• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

畑 朋延  HATA Tomonobu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50019767
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1994年度 – 2003年度: 金沢大学, 工学部, 教授
1988年度 – 1991年度: 金沢大学, 工学部, 教授
1986年度: 金沢大, 工学部, 教授
1986年度: 金沢大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 応用物理学一般 / 応用物性
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 工業分析化学 / 理工系 / 工業分析化学
キーワード
研究代表者
Sputtering / スパッタリング / MOSFET / 薄膜 / Metallic Mode / 金属モード / Si / PAS / Photoacoustic Spectroscopy / InP … もっと見る / 熱伝導率 / LiNbO_3 / GaAs / GaInP / 光音響分光法 / Plasma control / Silicide / 人工格子 / プラズマ発光分光分析 / プラズマ制御 / 傾斜機能材料 / シリサイド / マグネトロンスパッタ / ZrO2 / Limitted Reaction / High-k Material / Thin Film / S:Ge(シリコンゲルマニウム) / イットリア安定化ジルコニア / 反応性スパッタリング / ヘテロエピタキシャル成長 / イオンプレーラィレグ / SiGe / フラッシュ蒸着 / ヘテロエピタキシャル / 人工超格子 / β-FeSi_2 / エピキシャル成長 / フラッシュ蒸着法 / ZrO_2 / 制限反応 / 高誘電率材料 / Metal-Oxide Combined Target / ZrTi Target / Isotope Oxygen / Oxide Mode / PZT Thin Films / 金属・酸化物複合ターゲット / 金属-酸化物複合ターゲット / ZrTiターゲット / 金属一酸化物複合ターゲット / ZrTr ターゲット / 同位体酸素 / 酸化物モード / PZT薄膜 / Thermal Diffusivity / Photothermal Spectroscopy / Thermal Conductivity / Thermal conductivity / 薄膜の熱拡散率 / 熱拡散率 / Ion implantation / Optical absorption coefficient / Piezoelectric transducer / Multilayered structures / ImP / 積層構造 / PAS(光音響分光法) / 透明トランスジュ-サ法PAS / イオン注入 / 光吸収係数 / 圧電トランスジュ-サ / 多層構造 … もっと見る
研究代表者以外
SiGe / ZT / ZrO2 / MOSFET / Epitaxial Growth / ECR / SiC / エピタキシャル成長 / イオンビームスパッタ / 熱電効果 / Crystalline Defect / Seebeck coefficient / Power Factor / Strain / Thermo-electric Effect / 熱電性能指数 / 多層構造膜 / 高濃度ドープ / 結晶欠陥 / ゼーベック係数 / パワーファクター / 歪み緩和 / Limitted Reaction / High-k Material / Metallic Mode / Thin Film / Sputtering / ゲート絶縁膜 / 金属モードスパッタ / 制限反応スパッタ / 短時間熱処理 / high-kゲートテ絶縁物 / SiO2 / 高誘電率 / 制限反応素スパッタ法 / ZrO_2 / 制限反応 / High-K材料 / メタリックモード / 薄膜 / スパッタリング / Ion Beam Sputtering / Amorphous Si / Bipolar Transistor / Heterojunction / 水素プラズマ / プラズマ発光 / エッチング / Si薄膜 / プラズマ / CVD / 非晶質Si / 非晶質SiC / バイポーラトランジスタ / ヘテロ接合 / high sensitive determination / surface / laser / non-radiative processes / thermal lens / optoacoustic / heat conversion / photothermal / 生体情報 / 信号増幅効果 / 超高速現象 / 熱効果 / フォトサーマルスペクトル / フォトサーマル現象 / 高感度分析 / 表面 / レーザー / 無放射過程 / サーマルレンズ / 光音響 / 光熱変換 / フォトサーマル / 相関光響分光法 / 光・熱偏向顕微鏡 / 電子線超音波顕微鏡 / 光・熱放射顕微鏡 / 電子音響スペクトロスコピー / 光音響スペクトロスコピー / ハイドープ / ボロン / シリサイド / 低温エピタキシャル成長 / イオンビームスパッタ法 / 水素サーファクタント成長 / 固相エピタキシャル成長 / 透過電子顕微鏡 / 歪成長 / 転位 / スパッタ粒子のエネルギーの低減 / スパッタ法のMCシミュレーション / 界面層 / 格子欠陥 / 歪緩和バッファ層 / シリコンゲルマニウムカーボン / Bの高濃度ドープ / 走査トンネル顕微鏡 / 2次元逆格子マッピングX線回折法 / B高濃度ドーピング / バッファ層 / 歪緩和 / シリコンゲルマニウムカーボンバッファ層 / シリコンゲルマニウム / 光音響分光法 / 光熱変換分光法 / 光熱変換現象 隠す
  • 研究課題

    (12件)
  • 研究成果

    (12件)
  • 共同研究者

    (27人)
  •  超高濃度ホウ素ドープSiGeによる巨大熱超電力の発現とその応用

    • 研究代表者
      佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  制限反応スパッタ製膜法による高誘電率YSZ絶縁膜の研究

    • 研究代表者
      佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究研究代表者

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  新しいスパッタ堆積モードによる強誘電体(PZT)薄膜の低温形成とその機構解明研究代表者

    • 研究代表者
      畑 朋延, 佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  フォトサーマルスペクトロスコピーの工学的応用

    • 研究代表者
      小川 禎一郎
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      工業分析化学
    • 研究機関
      九州大学
  •  炭化シリコン超薄膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究

    • 研究代表者
      佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  超高感度新型PASによる薄膜熱物性値の高精度測定研究代表者

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      金沢大学
  •  光熱変換現象の基礎過程の解明と応用

    • 研究代表者
      澤田 嗣郎
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      工業分析化学
    • 研究機関
      東京大学
  •  超高感度新型PASによる積層構造界面の新しい評価法研究代表者

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      金沢大学
  •  光及び電子音響スペクトロスコピーの研究

    • 研究代表者
      御子柴 宣夫
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  合金組成比を任意に制御出来る低温・高速スパッタ装置の開発研究研究代表者

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1988
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      金沢大学

すべて 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 産業財産権

  • [雑誌論文] A novel magnetron sputtering for flexible coatings as a function for production of high quality films2006

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Vacuum (In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Unbalanced Magnetron Sputtering using Cylindrical Target for Low-temperature Optical Costing2005

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44・1B

      ページ: 669-672

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Unbalanced Magnetron Sputtering using Cylindrical Target for Low-temperature Optical Costing2005

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44[1B]

      ページ: 669-672

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] A novel magnetron sputtering for flexible coatings as a function for production of high quality films2005

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Proc.of 8th Intern.Symposium on Sputtering & Plasma process

      ページ: 58-61

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of Si/Ge Multi-nanolaye Films Prepared by Ion-beam Sputtering Technique2004

    • 著者名/発表者名
      M.Kitai, H.Watase, K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.2004 Intern.Sypmp.on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies

      ページ: 203-203

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Sputter Growth SiGe Films -Epitaxy, Strain and Thermo-electric Properties2004

    • 著者名/発表者名
      K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.3^<rd> Intern.Workshop on New Group IV(Si-Ge-C) Semiconductors

      ページ: 45-46

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Sputtering Epitaxy of SiGe Films Using Mixture Target2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yoshimori, K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.2004 Intern.Sypmp.on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies

      ページ: 202-202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of Si/Ge Multi-nanolayer Films Prepared by Ion-beam Sputtering Technique2004

    • 著者名/発表者名
      M.Kitai, H.Watase, K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.2004 Intern.Sypmp.on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies

      ページ: 203-203

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Sputter Growth SiGe Films-Epitaxy, Strain and Thermo-electric Properties2004

    • 著者名/発表者名
      K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.3^<rd> Intern.Workshop on New Group IV(Si-Ge-C) Semiconductors

      ページ: 45-46

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Anomalous large thermoelectric power on heavily B-doped SiGe thin films with thermal annealing2003

    • 著者名/発表者名
      T.Kawahara, S.M.Lee, Y.Okamoto, J.Morimoto, K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 41(8B)

    • NAID

      110004081121

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] A novel magnetron sputtering for flexible coatings as a function for production of high quality films

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Vacuum (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [産業財産権] 傾斜材料とこれを用いた機能素子2005

    • 発明者名
      畑 朋延, 佐々木 公洋, 森田 信一
    • 権利者名
      IHI
    • 出願年月日
      2005-05-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • 1.  佐々木 公洋 (40162359)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 11件
  • 2.  堀田 将 (60199552)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  寺前 紀夫 (70114569)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  升島 努 (10136054)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  小川 禎一郎 (50028156)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  豊田 太郎 (40217576)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  内山 一美 (40151899)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  今坂 藤太郎 (30127980)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  長谷川 誠一 (10019755)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  澤田 嗣郎 (90011105)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  北森 武彦 (60214821)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  稲垣 卓 (70030442)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  酒井 朗 (20314031)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  財満 鎭明 (70158947)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  中塚 理 (20334998)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  池田 浩也 (00262882)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  御子柴 宣夫 (70006279)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  中島 信一 (20029226)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  柊元 宏 (50013488)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  生駒 俊明 (80013118)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  川端 昭 (80025832)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  杉谷 嘉則 (80015552)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  岡田 修
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  守本 純
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  和佐 清孝
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  WASA Kiyotaka
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi