• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

吉川 明彦  YOSHIKAWA Akihiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20016603
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2014年度: 千葉大学, 学術研究推進機構・産業連携研究推進ステーション, 特任教授
2012年度 – 2013年度: 千葉大学, 産学連携・知的財産機構, 特任教授
2007年度 – 2011年度: 千葉大学, 大学院・工学研究科, 教授
2010年度: 千葉大学, 工学部, 教授
2008年度: 千葉大学, 工学研究科, 教授 … もっと見る
2006年度 – 2007年度: 千葉大学, 工学部, 教授
2001年度 – 2004年度: 千葉大学, 工学部, 教授
1989年度 – 1996年度: 千葉大学, 工学部, 教授
1986年度 – 1988年度: 千葉大学, 工学部, 助教授
1986年度: 千葉大, 工学部, 助教授
1985年度: 千葉大学, 工, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系
研究代表者以外
応用物性 / 理工系
キーワード
研究代表者
化合物半導体 / MOVPE / ZnSe / 青色発光素子 / II-VI族化合物 / MOCVD / 表面光干渉法 / 物質設計 / エピタキシー / セレン化亜鉛 … もっと見る / SPI / 光プローブ / GaAs / ホトルミネッセンス / 塩素添加ZnS / アルミ添加ZnS / リチウム添加ZnSe / P型ZnSe / 太陽電池 / 超格子 / 窒化インジウム / 窒化物半導体 / 半導体光スイッチ / (IIaーVIb) / Chlorine-doped ZnS / Aluminium-doped ZnS / Low-Resistivity ZnS / Lithium-doped Znse / p-type ZnSe / Blue Light-Emitting-Devices / 有機金属化学気相成長法 / 【II】-【VI】族化合物 / 低抵抗ZnS / ZnO / InN / AlN / GaN / Wide bandgap semiconductors / Crystal Polarity / Epitaxy / III-V nitrides / -族窒化物 / 分子線エピタキシー / 窒化カリウム / 酸化亜鉛 / 窒化アルミニュウム / 窒化ガリウム / ワイドギャップ化合物半導体 / 結晶極性 / III-V族窒化物 / REFLECTANCE DIFFERENCE / SURFACE PHOTO INTERFRENCE / BLUE LIGHT DEVICES / OPTICAL PROBE / II-VI COMPOUNDS / COMPOUND SEMICONDUCTOR / 反射率差法 / 青色発光デバイス / zinc selenide / hetero epitaxy / compound semiconductors / suface photo-interference / optical probing / real time monitoring / 結晶成長 / ヘテロエピタキシ- / その場観察 / SPA / MOMBE / Atomic layer epitaxy / Photocatalysis / Compound semiconductors / Superlattices / (III-V)-(II-VI)超格子 / 有機金属分子線エピタキシ- / 有機金属分子線エピキシ- / 原子層エピタキシ- / 光励起CVD / (IIIーV)ー(IIーVI)超格子 / チッ素添加ZnSe / a-Si / 光CVD / エキシマレーザ / 薄膜・量子構造 / 貫通転位 / 分光エリプソメトリ / バンドパラメータ / 超格子・量子井戸 / 窒化インジウム(InN) / p型窒化インジウム / エピタキシ制御 / 空間・時間分解ルミネッセンス測定 / 光電子物性の赤外分光評価 / 超格子・量子構造 / 光物性・分光計測 / 短周期超格子 / MBE、エピタキシャル / ナノ構造光デバイス / 極広域分光計測 / 擬似混晶 / MBEエピタキシャル / ナノ構造デバイス / 表面・界面物性 / キャリアダイナミクス / 極広域分光 / 量子細線レーザ / ZnS)多層薄膜 / (SrS / ホットウォール成長法 / 電子励起 / プレーナドーピング / 量子箱 / 量子細線レ-ザ / (IIbーVIb)多層薄膜 / エレクトロゥミネッセンス / 補償機構 / ワイドギャップIIーVI族半導体 / 量子細線 / (IIbーVIb)超格子薄膜 / エレクトロルミネッセンス / 電子状態計算 / ワイドギャップIIーVI族化合物半導体 … もっと見る
研究代表者以外
水銀増感光CVD法 / MOMBE / 評価技術 / プロセス / デバイス / 量子構造 / 半導体 / セレン化亜鉛 / ハイブリッド励起CVD法 / Arレ-ザ励起MOVPE / II-VI Compounds / Blue light Emitting Devices / Growth Kinetics Cracking / Growth of ZnSe Films / Metalorganic Molecular Beam Epitaxy / MOCVD / 分子線エピタキシー / 【II】-【VI】族化合物半導体 / 化合物半導体 / 表面モフォロジー / II-V1化合物 / 青色発光素子 / クラッキング特性 / ZnSeの成長機構 / ZnSeの結晶成長 / 有機金属分子線エピタキシー / Characterization / Process / Device / Quantum structure / Semiconductor / characterization / process / device / quantum structure / semiconductor / 不純物添加 / カルコゲナイド / カルコゲン / 残留不純物 / 電子捕獲準位 / ヘテロ界面 / 熱分解 / 硫化亜鉛 / 有機金属分子線エピタキシャル法 / 溶液成長法 / 減圧気相成長法 / 有機金属気相成長法 / ZnSe / II-VI族化合物 / 太陽電池 / ヘテロ接合 / 格子緩和 / 表面マイグレーション / クラッキング / 成長機構 / バンドギャップ / 窒化アルミニウム / 窒化インジウム / 発光デバイス / 赤外 / 紫外 / 半導体物性 / 結晶成長 / 光デバイス / 窒化物半導体 / デュアルビーム法 / アトミックレジスト / 表面光干渉法 / ディジタル光CVD法 / レ-ザ溶融再結晶化法 / 光酸素アニ-ル / ハイブリッド励起CVD / 水素ラジカルアニ-ル / 格子整合 / アクセプタ不純物 / 歪超格子 / 減圧CVD / 溶液成長 / ALE / IIーVI族化合物半導体 隠す
  • 研究課題

    (22件)
  • 研究成果

    (283件)
  • 共同研究者

    (38人)
  •  窒化物半導体超薄膜“1分子層”量子井戸構造光素子の基盤科学技術開拓研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  極広域分光による窒化物半導体ナノデバイス構造の精密評価研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      千葉大学
  •  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2011
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      立命館大学
  •  六方晶系ワイドギャップ化合物半導体の極性制御による光電子物性の飛躍的改善の研究研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  青色半導体レーザ作製のための複合光励起有機金属気相成長技術の開発研究研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  半導体材料・デバイスの先端科学技術

    • 研究代表者
      柊元 宏
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  半導体材料・デバイスの先端科学技術

    • 研究代表者
      柊元 宏
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  光プローブによる結晶成長の原子・分子レベルの新しいその場観察法の研究-表面光干渉法-研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  新機能光デバイスのための化合物半導体の物性制御の研究研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      千葉大学
  •  膜形成の基礎研究

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  新機能光デバイスのための化合物半導体の物性制御の研究研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      千葉大学
  •  膜形成の基礎研究

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  新機能光デバイスのための化合物半導体の物性制御の研究研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      千葉大学
  •  膜形成の基礎研究

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  化合物半導体の伝導性制御に関する研究

    • 研究代表者
      青木 昌治
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  光励起原子層エピタキシ-による(IIIーV)ー(IIーVI)系超格子の作製とその物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  化合物半導体の伝導性制御に関する研究

    • 研究代表者
      青木 昌治
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  超格子薄膜を窓層に持つ高効率化合物半導体太陽電池の開発

    • 研究代表者
      葛西 晴雄
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      千葉大学
  •  MOCVDによる青色発光素子用II-VI族化合物半導体の結晶成長と伝導型制御研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      千葉大学
  •  青色発光素子用II-VI族化合物半導体の物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  エキシマレーザ誘起CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の高効率化の研究研究代表者

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1985
    • 研究種目
      エネルギー特別研究(エネルギー)
    • 研究機関
      千葉大学
  •  有機金属分子線エピキタシー法(MOMBE法)によるZnSe青色発光素子の開発

    • 研究代表者
      葛西 晴雄
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      千葉大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002 2001 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ2013

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦(監修)
    • 総ページ数
      404
    • 出版者
      培風館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [図書] 1枚の写真、極限的に薄い1分子層量子井戸による発光素子2008

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 出版者
      O plus E
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [図書] 窒化インジウム活性層の青色LED2008

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 総ページ数
      1
    • 出版者
      セラミックス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [図書] 化合物半導体の最新技術大全集・第3章8節「InN系光デバイス応用に向けたエピタキシ制御とナノ構造制御の技術動向2007

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 総ページ数
      497
    • 出版者
      (株)技術情報協会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [図書] 薄膜ハンドブック 第4章 薄膜の物性 2節4-[3](a)窒化物半導体2007

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 総ページ数
      1235
    • 出版者
      (株)オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [図書] Wide bandgap semiconductors2007

    • 著者名/発表者名
      K.Takahashi, A.Yoshikawa, and A.Sandhu, 編集著者 : A.Yoshikawa Y.Ishitani, 他66名
    • 出版者
      Springer Berlin
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [図書] Wide bandgap semiconductors(K.Takahashi, A.Yoshikawa, A.Sandhu編集)2007

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, 他66名
    • 総ページ数
      460
    • 出版者
      Springer Berlin
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Multi-bands photoconductive response in AlGaN/GaN multiple quantum wells2014

    • 著者名/発表者名
      G. Chen, X. Q. Wang, K. Fu, X. Rong, H. Hashimoto, B. S. Zhang, F. J. Xu, N. Tang, A. Yoshikawa, W. K. Ge and B. Shen
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 104 号: 17 ページ: 172108-172108

    • DOI

      10.1063/1.4874982

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [雑誌論文] Proposal for realizing high-efficiency III-nitride semiconductor tandem solar cells with InN/GaN Superstructure Magic Alloys fabricated at Raised Temperature (SMART)2014

    • 著者名/発表者名
      Kazuhide Kusakabe and Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      SPIE Proceedings Gallium Nitride Materials and Devices IX

      巻: 8986 ページ: 89861B-89861B

    • DOI

      10.1117/12.2042121

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [雑誌論文] Effect of Mg doping on the structural and free-charge carrier properties of InN films2014

    • 著者名/発表者名
      M.-Y. Xie, N. Ben Sedrine, S. Schöche, T. Hofmann, M. Schubert, L. Hung, B. Monemar, X. Wang, A. Yoshikawa, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi and V. Darakchieva
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: 115 号: 16 ページ: 163504-163504

    • DOI

      10.1063/1.4871975

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056, KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [雑誌論文] Analysis of nouradiative carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwra, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 42 号: 5 ページ: 875-881

    • DOI

      10.1007/s11664-013-2550-y

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13J04851, KAKENHI-PROJECT-23246056, KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films2011

    • 著者名/発表者名
      D.Imai, Y.Ishitani, M.Fujiwara, X.Q.Wang, K.Kusakabe, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 98

      ページ: 181901-181901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Recent advances and challenges for successful p-type control of InN films with Mg acceptor doping by molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, X.Wang, Y.Ishitani, A.Uedono
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207(5)

      ページ: 1011-1023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Recent advances and challenges for successful p-type control of InN films with Mg acceptor doping by molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A (In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Kato, H.Ogiwara, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      106

      ページ: 113515-113515

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Advances in InN epitaxy and its material control by MBE towards novel InN-based QWs2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2073-2079

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Advances in InN epitaxy and its material control by MBE towards novel InN-based QWs2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, S.B.Che, Y.Ishitani, X.Wang
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 311(7)

      ページ: 2073-2073

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Fabrication of Asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN Quantum-Well Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum-Confined Stark Effect in the Blue-Green Region2009

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, A.Yuki, H.Watanabe, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

      ページ: 21001-21001

    • NAID

      10025084321

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Search for free holes in InN : Mg-interplay between surface layer and Mg-acceptor doped interior2009

    • 著者名/発表者名
      L.H.Dmowski, X.Wang, A.Yoshikawa, 他8名
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 105

      ページ: 123713-123713

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect2009

    • 著者名/発表者名
      Q.Zhang, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他6名
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 95

      ページ: 31902-31902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] InNの結晶欠陥とキャリアダイナミクス2009

    • 著者名/発表者名
      石谷善博, 藤原昌幸, 吉川明彦
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 36

      ページ: 45-45

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in Mg-doped InN probed by means of positron annihilation2009

    • 著者名/発表者名
      A.Uedono, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他5名
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 105

      ページ: 54507-54507

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] P型伝導InN実現とその物性評価-現状と問題点について-2008

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告 108

      ページ: 45-50

    • NAID

      110007127200

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 103

      ページ: 53515-53515

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 103

      ページ: 53515-53515

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Infrared analysis of hole properties of Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, and A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 93

      ページ: 231903-231903

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Anisotropic damping of longitudinal optical phonon-plasmon coupling modes of InN films2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, M.Fujiwara, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 92

      ページ: 251901-251901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of novel monolayer InN quantum wells in a GaN matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, X.Wang, 他3名
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Tech. B26

      ページ: 1551-1551

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of novel monolayer InN quantum wells in a GaN matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa, S.B. Che, N. Hashimoto, H. Saito, Y. Ishitani, X.Q. Wang
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1551-1559

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of novel monolayer InN quantum wells in a GaN matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science and Technology B 26

      ページ: 1551-1559

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Infrared analysis of Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 93

      ページ: 231903-231903

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

      ページ: 132108-132108

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 92

      ページ: 132108-132108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Bowing of the band gap pressure coefficient in In_xGa_<1-x>N alloys2008

    • 著者名/発表者名
      G.Franssen, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他10名
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 103

      ページ: 33514-33514

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Proposal of Novel Structure Light Emitting Devices Consisting of InN/GaN MQWs with Ultrathin InN Wells in GaN Matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, S.B.Che
    • 雑誌名

      International Journal of High Speed Electronics and Systems 18

      ページ: 993-993

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Proposal of Novel Structure Light Emitting Devices Consisting of InN/GaN MQWs with Ultrathin InN Wells in GaN Matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      International Journal of High Speed Electronics and Systems 18

      ページ: 993-1003

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Systematic study on p-type doping control of InN with different Mg concentrations in both In and N polarities2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

      ページ: 242111-242111

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] InN系窒化物半導体のエピタキシ制御とナノ構造作製2007

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 雑誌名

      応用物理 第76巻、第5号

      ページ: 482-488

    • NAID

      10019926500

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Proposal and achievement of novel structure InN/GaN multiple quantum wells consisting of one monolayer and fractional monolayer InN wells inserted in GaN matrix2007

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, S.B.Che, W.Yamaguchi, H.Saito, X.Wang, Y.Ishitani, E.S.Hwang
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 90

      ページ: 73101-73101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Threading dislocations in In-polar InN films and their effects on surface morphology and electrical properties2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 90

      ページ: 151901-151901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Growth and properties of Mg-doped In-polar InN films2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 90

      ページ: 201913-201913

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] In situ spectroscopic ellipsometry and RHEED monitored growth of InN nanocolumns by molecular beam epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 301/302

      ページ: 496-496

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Proposal and achievement of novel structure InN/GaN multiple quantum wells consisting of one monolayer and fractional monolayer InN wells inserted in GaN matrix2007

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 90

      ページ: 73101-73101

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Proposal and achievement of novel structure InN/GaN multiple quantum wells consisting of one monolayer and fractional monolay InN wells inserted in GaN matrix2007

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Fabrication and properties of coherent-structure In-polarity InN /In_<0.7>Ga_<0.3>N multi-quantum wells emitting at around 1.55μm2007

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, T.Mizuno, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 102

      ページ: 83539-83539

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Broadening factors of E1(LO) phonon-plasmon coupled modes of hexagonal InN investigated by infrared reflectance measurements2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, T.Ohira, X.Q.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Physical Review B 76

      ページ: 45206-45206

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] InN系窒化物半導体のエピタキシ制御とナノ構造作製2007

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦, 他2名
    • 雑誌名

      応用物理 76

      ページ: 482-482

    • NAID

      10019926500

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Polarity inversion in high Mg-doped In-polar InN epitaxial layers2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, H.Sasaki, T.Shinagawa, S.Yoshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

      ページ: 81912-81912

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of precise control of V/III ratio on In-rich InGaN epitaxial growth2006

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, T.Shinada, T.Mizuno, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018460978

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Effect of epitaxial temperature on N-polar InN films grown by molecular beam epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 90

      ページ: 73512-73512

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Step-flow growth of In-polar InN by molecular beam epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10017653670

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [雑誌論文] Bandgap energy of InN and its temperature dependence2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.2, No.7

      ページ: 2276-2280

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers ; Comparison between N-polarity and In-polarity Growth Processes2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, K.Xu, X.Wang, M.Yoshitani, W.Terashima, N.Hashimoto
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Influence of Al-preflow in MOVPE-grown GaN films analysed by X-ray reciprocal space map2005

    • 著者名/発表者名
      B.W.Seo, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.2, No.2

      ページ: 2353-2356

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown on nitrided c-sapphire by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-Hwan Roh, Masayuki Ohsugi, Song-Bek Che, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.86

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Phonon Lifetimes and Phonon Decay in InN2005

    • 著者名/発表者名
      J.W.Pomeroy, M.Kuball, H.Lu, W.J.Schaff, X.Wang, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Bandgap energy of InN and its temperature dependence2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, S.B.Che, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.2,No.7

      ページ: 2276-2280

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE2005

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, W.Terashima, T.Ohkubo, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.2,No.7

      ページ: 2258-2262

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN Dots on N-polar GaN Grown on Vicinal c-plane Sapphire2005

    • 著者名/発表者名
      N.Hashimoto, N.Kikuwaka, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831, E4.4

      ページ: 1-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown on nitrided c-sapphire by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-Hwan Roh, Masayuki Ohsugi, Song-Bek Che, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.86, 01192

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE2005

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, W.Terashima, T.Ohkubo, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.2, No.7

      ページ: 2258-2262

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers ; Comparison between N-polarity and In-polarity Growth Processes2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, K.Xu, X.Wang, M.Yoshitani, W.Terashima, N.Hashimoto
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831, E4.1

      ページ: 1-13

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN Dots on N-polar GaN Grown on Vicinal c-plane Sapphire2005

    • 著者名/発表者名
      N.Hashimoto, N.Kikuwaka, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Fine-structure N-polarity InN/InGaN multiple quantum wells grown on GaN underlayer by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Song-Bek Che, Wataru Terashima, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy growth of Gan, AIN and InN2005

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials Vol.48

      ページ: 30-94

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, N.Hashimoto, N.Kikukawa, S.B.Che, Y.Isihtani
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.86

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, N.Hashimoto, N.Kikukawa, S.B.Che, Y.Ishitani
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.86

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy growth of GaN, AlN and InN2005

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials Vol.48

      ページ: 30-94

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Influence of Al-preflow in MOVPE-grown GaN films analysed by X-ray reciprocal space map2005

    • 著者名/発表者名
      B.W.Seo, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.2,No.2

      ページ: 2353-2356

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Growth of indium nitride quantum dots on N-polarity GaN by molecular beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS (4月18日号)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown with high temperature N-polar GaN intermediate layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      O.H.Roh, Y.Tomita, M.Ohsugi, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.12

      ページ: 2835-2838

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE-grown ZnO films on sapphire substrate with double buffer layers2004

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1 No.4

      ページ: 1022-1025

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE growth and characterization of hexagonal ZnCdMgSe layers and ZnCdSe/ZnCdMgSe QW structures on GaAs (111) substrates2004

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, Y.Kaifuchi, H.Kumada, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.3

      ページ: 475-478

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown with high temperature N-polar GaN intermediate layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      O.H.Roh, Y.Tomita, M.Ohsugi, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241, no.12

      ページ: 2835-2838

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effect of Low Temperature Thin GaN Layer on ZnO Film Grown on Nitridated c-Sapphire by Molecular Beam Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-hwan Roh, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43, No.6A

    • NAID

      10013097096

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] In-situ spectroscopic ellipsometry investigation and control of GaN growth mode in metalorganic vapor phase epitaxy at low pressures of 20 Torr2004

    • 著者名/発表者名
      B.Cao, K.Xu, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.455-456

      ページ: 661-664

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Optical characterization of hexagonal CdS layers grown on GaAs (111) by MBE : application of phase-shift-difference spectroscopy2004

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, Y.Takazawa, H.Kumada, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1,No.4

      ページ: 657-661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Properties of fundamental absorption edge of InN crystal investigated by optical reflection and transmission spectra2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, Che Song-Bek, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, T.Okubo, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241

      ページ: 2849-2853

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Surface and interface engineering in MBE-growth of ZnO epilayers on c-plane sapphire : polarity control and quality improvement of ZnO epilayers2004

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Xinqiang Wang
    • 雑誌名

      Proceedings of International Symposium on ZnO and Relative Materials and Devices

      ページ: 1-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Temperature dependence of the optical properties of InN films grown by RF-MBE2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, H.Masuyama, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, Che Song-Bek, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.798

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Rotation-domains suppression and polarity control of ZnO epilayers grown on skillfully treated C-Al_2O_3 surfaces2004

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, X.Wang, Y.Tomita, Ok-Hwan Roh, H.Iwaki, Y.Ishitani
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241, No.3

      ページ: 620-623

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers ; Comparison between N-polarity and In-polarity Growth Processes2004

    • 著者名/発表者名
      AKihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      MRS proceedings of MRS 2004 fall meeting

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE-grown ZnO films on sapphire substrate with double buffer layers2004

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1, No.4

      ページ: 1022-1025

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Temperature dependence of the optical properties of InN films grown by RF-MBE2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, H.Masuyama, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, Che Song-Bek, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.798, Y12.5

      ページ: 1-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Rotation-domains suppression and polarity control of ZnO epilayers grown on skillfully treated C-Al_2O_3 surfaces2004

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, X.Wang, Y.Tomita, Ok-Hwan Roh, H.Iwaki, Y.Ishitani
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.3

      ページ: 620-623

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE growth and characterization of hexagonal ZnCdMgSe layers and ZnCdSe/ZnCdMgSe QW structures on GaAs (111) substrates2004

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, Y.Kaifuchi, H.Kumada, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241, No.3

      ページ: 475-478

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effect of Low Temperature Thin GaN Layer on ZnO Film Grown on Nitridated c-Sapphire by Molecular Beam Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-hwan Roh, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43,No.6A

    • NAID

      10013097096

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Optical characterization of hexagonal CdS layers grown on GaAs (111) by MBE : application of phase-shift-difference spectroscopy2004

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, Y.Takazawa, H.Kumada, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1, No.4

      ページ: 657-661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Comparative Study of InN Growth on Ga- and N-polarity GaN Template by Molecular-beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, W.Terashima, T.Hara, N.Hashimoto, M.Yoshitani, B.Cao, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.sata.sol.(c) vol.0,No.7

      ページ: 2814-2817

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Infrared measurements of InN films at low temperatures2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, T.Hata, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7

      ページ: 2838-2841

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Improved crystallinity and polarity manipulation of MOVPE-grown GaN epilayers with deep sapphire-nitridation followed by Al-preflow at high temperatures2003

    • 著者名/発表者名
      B.W.Seo, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7

      ページ: 2570-2574

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Optical Properties of Hexagonal CdS Layers Grown on GaAs (111)B2003

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, H.Kumada, Y.Kaifuchi, Y.Takazawa, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 314-317

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Dependences of GaN polarity on the growth temperatures of migration-enhanced-epitaxy-grown Al1N in MOVPE2003

    • 著者名/発表者名
      B.Cao, K.Xu, B.W.Seo, S.Arita, S.Nishida, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7

      ページ: 2553-2556

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effects of film polarities on InN growth by molecular-beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.83, No.2

      ページ: 251-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] InN Project as CREST Program of JST : New evolution in Nano-processes/Nano-devices Focused on MBE-grown InN-based □-Nitrides2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Xu
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 31-31

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Growth and Properties of InN Epilayers by RF-MBE with In-situ Monitoring by RHEED, Spectroscopic Ellipsometry, and CAICISS2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 33-33

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth of Hexagonal CdS on GaAs (111)B Substrate2003

    • 著者名/発表者名
      H.Kumada, S.Suzuki, Y.Kaifuchi, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 312-313

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effect of film polarities of InN grown by molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.83,No.2

      ページ: 251-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Infrared measurements of InN films at low temperatures2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K.Xu, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, T.Hata, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7

      ページ: 2838-2841

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Dry etching of ZnO films and plasma-induced damage to optical properties2003

    • 著者名/発表者名
      J.S.Park, H.J.Park, Y.B.Hahn, G.C.Yi, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol. Vol.B21

      ページ: 800-800

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Improved crystallinity and polarity manipulation of MOVPE-grown GaN epilayers with deep sapphire-nitridation followed by Al-preflow at high temperatures2003

    • 著者名/発表者名
      B.W.Seo, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7

      ページ: 2570-2574

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxy Growth of Single-Domain and High-Quality ZnO Layers on Nitrided (0001) Sapphire Surface2003

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, M.Murakami, Xiaolong Du, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, Part2 No.2A

    • NAID

      80015838068

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] In situ investigation for polarity-controlled epitaxy processes of GaN and AIN in MBE and MOVPE growth2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Xu
    • 雑誌名

      Optical Materials Vol.23

      ページ: 7-14

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxy Growth of Single-Domain and High-Quality ZnO Layers on Nitrided (0001) Sapphire Surface2003

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, M.Murakami, XiaolongDu, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42,Part2 No.2A

    • NAID

      80015838068

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Dependences of GaN polarity on the growth temperatures of migration-enhanced-epitaxy-grown AIN in MOVPE2003

    • 著者名/発表者名
      B.Cao, K.Xu, B.W.Seo, S.Aria, S.Nishida, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7

      ページ: 2553-2556

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effects of film polarities on InN growth by molecular-beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett Vol.83,No.2

      ページ: 251-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] High-quality and thick InN films grown on 2-inch sapphire substrate by molecular-beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, N.Hashimoto, B.Cao, T.Hata, W.Terashima, M.Yoshitani, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No7

      ページ: 2790-2793

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE-grown ZnO films on sapphire with GaN buffer layer2003

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 304-304

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Step flow growth procedure for AIN layer on 6H-SiC substrate by MOVPE2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, Y.Arita, N.Yoshida, H.Masuyama, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 284-287

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effect of film polarities of InN grown by molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.83, No.2

      ページ: 251-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] High-quality and thick InN films grown on 2-inch sapphire substrate by molecular-beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, N.Hashimoto, B.Cao, T.Hata, W.Terashima, M.Yoshitani, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7

      ページ: 2790-2793

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] InN Project as CREST Program of JST : New evolution in Nano-processes/Nano-devices Focused on MBE-grown InN-based III-Nitrides2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Xu
    • 雑誌名

      Proceedings of the First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 31-31

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Comparative Study of InN Growth on Ga-and N-polarity GaN Templates by Molecular-Beam Epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, W.Terashima, T.Hata, N.Hashimoto, M.Yoshitani, B.Cao, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7

      ページ: 2814-2817

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Dry etching of ZnO films plasma-induced damage to optical properties2003

    • 著者名/発表者名
      J.S.Park, H.J.Park, Y.B.Hahn, G.C.Yi, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol. Vol.B21

      ページ: 800-800

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MOCVD growth of device-quality GaN on sapphire using a three-step approach2002

    • 著者名/発表者名
      B.L.Liu, M.Lachab, A.Jia, A.Yoshikawa, K.Takahashi
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth Vol.234

      ページ: 637-645

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effects of Sapphire (0001) Surface Modification by Gallium Pre-Exposure on the Growth of High-Quality Epitaxial ZnO Film2002

    • 著者名/発表者名
      Xiaolong Du, M.Murakami, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41,Part2 No.10A

    • NAID

      110006350818

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] In-situ Real-time Analysis on Strain Relaxation Process in GaN Growth on Sapphire by RF-MBE2002

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, N.Yano, A.W.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth Vol.237-239

      ページ: 998-1002

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Effects of Sapphire (0001) Surface Modification by Gallium Pre-Exposure on the Growth of High-Quality Epitaxial ZnO Film2002

    • 著者名/発表者名
      Xiaolong Du, M.Murakami, H.Iwaki, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41, Part2 No.10A

    • NAID

      110006350818

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Spectroscopic Ellipsometry In-situ Monitoring/control of GaN Epitaxial Growth in MBE and MOVPE2002

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Xu, Y.Taniyasu, K.Takahashi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.190

      ページ: 33-41

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity inversion of GaN films by trimethyl-aluminum preflow in low-pressure MOVPE growth2002

    • 著者名/発表者名
      D.H.Lim, K.Xu, S.Arima, A.Yoshikawa, K.Takahashi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.91,No.10

      ページ: 6461-6464

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity Control of GaN Grown on Sapphire Substrate by RF-MBE2002

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, N.Yano, A.W.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth Vol.237-239

      ページ: 1003-1007

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity inversion of GaN films by trimethyl-aluminum preflow in low-pressure MOVPE growth2002

    • 著者名/発表者名
      D.H.Lim, K.Xu, S.Arima, A.Yoshikawa, K.Takahashi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.190, No.1

      ページ: 33-41

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Complete Elimination of Multi-angle Rotation Domains in ZnO Epilayers Grown on (0001) Sapphire Substrate2002

    • 著者名/発表者名
      X.L.Du, M.Murakami, H.Iwaki, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.192, No.1

      ページ: 183-188

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity selection process and polarity manipulation of GaN in MOVPE and RF-MBE growth2002

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Xu
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.412

      ページ: 38-43

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Hexagonal ZnCdSe Layers on GaAs(111)-A and -B Substrates2002

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, T.Nemoto, Y.Kaifuchi, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.192, No.1

      ページ: 195-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Step-Flow Growth of InN on N-Polarity GaN Template by Molecular Beam Epitaxy with Growth Rate of 1.3μm/h2002

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, W.Terashima, T.Hata, N.Hashimoto, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.1

      ページ: 377-381

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Complete Elimination of Multi-angle Rotation Domains in ZnO Epilayers Grown on (0001) Sapphire Substrate2002

    • 著者名/発表者名
      X.L.Du, M.Murakami, H.Iwaki, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.192,No1

      ページ: 183-188

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Cathodoluminescence properties of blue-emitting SrGa_2S_4 : Ce thin-films grown by low-temperature process2002

    • 著者名/発表者名
      Katsu Tanaka, Shinji Okamoto, Hiroko Kominami, Yoichiro Nakanishi, Xialong Du, Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.92

      ページ: 834-834

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Step-Flow Growth of InN on N-Polarity GaN Template by Molecular Beam Epitaxy with Growth Rate of 1.3 μm/h2002

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, W.Terashima, T.Hata, N.Hashimoto, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.1

      ページ: 377-381

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Spectroscopic Ellipsometry In-situ Monitoring/control of GaN Epitaxial Growth in MBE and MOVPE2002

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Xu, Y.Taniyasu, K.Takahashi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.190,No.1

      ページ: 33-41

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Hexagonal ZnCdSe Layers on GaAs(111)-A and -B Substrates2002

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, T.Nemoto, Y.Kaifuchi, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.192,No.1

