dopant Layer for Ultra-Shallow Semiconductor Junction Formation by Nonequilibrium Phonon Excitation Processes2004
- 著者名/発表者名
  Y.Setsuhara, M.Hashida, M.Fujita, K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Ninth International Conference on Plasma Surface Engineering (Garmisch-Partenkirchen, Germany, September 13-17)
  
  ページ: 372-372
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360388
[雑誌論文] Selective etching of HfO_2 high-κ gate materials over Si in C_4F_8/Ar/H_2 plasmas2004
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 4th International Symposium on Dry Process, DPS-2004,Tokyo, Japan, November 2004
  
  ページ: 369-274
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Numerical Simulation and Technology Computer-Aided Design of Plasma Processing for the Fabrication of Semiconductor Micro-electronic Devices2004
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 雑誌名
  
  J.Plasma Fusion Res.[in Japanese] Vol.80, No.11
  
  ページ: 909-918
- NAID
  110003827635
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Miniature electrothermal thruster using microwaxe-excited plasmas : A numerical design consideration and experiment2004
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 24th International Symposium. on Space Technology and Science, Miyazaki, Japan, June 2004
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16040211
[雑誌論文] A model of multilayer surface reactions and simulation of the feature profile evolution during etching of silicon in chlorine plasmas2004
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, K.Ono
- 雑誌名
  
  Abstracts of the 51st International Symposium of the American Vacuum Society, Anaheim, California, November, 2004
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Miniature electrothermal thruster using microwaxe-excited plasmas : A numerical design consideration and experiment2004
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 24th International Symposium. on Space Technology and Science, Miyazaki, Japan, June 2004
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14655364
[雑誌論文] 半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD2004
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 雑誌名
  
  プラズマ・核融合学会誌 Vol.80 No.11
  
  ページ: 909-918
- NAID
  110003827635
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] A Numerical Analysis of RF Discharges and Particle Transport in the Sheath and Microstructures on the Substrate2003
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, T.Nomura, K.Miki, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proc.16th International Symposium on Plasma Chemistry, ISPC-16, Taormina, Italy, 2003, Paper Po3.46/ISPC-478
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] A Numerical Analysis of RF Discharges and Particle Transport in the Sheath and Microstructures on the Substrate2003
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, T.Nomura, K.Miki, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proc.16th International Symposium on Plasma Chemistry, ISPC-16, Taormina, Italy Po3.46/ISPC-478
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] NONEQUILIBRIUM FORMATION OF NANOSCALE ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS BY COHERENT PHONON EXCITATION PROCESS2003
- 著者名/発表者名
  Y.Setsuhara, M.Hashida, M.Fuita, S.Adachi, B.Mizuno, K.Takahashi, K.Nogi, K.Ono
- 雑誌名
  
  International Conference on the Characterization and Control of Interfaces for High Quality Advanced Materials, Kurashiki, Japan, September 24-27
  
  ページ: 91-91
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360388
[雑誌論文] Profile Simulation Model for Nanometer-Scale Control of Critical Dimensions and Etched Profiles2002
- 著者名/発表者名
  A.Sano, K.Ono, K.Takahashi, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  Proc.2nd International Symposium on Dry Process, DPS-2004, Tokyo (IEEJ, Tokyo, 2002)
  
  ページ: 177-182
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Profile Simulation Model for Nanometer-Scale Control of Critical Dimensions and Etched Profiles2002
- 著者名/発表者名
  A.Sano, K.Ono, K.Takahashi, Y.Setsuhara
- 雑誌名
  
  Proc.2nd International Symposium on Dry Process, DPS-2004, Tokyo, Japan 2002
  
  ページ: 177-182
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14380209
[雑誌論文] Etching Technology of High Dielectric Constant (High-k) and Metal Gate Materials
- 著者名/発表者名
  K.Ono, K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Semiconductor Technology Outlook 2007, Chap.4, Sec.4.5 (Electronic Journal, Tokyo, 2007)[in Japanese] (in press)
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[産業財産権] 半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法2011
- 発明者名
  斧高一,北川智洋,井上實,大沢正典
- 権利者名
  京都大学,太陽日酸株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 取得年月日
  2011-10-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[産業財産権] ワイヤー状構造をもつ半導体の製造方法及び製造装置2009
- 発明者名
  太田裕朗,斧高一
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2009-06-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] プラズマエッチングにおける表面ナノ周期構造の形成2018
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 学会等名
  応用物理学会第206回シリコンテクノロジー研究会, 東京
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] Surface ripple formation during plasma etching of silicon2017
- 著者名/発表者名
  K. Ono, N. Nakazaki, H. Tsuda, Y. Takao, and K. Eriguchi
- 学会等名
  70th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC2017), Pittsburgh, PA, U.S.A.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] Plasma-surface interactions in nanofabrication and space exploration2017
- 著者名/発表者名
  K. Ono
- 学会等名
  14th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, ISSP 2017, Kanazawa, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] Origin of Plasma-Induced Surface Roughening and Ripple Formation during Plasma Etching of Silicon: A Monte Carlo Study2017
- 著者名/発表者名
  K. Ono, T. Hatsuse, N. Nakazaki, H. Tsuda, Y. Takao, and K. Eriguchi
- 学会等名
  34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 年月日
  2017-01-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] Origin of plasma-induced surface roughening and ripple formation during plasma etching2016
- 著者名/発表者名
  K. Ono, N. Nakazaki, H. Tsuda, Y. Takao, and K. Eriguchi
- 学会等名
  69th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC2016)
- 発表場所
  Bochm, Germany
- 年月日
  2016-10-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] プラズマプロセス誘起ダメージによるデバイス特性劣化の包括的モデル2016
- 著者名/発表者名
  江利口浩二、斧高一
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
- 発表場所
  宝塚大学梅田キャンパス
- 年月日
  2016-02-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] 層間絶縁膜へのプラズマダメージの電気的解析手法2016
- 著者名/発表者名
  西田健太郎、岡田行正、鷹尾祥典、江利口浩二、斧高一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Surface orientation dependence of plasma-induced ion bombardment damage in Si substrate2015
- 著者名/発表者名
  Y. Okada, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 37th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Hyogo, Japan
- 年月日
  2015-11-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Surface Orientation Dependence of Ion Bombardment Damage during Plasma Processing2015
- 著者名/発表者名
  Y. Okada, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol.
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2015-06-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Surface rippling by oblique ion incidence during plasma etching of silicon: Experimental demonstration using sheath control plates2015
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, H. Matsumoto, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  68th Annual Gaseous Electronics Conference / 9th International Conference on Reactive Plasmas / 33rd Symposium on Plasma Processing (GEC2015/ICRP-9/SPP-31)
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, U.S.A.
- 年月日
  2015-10-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] Plasma-induced surface roughening and ripple formation during plasma etching of silicon2015
- 著者名/発表者名
  K. Ono
- 学会等名
  American Vacuum Society 62nd International Symposium (AVS2015)
- 発表場所
  San Jose, California, U.S.A.
- 年月日
  2015-10-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] A new evaluation method to characterize low-k dielectric damage during plasma processing2015
- 著者名/発表者名
  K. Nishida, Y. Okada, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 37th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Hyogo, Japan
- 年月日
  2015-11-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Plasma-surface interactions for top-down and bottom-up nanofabrication2015
- 著者名/発表者名
  K. Ono
- 学会等名
  68th Annual Gaseous Electronics Conference / 9th International Conference on Reactive Plasmas / 33rd Symposium on Plasma Processing (GEC2015/ICRP-9/SPP-31)
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, U.S.A.
- 年月日
  2015-10-14
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] Experimental demonstration of oblique ion incidence with sheath control plates during plasma etching of silicon2015
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, H. Matumoto, S. Sonobe, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  37th International Symposium on Dry Process (DPS2015)
- 発表場所
  Awaji Island, Hyogo, Japan
- 年月日
  2015-11-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] Plasma-induced photon irradiation damage on low-k dielectrics enhanced by Cu-line layout2015
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda, A. Tanihara, N. Yamamoto, S. Kasai, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol.
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2015-06-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Impacts of plasma process parameters on mechanical properties of c-BN thin-films2014
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, S. Hasegawa, M.Yamashita, Y. Takao, N. Terayama, K. Ono
- 学会等名
  The 8th Int. Conf. Reactive Plasmas / 31st Symp. Plasma Processing, 5B-AM-O2
- 年月日
  2014-02-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] プラズマ誘起 Si 基板ダメージの熱処理回復過程の検討(1)2014
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 深沢正永, 鷹尾祥典, 辰巳哲也, 斧高一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] プラズマチャージングダメージによる MOSFET ランダムテレグラフノイズ(RTN)特性の変動2014
- 著者名/発表者名
  亀井政幸, 江利口浩二, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Improved hardness and electrical property of c-BN thin films by magnetically enhanced plasma ion plating technique2013
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, Y. Takao, N. Terayama, K. Ono
- 学会等名
  Dry Process Symposium
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Effects of Plasma-Induced Si Damage Structures on Annealing Process Design-Gas Chemistry Impact2013
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, M. Fukasawa, Y. Takao, K. Eriguchi, T. Tatsumi, K. Ono
- 学会等名
  AVS 60th International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  Long Beach, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Effects of Plasma-Induced Si Damage Structures on Annealing Process Design-Gas Chemistry Impact2013
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, M. Fukasawa, Y. Takao, K. Eriguchi, T. Tatsumi, K. Ono
- 学会等名
  AVS 60th International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  the Long Beach Convention Center, California, USA
- 年月日
  2013-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Plasma Etch Challenges for Nanoscale Device Fabrication : Modeling, Analysis, and Control of Plasma-Surface Interactions2013
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)
- 発表場所
  Jeju, South Korea (韓国,済州島)
- 年月日
  2013-08-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Atomistic simulations of plasma process-induced Si substrate damage - Effects of substrate bias-power frequency2013
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol.
- 発表場所
  Pavia, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Molecular dynamics simulation of plasma-induced Si substrate damage : Latent defect structures and bias-frequency effects2013
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  The 66th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC)
- 発表場所
  Princeton, New Jersey
- 年月日
  2013-10-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Molecular dynamics simulation of plasma-induced Si substrate damage: Latent defect structures and bias-frequency effects2013
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, and K. Ono
- 学会等名
  The 66th Annual Gaseous Electronics Conference
- 発表場所
  Princeton, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Surface Roughening during Si Etching in Inductively Coupled Cl2 Plasmas: Experimental Investigations and a Comparison with Numerical Simulations2013
- 著者名/発表者名
  (H. Tsuda), N. Nakazaki, D. Fukushima, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  6th International Conference on Plasma-Nanotechnology Science (IC-PLANTS2013)
- 発表場所
  Gero, Gifu, Japan
- 年月日
  2013-02-03
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] micro-Photoreflectance spectroscopy for microscale monitoring of plasma-induced physical damage2013
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Dry Process Symposium
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Formation Mechanisms of Nanoscale Surface Roughness and Rippling during Plasma Etching and Sputtering of Si under Oblique Ion Incidence2012
- 著者名/発表者名
  (H. Tsuda), Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  American Vacuum Society 59th International Symposium (AVS2012)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2012-10-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Plasma Etching for Nanofabrication : Fundamentals, Current Status, and Future Prospects2012
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  11th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST 2012) and 25th Symposium on Plasma Science for Materials SPSM25)
- 発表場所
  Kyoto, Japan (京都市)
- 年月日
  2012-10-02
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Plasma Etching for Nanofabrication: Fundamentals, Current Status, and Future Prospects2012
- 著者名/発表者名
  (K. Ono)
- 学会等名
  11th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST2012) and 25th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM25)
- 発表場所
  Kyoto University, Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-10-02
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Surface Roughening and Rippling during Plasma Etching2012
- 著者名/発表者名
  (K. Ono)
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
- 年月日
  2012-09-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Surface Roughening and Rippling during Plasma Etching2012
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials (IUMRSICEM 2012)
- 発表場所
  Yokohama, Japan (横浜市)
- 年月日
  2012-09-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Hを含むプラズマによるSi基板ダメージ構造とその回復プロセスについての検討2012
- 著者名/発表者名
  中久保義則, 松田朝彦, 深沢正永, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 辰巳哲也, 斧高一
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Molecular Dynamics Analysis of Si Etching with Cl and Br Beams: Ion Incident Angle and Neutral Radical Flux Dependence2012
- 著者名/発表者名
  (N. Nakazaki), H. Tsuda, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  American Vacuum Society 59th International Symposium (AVS2012)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2012-10-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si 基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析2012
- 著者名/発表者名
  松田朝彦, 中久保義則, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(IEICE-SDM)
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2012-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Improvement in the Evaluation Technique for Plasma-Etch Si Damage using Photoreflectance Spectroscopy with Temperature Control2011
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  AVS 58th International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  USA
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Plasma-Surface Interactions for Materials Nanofabrication and Space, Propulsion : A Unified Study for Technology Developments and Future2011
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  Plasma Conference 2011 (PLASMA 2011)
- 発表場所
  Kanazawa, Japan(招待講演)
- 年月日
  2011-11-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Plasma-Surface Interactions for Materials Nanofabrication and Space Propulsion : A Unified Study for Technology Developments and Future Progress2011
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  Plasma Conference 2011 (PLASMA 2011)
- 発表場所
  Kanazawa, Japan (金沢市)
- 年月日
  2011-11-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] 物理的プラズマダメージによるMOSFETオフリーク電流とそのバラツキの増大モデル2011
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  第16回研究会ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 招待講演
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2011-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] 高誘電率(High-k)材料のドライエッチング2011
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 学会等名
  応用物理学会2011年(H23年)秋季第72回学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形)(招待講演)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[学会発表] 物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル2011
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 中久保義則, 松田朝彦, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] 高誘電率(High-k)材料のドライエッチング2011
- 著者名/発表者名
  斧高一
- 学会等名
  応用物理学会2011年(平成23年)秋季第72回学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市).
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[学会発表] Defect Profiling Using a Wet-Etch Technique and Photoreflectance Spectroscopy for He- and Ar-Plasma-Damaged Si Substrate2011
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011)
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2011-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] A New Prediction Model for Effects of Plasma-Induced Damage on Parameter Variations in Advanced LSIs2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Proc.Int.Conf.on Integrated Circuit Design & Technol.(ICICDT)
- 発表場所
  Taiwan
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討2011
- 著者名/発表者名
  中久保義則, 江利口浩二, 松田朝彦, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] A New Prediction Model for Effects of Plasma-Induced Damage on Parameter Variations in Advanced LSIs2011
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, Y. Takao, K.Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2011-05-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Defect Profiling Using a Wet-Etch Technique and Photoreflectance Spectroscopy for He-and Ar-Plasma-Damaged Si Substrate2011
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Proc.33rd International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2011-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Modeling the Effects of Plasma-Induced Physical Damage on Subthreshold Leakage Current in Scaled MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  IEEE Int.Conf.on Integrated Circuit Design&Technol
- 発表場所
  フランス/グルノーブル
- 年月日
  2010-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Trade-off relationship between Si recess and defect density formed by plasma-induced damage in planar MOSFETs and the optimization strategies2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling the Effects of Plasma-Induced Physical Damage on Subthreshold Leakage Current in Scaled MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Int.Conf.on Integrated Circuit Design & Technology
- 発表場所
  フランス/グルノーブル
- 年月日
  2010-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Plasma-surface interactions in plasma etching processes for nanometer-scaled microelectronic devices2010
- 著者名/発表者名
  K. Ono
- 学会等名
  63rd Annual Gaseous Electronics Conference(GEC2010) and 7th International Conference on ReactivePlasmas(ICRP-7)
- 発表場所
  Paris, France(フランス,パリ市).
- 年月日
  2010-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[学会発表] Plasma-surface interactions in plasma etching processes for nanometer-scale microelectronic devices2010
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  63rd Gaseous Electronics Conference (GEC2010) and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-7)
- 発表場所
  Paris, France(招待講演)
- 年月日
  2010-10-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process 2010
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] プラズマによるSi基板ダメージとMOSデバイス特性劣化の相関モデル2010
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 中久保義則, 松田朝彦, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Plasma-surface interactions in plasma etching processes for nanometer-scale microelectronic devices2010
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  63rd Annual Gaseous Electronics Conference (GEC2010) and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-7)
- 発表場所
  Paris, France (フランス,パリ市)
- 年月日
  2010-10-07
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] A Model for Effects of RF Bias Frequency and Waveform on Si Damage d-Layer Formation during Plasma Etching2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Proc.63rd Gaseous Electronics Conference (GEC) and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)
- 発表場所
  フランス/パリ
- 年月日
  2010-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Symp. Dry Process
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Trade-off relationship between Si recess and defect density formed by plasma-induced damage in planar MOSFETs and the optimization strategies2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process 2010
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] A Model for Effects of RF Bias Frequency and Waveform on Si Damaged-Layer Formation during Plasma Etching2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Proc.63rd Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas
- 発表場所
  フランス/パリ
- 年月日
  2010-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Plasma-surface interactions in plasma etching of high-k dielectrics and metal electrode materials2010
- 著者名/発表者名
  K. Ono
- 学会等名
  10th Asia-Pacific Conference on Plasma Science andTechnology(APCPST2010) and 23rd Symposium on Plasma Science for Materials(SPSM23)
- 発表場所
  Jeju, SouthKorea(韓国,済州島).
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[学会発表] Effects of Plasma Process Fluctuation on Variation in MOS Device Parameters2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Plasma-Nanotechnology&Science 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Study of Wet-Etch Rate of Plasma-Damaged Surface and Interface Layers and Residual Defect Sites2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Effects of Plasma Process Fluctuation on Variation in MOS Device Parameters2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Plasma-surface interactions in plasma etching of high-k dielectrics and metal electrode materials2010
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  10th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST2010) and 23rd Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM23)
- 発表場所
  Jeju, South Korea [韓国,済州島]
- 年月日
  2010-07-05
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Plasma-surface interactions in plasma etching of high-k dielectrics and metal electrode materials2010
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  10th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology(APCPST2010)and 23rd Sympo-sium on Plasma Science for Materials(SPSM23)
- 発表場所
  Jeju, South Korea
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[学会発表] Study of Wet-Etch Rate of Plasma-Damaged Surface and Interface Layers and Residual Defect Sites2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process 2010
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] プラズマプロセスにおけるSi基板ダメージ層形成モデルの提案2010
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 中久保義則, 松田朝彦, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Proceedings of 31st International Symposium on Dry Process, 2009, pp. 267-268
- 発表場所
  韓国釜山
- 年月日
  2009-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Assessment of Ion-Bombardment Damage in Plasma-Exposed Si by Interface Layer Thickness and Charge-Trapping Defects2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Plasma Nano-Surface Engineering for Advanced Gate Etch Process in ULSI Device Fabrication2009
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  7th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2009), Busan, South Korea.
- 発表場所
  Busan, South Korea
- 年月日
  2009-09-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Simulation and Experimental Study on the Characteristics of Plasma-Induced Damage and Methodology for Accurate Damage Analysis2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, R.Ogino, H.Ohta, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  IEEE Int.Conf.on Integrated Circuit Design&Technol
- 発表場所
  米国/オースチン
- 年月日
  2009-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Effects of O_2 addition on Si substrate surface damage exposed to Ar plasma2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会館
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process, 2009
- 発表場所
  韓国/釜山
- 年月日
  2009-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Detailed Analysis of Plasma-Damaged Layer and Its Significance in Si Surface Structures by Spectroscopic Ellipsometry and Molecular Dynamics Simulations2009
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, R. Ogino, Y. Nakakubo, H. Ohta., K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会
- 発表場所
  名古屋大学豊田講堂・シンポシオン
- 年月日
  2009-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling of Ion-Bombardment Damage on Si Surfaces for In-Line Analysis2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会館
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Identification of Carrier Trapping Defect Sites in Plasma-Exposed Si Surface by Optical and Electrical Techniques2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nakakubo, A. Mtsuda, R. Ogino, M. Kamei, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会
- 発表場所
  名古屋大学豊田講堂・シンポシオン
- 年月日
  2009-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Si表面のプラズマダメージの精確な解析における界面層の重要性2009
- 著者名/発表者名
  松田朝彦, 荻野力, 中久保義則, 太田裕朗, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Bias frequency dependence of pn junction chargin damage induced by plasma processing2009
- 著者名/発表者名
  M.Kamei, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会館
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Effects of O2 addition on Si substrate surface damage exposed to Arplasma2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会館
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Si表面のプラズマダメージの精確な解析における界面層の重要性2009
- 著者名/発表者名
  松田朝彦, 荻野力, 中久保義則, 太田裕朗, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  ・2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Plasma Nano-Surface Engineering for Advanced Gate Etch Process in ULSI Device Fabrication2009
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  7th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2009)
- 発表場所
  Busan, Korea (韓国,釜山市)
- 年月日
  2009-09-23
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Plasma Nano-Surface Engineering for Advanced Gate Etch Process in ULSIDevice Fabrication2009
- 著者名/発表者名
  K. Ono
- 学会等名
  7th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering(AEPSE2009)
- 発表場所
  Busan, South Korea(韓国,釜山市).
- 年月日
  2009-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[学会発表] 02添加ArプラズマによるSi基板表面層内誘起欠陥の電気的解析2009
- 著者名/発表者名
  中久保義則, 松田朝彦, 荻野力, 上田義法, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  ・2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] A study of plasma-surface Interactions in advanced plasma etching nrocesses for nanofabrication2009
- 著者名/発表者名
  K.Ono
- 学会等名
  The 22nd Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-22)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2009-06-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[学会発表] O_2添加ArプラズマによるSi基板表面層内誘起欠陥の電気的解析2009
- 著者名/発表者名
  中久保義則, 松田朝彦, 荻野力, 上田義法, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Identification of Carrier Trapping Defect Sites in Plasma-Exposed Si Surface by Optical and Electrical Techniques2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, R.Ogino, M.Kamei, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会
- 発表場所
  名古屋大学豊田講堂・シンポジオン
- 年月日
  2009-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling of Ion-Bombardment Damage on Si Surfaces for In-Line Analysis2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Microwave-Excited Microplasma Thruster: A Numerical and Experimental Study of the Plasma Generation and Micronozzle Flow2007
- 著者名/発表者名
  K. Ono
- 学会等名
  4th Int. Workshop on Microplasmas (4th IWM)
- 発表場所
  Tainan, Taiwan
- 年月日
  2007-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[学会発表] Surface roughening during Si etching in inductively coupled Cl2 plasmas
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Molecular Dynamics Analysis of Si Etching in HBr-based Plasmas: Ion Incident Energy and Angle Dependence
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  AVS 60th International Symposium (AVS2013)
- 発表場所
  Long Beach, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Impacts of Plasma-induced Charging Damage on Random Telegraph Noise (RTN) Behaviors in MOSFETs with SiO 2 and High-k Gate Dielectrics
- 著者名/発表者名
  M. Kamei, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Low-temperature microwave repairing for plasma-induced local defect structures near Si substrate surface
- 著者名/発表者名
  T. Iwai, K. Eriguchi, S. Yamauchi, N. Noro, J. Kitagawa, K. Ono
- 学会等名
  36th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Molecular dynamics simulation of etch by-product ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  26th Symposium on Plasma Science & Materials (SPSM26)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] A New Aspect of Plasma‐Induced Physical Damage in Three‐Dimensional Scaled Structures
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  IEEE Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT)
- 発表場所
  Austin, TX, USA
- 年月日
  2014-05-29 – 2014-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] μ-Photoreflectance spectroscopy for microscale monitoring of plasma-induced physical damage
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] A model for plasma-induced latent defects in three-dimensional structures and its application to parameter variation analysis of FinFETs
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  36th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Plasma-Induced Damage in 3D Structures behind Device Scaling
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  Plasma Etch and Strip in Microtechnology (PESM)
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Effects of ion energy on surface and mechanical properties of BN films formed by a reactive plasma-assisted coating method
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, S. Hasegawa, M. Yamashita, K. Ono
- 学会等名
  36th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Atomistic simulations of plasma process-induced Si substrate damage - Effects of substrate bias-power frequency
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT)
- 発表場所
  Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Comprehensive Evidence-based Guidelines for Annealing Plasma- damaged Si Substrates -Impact of plasma process conditions-
- 著者名/発表者名
  M. Fukasawa, A. Matsuda, Y. Nakakubo, S. Sugimura, K. Nagahata, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono, T. Tatsumi
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Optimization problems for plasma-induced damage - A concept for plasma-induced damage design
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, Y. Nakakubo, A. Matsuda, M. Kamei, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT)
- 発表場所
  Austin, Texas
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Scenario of plasma-induced physical damage in FinFET-the effects of "straggling" of incident ions by a range theory-
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Experimental evidence of layout-dependent low-k damage during plasma processing - Role of "near-field" in damage creation -
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda, K. Eriguchi, A. Tanihara, S. Kasai, K. Ono
- 学会等名
  36th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Molecular Dynamics Analysis of Surface Reaction Kinetics during Si Etching in Cl-based Plasmas
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  66th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC2013)
- 発表場所
  Princeton, NJ, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Plasma Etch Challenges for Nanoscale Device Fabrication: Modeling, Analysis, and Control of Plasma-Surface Interactions
- 著者名/発表者名
  K. Ono
- 学会等名
  9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)
- 発表場所
  Jeju, South Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Improved hardness and electrical property of c-BN thin films by magnetically enhanced plasma ion plating technique
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, Y. Takao, N. Terayama, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Three-Dimensional Parameter Mapping of Annealing Process for HBr/O_2 -Plasma- Induced Damages in Si Substrates
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, M. Fukasawa, Y. Takao, T. Tatsumi, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 34th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Molecular dynamics analysis of Si etching in HBr-based Plasmas: Effects of neutral radicals
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  35th International Symposium on Dry Process (DPS 2013)
- 発表場所
  Jeju, South Korea
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008

1. 江利口浩二 (70419448)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 159件
2. 高橋和生 (50335189)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 19件
3. 節原裕一 (80236108)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 13件
4. 鷹尾祥典 (80552661)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 59件
5. 白谷正治 (90206293)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 寺嶋和夫 (30176911)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 白藤立 (10235757)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 佐々木浩一 (50235248)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
9. 伊藤昌文 (10232472)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 杤久保文嘉 (90244417)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 後藤元信 (80170471)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 永津雅章 (20155948)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 小松正二郎 (60183810)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 内田諭 (90305417)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 太田貴之 (10379612)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 古閑一憲 (90315127)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 橘邦英 (40027925)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 中村敏浩 (90293886)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 八坂保能 (30109037)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 三宅正司 (40029286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 庄司多津男 (50115581)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 藤田雅之 (30260178)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
23. 橋田昌樹 (50291034)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
24. 長谷川繁彦 (50189528)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 熊谷正夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 野間正男

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 太田裕朗

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
28. 緒方潔

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

斧 高一 Ono Kouichi

研究課題

研究成果

共同研究者

プラズマによる表面ナノ周期構造形成に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

プラズマと薄膜表面・界面の階層的複合反応制御による次世代ナノ加工技術の構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノスケールのプラズマ微細加工技術開発のためのプラズマ・固体表面相互作用の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

マイクロプラズマスラスタの研究開発:高温反応場と高速流れ場の競合現象の解明と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

塩素・臭素系混合プラズマの気相および固体表面におけるプラズマ化学の解明と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

マイクロプラズマスラスターの研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

表面波励起プラズマを用いた超小型プラズマスラスターの研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

プラズマプロセスにおける超微細構造内の粒子輸送と表面反応過程の解明と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

斧高一 Ono Kouichi

[図書] プラズマプロセス技術 (第4章ナノエッチング技術, 分担執筆)2017

[図書] High-k 膜のドライエッチングナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術-成膜技術と膜・界面の物性科学-, 第5編, 第4章2012

[図書] プラズマエッチングにおける表面反応機構マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術式田光宏他監修, 第二編, 第2章2009

[図書] 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」,式田光宏・佐藤一雄・田中浩監修第二編,第2章"プラズマエッチングにおける表面反応機構"2009

[図書] 「2007半導体テクノロジー大全」第4編第4章第5節"高誘電体/電極材料エッチング技術"2007

[図書] 2007半導体テクノロジー大全(第4編第4章第5節"高誘電体/電極材料エッチング技術")2007