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菅野 卓雄  SUGANO Takuo

ORCIDORCID連携する *注記
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管野 卓雄  スガノ タクオ

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研究者番号 50010707
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 東洋大学, 大学共同利用機関等の部局等 , 研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度: 東洋大学, 教授
1993年度 – 2000年度: 東洋大学, 工学部, 教授
1986年度 – 1991年度: 東京大学, 工学部, 教授
1986年度: 東大, 工学部, 教授
1985年度: 東京大学, 工, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 応用物性 / 電子材料工学
研究代表者以外
表面界面物性 / 応用物性
キーワード
研究代表者
薄膜 / 超高速集積回路 / 超伝導集積回路 / 酸化物超伝導体 / SOI MOSFET / 非対称トンネル障壁 / 異方性エッチング / ステップ構造 / 高精度微小傾角基板 / シングル・エレクトロニクス … もっと見る / トンネル現象 / 単電子トランジスタ / クーロン・ブロッケード / シリコン / 低消費電力 / MOSFET / SOI / SIMOX / 電界効果トランジスタ / ジョセフソン / 高温超伝導材料 / coplanar type device silicon device / three terminal device / superconductine device / Josephson junction / デバイス / ジョセフソン接合 / シリコン・デバイス / コプレーナ型デバイス / 3端子デバイス / 超伝導デバイス / ジョセフソン結合 / 一方向性回路 / ステップ型素子 / Nb技術 / 超伝導微粒子 / ディジタル回路 / ブリッジ型素子 / 超伝導 / short signal delay / high packing density / low power supply / top Si layer / threshold voltage / fully inverted / トップシリコン層 / 電子ビーム蒸着装置 / 完全反転臨界膜厚 / 高相互コンダクタンス / 低サブスレッショルド係数 / 低闘値電圧 / 完全反転型SOI MOSFET / SIMOX基板 / シリコン超薄膜 / 伝達コンダクタンス特性 / サブヌレッショルド特性 / 臨界膜厚 / 2次元電子状態 / 高速デバイス / 短チャネル効果 / 上部Si層 / 閾値電圧 / 完全反転型 / Asymmetric Tunnel Barrier / single electron tunnel transistor / Atomic Force Microscope / Scnning Tunnel Microscope / Anisotropic etching / terrace structure / imbricate step / Self-organization / substrate with samll off-set / 金属細線構造 / シャドウイング / キャパシタンス・アレイ / 酸化雰囲気中加熱処理 / ステップ / 単電子トンネル・トランジスタ / 原子間力顕微鏡 / 走査型トンネル顕微鏡 / テラス構造 / 鱗片状ステップ / 自己形成化現象 / 微小傾角基板 / Asymmetric tunnel barrier / Ultra-fine pattern / Quantum dot / Single electron transistor / Surface inversion layr / anisotropic etching / Step-terrace structure / Small misorientation substrate / クーロン・ブロッケイド / 単一電子デバイス / 極微細パターン / 量子ドット / 表面反転層 / 単電子エレクトロニクス / 超高速エレクトロニクス / ナノ・パワー・エレクトロニクス / Thin film / Silicon / Low-power / High-speed device / IC / 短チャンネルMOS電界効果トランジスタ / 短チャネルMOS電界効果トランジスタ / 超高速デバイス / 集積回路 / Laser Raman spectroscopy / Surface recombination velocity / Stress / Gate insulator / Photo-CVD / Field effect transister / Indium phosphide / MISダイオ-ド / MIS電界効果トランジスタ / 化合物半導体 / インジウム燐 / 窒化燐 / 絶縁物の堆積 / 光励起 / 電果効果トランジスタ / インジウムリン / レ-ザラマン分光 / 表面再結合速度 / 応力 / ゲ-ト絶縁膜 / 光堆積法 / インゾウムリン / 情報処理デバイス / ファンクショナル・デバイス / 電子デバイス / 高機能デバイス / アドバンスド・デバイス / 知能的機能 / MOCVD / BSCCO / YBCO / 高温超伝導体 / 分子の配列制御 / 原子の配列制御 / 有機薄膜 / ニュ-ロ機能 / 配列制御 … もっと見る
研究代表者以外
ナノ構造 / 単電子デバイス / プラズマの制御 / 反応性プラズマ / プラズマプロセシング / 原子スケール制御 / 高密度集積化 / 量子デバイス / 量子ドット / トンネル障壁 / 表面・界面 / トンネル現象 / 量子現象 / 集積回路 / クーロンブロッケード / 単電子トランジスタ / high-density intgration / atomic-scale control / quantum devices / quantum dot / tunnel barrier / surfaces and interfaces / nanostructure / Single electron devices / 分子設計 / 蒸着膜 / LB膜 / 有機分子集合体 / 分子デバイス / 集積化 / 量子コンピューティング 隠す
  • 研究課題

    (21件)
  • 共同研究者

    (34人)
  •  完全反転型SIMOX MOSFETの研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  単電子デバイスとその高密度集積化

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 2000
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      北海道大学
  •  ナノ構造の表面・界面の制御と単電子トンネル障壁の最適化

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1999
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単電子ナノエレクトロニクスの基礎

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  原子層ステップを利用した自己形成ディジタル回路の試作研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  単電子エレクロニクスの基礎

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  微小傾角基板を用いた単一電子トンネル・デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  高温超伝導材料の集積回路への応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  高温超伝導材料の集積回路への応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  原子・分子系の配列制御とそのニュ-ロ機能への展開研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  高温超伝導材料の集積回路への応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  inーsitu光堆積法によるInPMIS電界効果トランジスタ用ゲ-ト絶縁膜の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄 (管野 卓雄)
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  SIMOXを用いた高トランスコンダクタンスMOS電界効果トランジスタの試作研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  知能的機能を有するアドバンスド・デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  分子デバイスの設計と電子機能

    • 研究代表者
      岡田 正和
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      広島大学
  •  コプレーナ型シリコン結合超伝導3端子デバイス研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  ブリッジ型ジョセフソン接合素子を用いた新しいデイジタル集積回路の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1982 – 1985
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 研究機関
      東京大学
  • 1.  新井 夫差子 (10010927)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  浅田 邦博 (70142239)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  長谷川 英機 (60001781)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  村山 洋一 (40057956)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  籏野 嘉彦 (90016121)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  森泉 豊栄 (80016534)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  榊 裕之 (90013226)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  佐々木 昭夫 (10025900)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  岡田 正和 (70034478)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  板谷 良平 (90025833)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  広瀬 全孝 (10034406)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  田頭 博昭 (10001174)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  後藤 俊夫 (50023255)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  澤木 宣彦 (70023330)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  花尻 達郎 (30266994)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  川村 清 (00011619)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  神田 洋三 (70041845)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  小間 篤 (00010950)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  岩見 基弘 (80029123)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  鳥谷部 達 (20266993)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  尾浦 憲次郎 (60029288)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  塚田 捷 (90011650)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  難波 進 (70029370)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  井口 洋夫 (00100826)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  高木 俊宣 (10025801)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  生駒 俊明 (80013118)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  谷口 研二 (20192180)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  酒井 徹志
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  和田 恭雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  杉 道夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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