      ページ: 195-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity controlled growth of III-nitrides and their potential applications in optoelectronic devices2002

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Xu
    • 雑誌名

      Optics in Information Systems

      ページ: 4-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] A New "Three-Step Method" for High Quality MOVPE Growth of III-Nitrides on Sapphire2001

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Takahashi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.1880, No.2

      ページ: 625-628

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] A New"Three-Step Method"for High Quality MOVPE Growth of III-Nitrides on Sapphire2001

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Takahashi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) Vol.188,No.2

      ページ: 625-628

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Experimental investigation of inclusion of hexagonal GaN phase-domain by varying nitrogen-beam direction to a (III) axis in MBE growth of cubic GaN2001

    • 著者名/発表者名
      H.Hayashi, A.Hayashida, A.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth Vol.227-228

      ページ: 404-409

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Kinetic process in polarity selection of GaN Grown by RF-MBE2001

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, N.Yano, A.W.Jia, A.Yoshikawa, K.Takahashi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.228,No.2

      ページ: 523-527

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] In-situ Monitoring of Surface Stoichiometry and Growth Kinetics Study of GaN (0001) in MOVPE by Spectroscopic Ellipsometry2001

    • 著者名/発表者名
      Y.Taniyasu, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Electronic Materials Vol.30, No.11

      ページ: 1402-1407

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Study on polarity manipulation processes of III-nitrides in MOVPE and RF-MBE growth2001

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Xu
    • 雑誌名

      Proceedings of The 6^<th> China-Japan Symposium on thin Films Growth

      ページ: 55-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Kinetic process in polarity selection of GaN Grown by RF-MBE2001

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, N.Yano, A.W.Jia, A.Yoshikawa, K.Takahashi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.228, No.2

      ページ: 523-527

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Cross-sectional Cathodoluminescence Study on Ga-polar and N-polar GaN Epilayers2001

    • 著者名/発表者名
      X.L.Du, D.H.Lim, K.Xu, B.L.Liu, A.W.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.639

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Atomic Force Microscopy Study of GaN Grown on Al_2O_3 (0001) by LP-MOVPE2001

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, D.H.Lim, B.L.Liu, X.L.Du, G.H.Yu, A.W.Jia, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.639

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Cross-sectional Cathodoluminescence Study on Ga-polar and N-polar GaN Epilayers2001

    • 著者名/発表者名
      X.L.Du, D.H.Lim, K.Xu, B.L.Liu, A.W.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.639 G6.16

      ページ: 1-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] In-situ Monitoring of Surface Stoichiometry and Growth Kinetics Study of GaN (0001) in MOVPE by Spectroscopic Ellipsometry2001

    • 著者名/発表者名
      Y.Taniyasu, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      J.Electronic Materials Vol.30,No.11

      ページ: 1402-1407

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Atomic Force Microscopy Study of GaN Grown on Al_2O_3 (0001) by LP-MOVPE2001

    • 著者名/発表者名
      K.Xu, D.H.Lim, B.L.Liu, X.L.Du, G.H.Yu, A.W.Jia, A.Yoshikawa
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.639, G3.28

      ページ: 1-5

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Study on polarity manipulation processes of III-nitrides in MOVPE and RF-MBE growth2001

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Xu
    • 雑誌名

      Proceedings of The 6^<th> China-Japan Symposium on Thin Films Growth

      ページ: 55-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [雑誌論文] Polarity-controlled growth of GaN on Sapphire Substrate by MOVPE and RF-MBE2001

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, K.Xu, A.W.Jia, K.Takahashi
    • 雑誌名

      Proceedings of China-Japan Workshop on Nitride Semiconductor Materials and Devices

      ページ: 17-19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [産業財産権] 光電変換素子及びその製造方法2014

    • 発明者名
      草部 一秀、吉川 明彦
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-242709
    • 出願年月日
      2014-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 光電変換装置2013

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-238746
    • 出願年月日
      2013-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 光電変換装置2013

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-238747
    • 出願年月日
      2013-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 半導体光素子2012

    • 発明者名
      崔 成伯、石谷 善博、吉川 明彦
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2012-12-30
    • 取得年月日
      2014-06-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 結晶軸配向性とファセット(結晶面)を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子2012

    • 発明者名
      崔成伯,吉川明彦
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-152608
    • 出願年月日
      2012-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE2012

    • 発明者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Kusakabe
    • 権利者名
      千葉大学
    • 出願年月日
      2012-03-02
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 半導体光素子2012

    • 発明者名
      崔成伯,石谷善博,吉川明彦
    • 権利者名
      千葉大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-289267
    • 出願年月日
      2012-12-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND CHARACTERISTIC INSPECTION METHOD FOR SAME2012

    • 発明者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Kusakabe
    • 権利者名
      千葉大学
    • 出願年月日
      2012-03-02
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 光電変換装置2011

    • 発明者名
      吉川明彦、草部一秀、石谷善博
    • 権利者名
      吉川明彦、草部一秀、石谷善博
    • 出願年月日
      2011-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2011

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2011-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2011

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2011-03-14
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2011

    • 発明者名
      吉川明彦、草部一秀、石谷善博
    • 権利者名
      千葉大学
    • 出願年月日
      2011-06-17
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-08-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-08-05
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-08-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2010

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 出願年月日
      2010-08-05
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 量子構造の評価方法、量子構造の製造方法、及び量子構造2010

    • 発明者名
      吉川明彦、崔成伯、橋本直樹、深田善樹
    • 権利者名
      吉川明彦、崔成伯、橋本直樹、深田善樹
    • 公開番号
      2010-085330
    • 出願年月日
      2010-04-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2009

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 産業財産権番号
      2009-183263
    • 出願年月日
      2009-08-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置及びその特性検査方法2009

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 産業財産権番号
      2010-055388
    • 出願年月日
      2009-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 光電変換装置2009

    • 発明者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 権利者名
      吉川明彦、石谷善博、草部一秀
    • 産業財産権番号
      2009-185425
    • 出願年月日
      2009-08-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 半導体薄膜の形成方法およびその方法を用いて製造された半導体薄膜付き基板およびその半導体薄膜付き基板を用いた半導体デバイス2008

    • 発明者名
      吉川明彦, 他
    • 権利者名
      吉川明彦, 他
    • 取得年月日
      2008-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 結晶軸配向性とファセット(結晶面)を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子2008

    • 発明者名
      崔 成伯、吉川明彦
    • 権利者名
      千葉大学
    • 出願年月日
      2008-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 半導体薄膜の形成方法およびその方法を用いて製造された半導体薄膜付き基板およびその半導体薄膜付き基板を用いた半導体デバイス2008

    • 発明者名
      吉川明彦, 他
    • 権利者名
      吉川明彦, 他
    • 取得年月日
      2008-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 酸化物基板の清浄化方法及び酸化物半導体薄膜の製造方法2008

    • 発明者名
      貝渕良和、大道浩児、藤巻宗久、吉川明彦
    • 権利者名
      株式会社フジクラ、千葉大学
    • 取得年月日
      2008-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 結晶軸配向性とファセット(結晶面)を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子2007

    • 発明者名
      崔成伯、吉川明彦
    • 権利者名
      千葉大学
    • 出願年月日
      2007-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 半導体素子、光スイッチング素子及び量子カスケードレーザ素子2006

    • 発明者名
      崔成伯, 吉川明彦, 石谷善博
    • 権利者名
      千葉大学学長
    • 出願年月日
      2006-06-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 半導体光素子2006

    • 発明者名
      崔成伯, 石谷善博, 吉川明彦
    • 権利者名
      千葉大学学長
    • 出願年月日
      2006-05-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [産業財産権] 窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス及びその製造方法2003

    • 発明者名
      吉川 明彦 徐科
    • 権利者名
      千葉大学長
    • 出願年月日
      2003-09-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450121
  • [学会発表] 分光エリプソメトリによるSMART太陽電池MOVPEプロセス開拓2014

    • 著者名/発表者名
      草部一秀、王科、橋本直樹、吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大相模原キャンパス、相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] InNの非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、王新強、草部一秀、吉川明彦、森田健、馬ベイ
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春期学術講演
    • 発表場所
      青山学院大相模原キャンパス、相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] RF-MBE成長SMART太陽電池の接合特性改善2014

    • 著者名/発表者名
      王科、草部一秀、橋本直樹、吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大相模原キャンパス、相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] “縮退型ポンプ-プローブ法によるInNの超高速ダイナミクス観測2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地、森田健、塚原捷生、石谷善博、馬ベイ、王新強、草部一秀、吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春期学術講演
    • 発表場所
      青山学院大相模原キャンパス、相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Recent progress in understanding free-charge carrier and structural properties of InN:Mg2013

    • 著者名/発表者名
      M.-Y. Xie, S. Schöche, T. Hofmann, M. Schubert, N. Ben Sedrine, F. Tasnádi, B. Monemar, X. Wang, A. Yoshikawa, K. Wang, Y. Nanishi, and V. Darakchieva
    • 学会等名
      2013 Spring European Material Research Society Symposium (E-MRS 2013 Spring)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Future prospects and present problems for III-N solar cells: Theoretical and experimental2013

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa, K. Kusakabe, and N. Hashimoto
    • 学会等名
      The Workshop on Frontiers in Electronics (WOFE-2013)
    • 発表場所
      San Juan, Puerto Rico
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Junction Leakage Resistance of III-N Solar Cells grown on GaN Substrates by MBE and MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, and Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-2013)
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Epitaxy of InN and InGaN towards solar cells2013

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Bo Shen, and Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      2013 Spring European Material Research Society Symposium (E-MRS 2013 Spring)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Electronic Structure Calculation of (InN)n/(GaN)m Digital Alloy with Quasi-particle Approximation2013

    • 著者名/発表者名
      M. Ribeiro Jr., L. K. Teles , R. R. Pelá, L. G. Ferreira, K. Kusakabe, A. Yoshikawa, and M. Marques
    • 学会等名
      XXII International Materials Research Congress (IMRC) 2013
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal of coherent-structure InN/GaN QW-based photonic devices: SMART technology for achieving wavelength tunings up to infrared by novel 1-ML InN/GaN matrix MQWs2013

    • 著者名/発表者名
      Akihiko YOSHIKAWA
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2013
    • 発表場所
      San Francisco, California, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Effects of Carrier Transport and Local Lattice Temperature on Nonradiative Recombination processes in InN Films2013

    • 著者名/発表者名
      Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Xinqiang Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      10th International conference on nitride semiconductors (ICNS-2013)
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Epitaxy and doping of InN by molecular beam epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Xinqiang Wang, Bo Shen, Guoyi Zhang, Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      Tamsui, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] GaN基板上SMART太陽電池の接合特性評価2013

    • 著者名/発表者名
      草部 一秀、橋本 直樹、吉川 明彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋期学術講演会
    • 発表場所
      同志社大、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Prospects and Problems for Developing High Performance III-N Solar Cells: Theoretical and Experimental2013

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa, K. Kusakabe, N. Hashimoto, and X.Q. Wang
    • 学会等名
      Int. Forum on Development Strategy of the 3rd Generation Semiconductors
    • 発表場所
      Dongguan, Guangdong, PRC
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] 窒化インジウムにおけるフォノン放出による非輻射再結合過程2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、王新強、吉川明彦
    • 学会等名
      2013年度秋季物理学会
    • 発表場所
      徳島大、徳島市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Challenges for Growing Coherent-Structure InN/GaN Short-Period Superlattices as Ordered InGaN Ternary Alloys for SMART III-N Solar Cell Applications2013

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa, K. Kusakabe, N. Hashimoto, and T. Itoi
    • 学会等名
      SemiconNano 2013
    • 発表場所
      Lake Arrowhead, CA, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Progress in InN/GaN Ordered Alloy System toward SMART Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, and Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      Tamsui, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] InNの非輻射再結合過程におけるフォノン輸送特性の影響2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、王新強、吉川明彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋期学術講演会
    • 発表場所
      同志社大、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal and Prospects of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with using InN/GaN Digital Alloys2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      2nd UNIST-KIST International Symposium
    • 発表場所
      Ulsan, Korea
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Towards “Device-Quality Epitaxy” of InN, In-rich InGaN, and Fine-Structure InN/InGaN/GaN Superlattices2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] 窒化物半導体高効率太陽電池への挑戦 -SMART太陽電池の提案-2012

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 学会等名
      応用物理学会 応用電子物性分科会研究例会「窒化物半導体光デバイスの最前線 ~デバイスと光物性~」
    • 発表場所
      京都
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal of SMART III-N Tandem Solar Cells on the Basis of Coherent-Structure InN/GaN Short-Period Superlattices2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko YOSHIKAWA
    • 学会等名
      Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2012)
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with Coherent Magic Number Digital Alloys of InN/GaN Superlattices2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, et al.
    • 学会等名
      International Conference and Workshop on Nanostructured Ceramics and other Nanomaterials 2012
    • 発表場所
      Delhi, India(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] MBE-Growth of Coherent-Structure InN/GaN Short-Period Superlattices as Ordered InGaN Ternary Alloys for III-N Solar Cell Application2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko YOSHIKAWA
    • 学会等名
      AVS 59th International Symposium and Exhibition
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with Using InN/GaN Magic Number Digital Alloys2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, et al.
    • 学会等名
      International Symposium on Plasma 2012
    • 発表場所
      Aichi, Japan(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Challenges for Growing Ordered InGaN Ternary Alloys: Proposal of SMART III-N Tandem Solar Cells Using InN/GaN Short-period Superlattices2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko YOSHIKAWA
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Overview of Material Properties of InGaN Ternary Alloys for III-Nitride Tandem Solar Cells2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      International Workshop on SMART Green Innovation with Extended NSAP
    • 発表場所
      Chiba, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Toward Controlled Epitaxy of Coherent Structure InN/GaN Short-Period Superlattices : Novel InGaN Digital Alloys for SMART III-Nitride Tandem Solar Cells2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, et al.
    • 学会等名
      2012 LAWRENCE SYMPOSIUM ON EPITAXY
    • 発表場所
      Scottsdale, AZ, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Challenges for Achieving High Efficiency SMART III-N Solar Cells with Using Novel Ordered InGaN Ternary Alloys2012

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Electron and hole scattering dynamics in InN films investigated by infrared measurements2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他4名
    • 学会等名
      European Material Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] InN系窒化物のエピタキシ制御・物性制御・ナノ構造制御の現状と展望-表面ストイキオメトリ制御から、pn接合形成まで-2011

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦, 他
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第75回研究会
    • 発表場所
      キャンパス・イノベーションセンター東京
    • 年月日
      2011-07-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal of "SMART" III-Nitride 4-Tandem Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of (InN)_m/(GaN)_n Short-Period Superlattices2011

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, et al.
    • 学会等名
      9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Glasgow, UK(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal of "SMART" III-Nitride 4-Tandem Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of (InN)n/(GaN)m Short-Period Superlattice2011

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Granada, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal of "SMART" III-Nitride 4-Tandem Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of (InN)_m/(GaN)_n Short-Period Superlattices2011

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, et al.
    • 学会等名
      XX International Materials Research Congress
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • 年月日
      2011-08-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of InN/GaN Short-Period Superlattices2011

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, et al.
    • 学会等名
      The Workshop on Frontiers in Electronics 2011
    • 発表場所
      San Juan, Puerto Rico(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Proposal of "SMART" III-Nitride Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of (InN)_m/(GaN)_n Short-Period Superlattices2011

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, et al.
    • 学会等名
      RAINBOW 4th Training Workshop (Keynote)
    • 発表場所
      Bologna, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] 窒化物半導体超薄膜量子井戸構造/短周期超格子の形成とSMART太陽電池への展開-InGaN系窒化物半導体のエピタキシ制御から超薄膜ナノ構造光デバイス開発へ-2011

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス福岡(基調講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Spectroscopic ellipsometry study for achieving superfine-structure one monolayer-thick InN/GaN-matrix QWs by MBE2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
    • 発表場所
      State University of New York, Albany, NY USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent Advances in Plasma-assisted MBE of 1ML-InN/GaN-matrix Nanostructures for Novel Solar Cell and Light Emitters2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      2^<nd> International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma2010)
    • 発表場所
      Meijo University, Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Asymmetric structure GaN/1ML-InN/InGaN/GaN QWs and its application for next generation high efficiency solar cells2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      18th International Symposium on Nanostructures : Physics and Technology
    • 発表場所
      St.Petersburg Academic University, St.Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal of high efficiency III-nitride solar cell on the basis of superstructure magic alloys fabricated at high temperature (SMAHT)2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductors for Energy Saving and Harvesting
    • 発表場所
      Seoul National University, Seoul, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Novel one monolayer-InN/InGaN/GaN asymmetric structure QWs for next generation high efficiency solar cells2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他3名
    • 学会等名
      16^<th> International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing International Convention Center, Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Quasi-ternary multi-junction solar cells with magic numbers (n,m)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Kusakabe, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors, J2.8
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Mg impurity level in highly doped p-type InN studied by temperature dependence of infrared spectra2010

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiwara, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors, L1.2
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal of novel asymmetric structure GaN/1ML-InN/InGaN/GaN QWs for III-N based next generation high efficiency solar cells2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      19th European Workshop on Heterostructure Technology : HETECH
    • 発表場所
      Fodele, Crete, Greece
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal of novel asymmetric structure GaN/1ML-InN/InGaN/GaN QWs for III-N based next generation high efficiency solar cells2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      19th European Workshop on Heterostructure Technology
    • 発表場所
      Fodele, Crete, Greece
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Growth of Asymmetric Structure GaN/InN/InGaN/GaN QWs for Next Generation Solar Cells and Novel Light Emitters2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Growth of Nitrides (ISGN3)
    • 発表場所
      Le Corum, Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Novel InN/GaN QWs consisting of one-monolayer-thick InN wells coherently embedded in a GaN matrix2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      The UK Nitrides Consortium (UKNC) 2010 Annual Conference
    • 発表場所
      Tyndall National Institute, Cork, Ireland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Novel one monolayer-InN/InGaN/GaN asymmetric structure QWs for next generation high efficiency solar cells2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing International Convention Center, Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Spectroscopic ellipsometry study for achieving superfine-structure one monolayer-thick InN/GaN-matrix QWs by MBE2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他3名
    • 学会等名
      5^<th> International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
    • 発表場所
      State University of New York, Albany NY, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent Advances in Plasma-assisted MBE of 1ML-InN/GaN-matrix Nanostructures for Novel Solar Cell and Light Emitters2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      2^<nd> International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)
    • 発表場所
      Meijo University, Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Carrier scattering and non-radiative recombination properties of n-type and p-type InN films2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他5名
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors, L1.9
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Novel InN/GaN QWs consisting of one-monolayer-thick InN wells coherently embedded in a GaN matrix2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      The UK Nitrides Consortium(UKNC)2010 Annual Conference
    • 発表場所
      Tyndall National Institute, Cork, Ireland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Asymmetric structure GaN/1ML-InN/InGaN/GaN QWs and its application for next generation high efficiency solar cells2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      18^<th> International Symposium on Nanostructures : Physics and Technology
    • 発表場所
      St.Petersburg Academic University, St.Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent progress in fabrication and performance in novel blue-green light emitters by □1ML-InN/GaN-matrix nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2009
    • 発表場所
      Zhangjiajie, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Asymmetric Structure GaN/InN/InGaN/GaN QWs for Next Generation High Efficiency Solar Cells and Novel Light Emitters2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      Advanced Workshop on "Frontiers in Electronics" (WOFE 09)
    • 発表場所
      Rincon, Puerto Rico
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent Advances and Challenges for successful p-type control of InN films with Mg acceptor doping by MBE2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他3名
    • 学会等名
      2009 European Material Research Society (E-MRS 2009) Fall Meeting,"A : InN material and alloys"
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Self-limiting growth of ~1ML-thick InN on Ga-polarity GaN by rf-plasma MBE2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      1^<st> International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2009-03-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Growth of novel one-monolayer-InN/GaN-matrix nanostructure2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Workshop on "Physics of nitride-based nanostructured light-emitting devices"
    • 発表場所
      Univ.of Bremen, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal of III-N-based Novel Next generation Solar Cells and Novel Blue-Green Light Emitters2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      11th Int.Conference on Advanced Materials (ICAM 2009), Symposium M "Frontiers in Photonics & Photovoltaic Materials and Process"
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal and achievement of novel visible-range optoelectronic devices based on 1 and 2 monolayer-thick InN QWs in GaN matrix2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      The International Society for Optical Engineering Photonics West : Gallium Nitride Materials and Devices IV
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Monolayer growth of InN on GaN and its potential application ton novel LEDs/LDs2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      2009 European Material Research Society (E-MRS 2009) Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Asymmetric structure GaN/InN/InGaN/GaN QWs for next generation high efficiency solar cells and novel light emitters2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Advanced Workshop on Frontiers in Electronics
    • 発表場所
      Rincon, Puerto Rico
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Novel InN/GaN QWs consisting of one monolayer-thick InN wells embedded in GaN matrix2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      2^<nd> International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      Anan, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal of III-N-based novel next generation solar cells and novel blue-green light emitters2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      11^<th> International Conference on Advanced Materials, Symposium M "Frontiers in Photonics & Photovoltaic Materials and Process"
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent advances and challenges in p-type doping of InN and InN-based novel nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2009 Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Deterioration of electronic and radiative properties in n- and p-type InN films by edge-type dislocations2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他3名
    • 学会等名
      8^<th> International Symposium on Nitride Semiconductors, FF3
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent progress in fabrication and performance in novel blue-green light emitters by 1ML-InN/GaN-matrix nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2009
    • 発表場所
      Zhangjiajie, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent advances in InN-based III nitrides towards novel structure photonic devices2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal and achievement of novel visible-range optoelectronic devices based on 1 and 2 monolayer-thick InN QWs in GaN matrix2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      The International Society for Optical Engineering (SPIE) Photonics West : Gallium Nitride Materials and Devices IV
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal and fabrication of novel InN/GaN QWs consisting of one monolayer-thick InN wells in GaN matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors 2008
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2008-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Fabrication and characterization of one monolayer InN-based novel nanostructures embedded in GaN matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      16^<th> International Symposium Nano structures : Physics and Technology
    • 発表場所
      Vladivostok, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent advances in GaN and InN-based III-nitrides towards novel nanostructure photonic devices2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Nanotech Suzhou 2008
    • 発表場所
      Suzhou, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Recent Advances in GaN and InN-based III-nitrides towards novel nanostructure photonic devices, -Through Activities in JSPS and JST-2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      The 1st China Jiangsu Conference for International Technology Transfer & Commercialization (CITTC)
    • 発表場所
      Nanjing, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] InN : State of the art -advances in epitaxy control, p-type doping, and novel nanostructures2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] InN:state of the art- advances in epitaxy control, p-type doping, and novel nanostructures2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, X.Wang
    • 学会等名
      Plenary talk in International workshop on nitride semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux Switzerland
    • 年月日
      2008-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 窒化インジウム系半導体発光デバイス開発への課題と展望2008

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第56回特別講演会
    • 発表場所
      東京 主婦会館プラザモフ
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] One monolayer InN QW in GaN2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa
    • 学会等名
      PCSI-35 (The 35th annual Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces Conference)
    • 発表場所
      New Mexico, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Advances in InN epitaxy and its material control towards novel InN-based nanostructure photonic devices2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      JAPAN BRAZIL MEMORIAL SYMPOSIUM ON SCIENCE & TECHNOLOGY 1908-2008
    • 発表場所
      San Paulo, Brazil
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Novel Structure InN/GaN MQWs Consisting of One Monolayer InN Wells Embedded in GaN Matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      MBE-Taiwan2008
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Novel InN/GaN MQW visible-light-emitters consisting of one monolayer-thick InN wells inserted in GaN matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      3^<rd> International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      Edmonton, Alberta, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Introduction, over view, and problems in p-type doping of InN2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa
    • 学会等名
      Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Hakone, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2008-03-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 窒化物半導体研究の新展開-新規デバイスの創出をめざして2008

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 学会等名
      第8回赤崎記念研究センターシンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2008-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] P型伝導InN実現とその物性評価~-現状と問題点について-2008

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Hole density and anisotropic mobility of Mg-doped InN from the analysis of LO phonon - hole plasmon coupling properties2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他3名
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Advances in InN epitaxy/nano-processes for novel InN/GaN fine nanostructures2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      Workshop on recent advances in low dimensional structures and devices
    • 発表場所
      Nottingham, UK
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Advances in InN Epitaxy and its material control by MBE towards novel functionality InN-based MQWs2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa
    • 学会等名
      15^<th> International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      The University of British Columbia, Vancouver, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 「InNを基盤としたIII族窒化物ナノ構造作製の現状と光デバイス化への展望2007

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部主催セミナー SEMI Forum Japan 2007併催セミナー 「窒化物半導体のフロンティア」
    • 発表場所
      グランキューブ大阪
    • 年月日
      2007-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] InNのエピタキシ制御と1分子層InN量子構造の作製2007

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 学会等名
      日本結晶学会第13回結晶成長講習会エピタキシャル成長の基礎と応用-窒化物半導体、カーボンナノチューブ成長の新展開まで-
    • 発表場所
      東京農工大学
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Study on p-type dopability and polarity inversion in Mg-doped In-polar InN2007

    • 著者名/発表者名
      X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
    • 学会等名
      7^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Single monolayer-thick InN QWs in GaN matrix for novel visible-rangeoptoelectronic devices2007

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa
    • 学会等名
      The 2007 Workshop on Frontiers in Electronics (WOFE-07)
    • 発表場所
      Cozumel, Mexico
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 「窒化物の新展開」特定領域研究企画「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-2007

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、藤岡洋、纐纈明伯、吉川明彦、川上養一、上殿明良、天野浩、平山秀樹、岸野克巳
    • 学会等名
      2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-05
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Fabrication and characterization of novel structure InN-based III-N. MQWs consisting of one-monolayer & fractional-monolayerInN wells in GaN matrix2007

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa
    • 学会等名
      North American Molecular Beam Epitaxy Conference 2007
    • 発表場所
      New Mexico, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] InNを基盤としたナノ構造光デバイス開発への展望と課題2007

    • 著者名/発表者名
      吉川明彦
    • 学会等名
      2007年秋期第68回応用物理学会学術講演会シンポジウム「窒化物の新展開」特定領域研究企画「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] 1.55μm emission from In-polarity InN/In_<0.7>Ga_<0.3>N multi-quantum wells at room temperature2006

    • 著者名/発表者名
      S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他2名
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Proposal of a new fine structure of InN/GaN MQWs : One monolayer and fractional monolayer InN wells in GaN barriers2006

    • 著者名/発表者名
      A.Yoshikawa, Y.Ishitani, 他3名
    • 学会等名
      Physics of Light Matter Coupling in Nanostructures
    • 発表場所
      Magdeburg, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069002
  • [学会発表] Study on structure perfection of one monolayer thick InN in hexagonal GaN using XRD techniques

    • 著者名/発表者名
      N. Watanabe, D. Tajimi, N. Hashimoto, K. Kusakabe, K. Wang, T. Yamaguchi, A. Yoshikawa, and T. Honda
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] (InN)1/(GaN)n 短周期超格子SMART構造の光物性

    • 著者名/発表者名
      今井 大地, 草部 一秀, 王 科, 吉川 明彦
    • 学会等名
      第75回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] High indium content (InN)m/(GaN)n SPSs on relaxed InGaN templates

    • 著者名/発表者名
      Ke Wang, Kazuhide Kusakabe, Daichi Imai, and Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学, 神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Light emission properties of ultra thin InN in the GaN matrix

    • 著者名/発表者名
      T. Honda, T. Yamaguchi, T. Onuma, D. Tajimi, N. Watanabe, N. Hashimoto, K. Kusakabe and A. Yoshikawa
    • 学会等名
      International Conference on Metamaterials and Nanophysics 2014
    • 発表場所
      Varadero, Cuba
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-05-01
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] InN and InGaN grown by molecular beam epitaxy

    • 著者名/発表者名
      X.Q. Wang, X.T. Zheng, D.Y. Ma, B. Shen, G.Y. Zhang, and A. Yoshikawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] SMART III-Nitride tandem solar cells with using novel digital alloys of InN/GaN short-period superlattices: Theoretical and experimental

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa, K. Kusakabe, N. Hashimoto, K. Wang, D. Imai, and X.Q. Wang
    • 学会等名
      The 4th Cross-Straight Workshop on Wide Band Gap Semiconductor
    • 発表場所
      Dunhuang, PRC
    • 年月日
      2014-08-04 – 2014-08-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] (InN)1/(GaN)4 短周期超格子の擬似混晶化

    • 著者名/発表者名
      今井 大地, 草部 一秀, 王 科, 吉川 明彦
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学, 神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Novel structure photonic devices using “1 ML” InN/GaN matrix QW-based active layers

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Daichi Imai
    • 学会等名
      10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Diodes
    • 発表場所
      NSYSU, Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] デジタル混晶SMART (InN)1/(GaN)4の低NH3分圧MOVPEプロセス

    • 著者名/発表者名
      草部 一秀, 吉川 明彦
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学, 神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] MOVPE-SMART太陽電池での実効In組成制御の検討

    • 著者名/発表者名
      草部 一秀, 今井 大地, 王 科, 吉川 明彦
    • 学会等名
      第75回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Band Engineering Technology in Quasi InGaN Ternary Alloy System Based on SMART (InN)1/(GaN)n Short- Period Superlattices

    • 著者名/発表者名
      Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and A. Yoshikawa
    • 学会等名
      MRS Fall meeting
    • 発表場所
      Boston, U.S.A.
    • 年月日
      2014-11-29 – 2014-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • [学会発表] Prospects and problems for III-N solar cells: Theoretical and experimental

    • 著者名/発表者名
      Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Naoki Hashimoto
    • 学会等名
      International Conference on Metamaterials and Nanophysics 2014
    • 発表場所
      Varadero, Cuba
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-05-01
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056
  • 1.  山賀 重来 (90158080)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  高橋 清 (10016313)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  石谷 善博 (60291481)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 100件
  • 4.  荒井 滋久 (30151137)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  小林 洋志 (40029450)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  吉田 博 (30133929)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  垂井 康夫 (10143629)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  坪内 和夫 (30006283)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  松村 正清 (30110729)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  崔 成伯 (00361410)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 41件
  • 11.  草部 一秀 (40339106)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 26件
  • 12.  葛西 晴雄 (00009226)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  柊元 宏 (50013488)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  竹田 美和 (20111932)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  小林 正和 (10241936)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  賈 岸偉 (90280916)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 11件
  • 19.  青木 昌治 (80010619)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  松本 俊 (00020503)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  岩井 荘八 (40087474)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  LIM Kee Youn
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  CHANG Kee Jo
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  MIN Suk Ki
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  LEE Hyung Ja
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  CHOI Byung D
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  名西 やす之 (40268157)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 28.  天野 浩 (60202694)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 29.  岸野 克巳 (90134824)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 30.  川上 養一 (30214604)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 31.  荒木 努 (20312126)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  船戸 充 (70240827)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  糸井 貴臣 (50333670)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 34.  岡本 保 (80233378)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 35.  赤崎 勇
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  佐々木 昭夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  西永 頌
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 38.  北村 昌良
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi