長谷川文夫 HASEGAWA Fumio

研究者番号	70143170
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2009年度 – 2010年度: 工学院大学, 工学部, 教授 2005年度 – 2007年度: 工学院大学, 工学部, 教授 1999年度 – 2003年度: 筑波大学, 物理工学系, 教授 1997年度 – 1998年度: 筑波大学, 物質工学系, 教授 1988年度 – 1993年度: 筑波大学, 物質工学系, 教授 1986年度 – 1987年度: 筑波大学, 物質工学系, 助教授 1985年度: 筑波大学, 物質工, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子材料工学 / 応用物性 / 電子デバイス・機器工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 理工系 / 電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 AlGaAs / 塩化物法 / GaAs / 三塩化物 / 分子線エピタキシ- / β-FeSi_2 / MBE / 気相成長 / ALE / 原子層エピタキシー … もっと見る / シリサイド / BaSi_2 / HVPE / GaN / 太陽電池 / 移動度 / 鉄シリサイド / 分子線エピタキシー / HBO_2 / PtSi / SiGe / Si-MBE / MOMBE / ダブルヘテロ構造 / 化合物半導体 / AlAs / 結晶成長機構 / 赤外イメ-ジセンサ- / ジャ-マナイド / energy band structure / control of conduction type / MBE growth / beta-FeSi2 / silicide / solar battery / 同時蒸着法 / 多層膜法 / エネルギーバンド構造 / エネルギー・バンド構造 / 伝導型制御 / MBE成長 / ultra violet laser diode / halide vapor phase epitaxy / free standing GaN / GaAs substrate / bulk GaN / 厚膜エピタキシャル成長 / 青色レーザー・ダイオード / 立方晶GaN / ナイトライド / 六方晶GaN / 青色レーザ・ダイオード / ハライド気相成長 / 紫外レーザ / GaAs基板 / バルクGaN / GaN基板 / optical interconnection / infrared / mobility / light-emitting diode / IC / 凝集 / 光接続 / シリコン / エレクトロルミネッセンス / フォトルミネッセンス / 光配線 / 赤外線 / 発光ダイオード / Segregation / Surfactant / Super Lattice / 金属・半導体接触 / 超格子 / B吸着 / Ge歪超格子 / Si / HB0_2 / 表面偏析 / サーファクタント / 歪超格子 / Hydride / Dimethylamine Gallan / Cracking / Carbon Contamination / Organo-Metallic Compound / Molecular Beam Epitaxy / カ-ボン汚染 / 水素化物 / ディメチルアミンガラン / クラッキング / カーボン汚染 / 有機金属 / SAセンター / ホトルミネッセンス / 塩化物気相成長法 / ヘテロ接合 / エビタキシャル成長 / ヘテロエピタキシ- / ヘテロ構造 / クロライド法 / 塩化物気相成長 / 原子層エピキタシ- / クロライドVPE / プラズマCVD / AlAsN / AlN / 混晶半導体 / 生長機構 / 原子層エピタキシ- / Si_<1ーx>Ge_x / Si_<1-x>Gex … もっと見る研究代表者以外鉄シリサイド / クロライド法 / エピタキシャル成長 / ワイドギャップ / 量子井戸 / 深紫外半導体レーザ / 窒化物半導体 / シリコン / SQUID / 異常ホール効果 / 磁気輸送特性 / 希薄磁性半導体 / electroluminescence / light-emitting diode / photoluminescence / Iron disilicide / 電流注入 / 透過型電子顕微鏡 / 発光ダイオード / エレクトロルミネッセンス / フォトルミネッセンス / ヘテロ接合界面・表面層原子配列 / EL2欠陥 / ホット・エレクトロン輸送 / 2次元電子ガス / 表面保護膜 / 広バンド・ギャップ化合物半導体 / 混晶半導体表面安定化 / 欠陥分布 / レーザーCVD / 表面準位密度 / ホット・ルミネッセンス / 有効質量 / エビタキシャル成長 / バッファ層 / バッフア層 / 歪み制御 / エピタキシル成長 / ドーピング材料 / p型半導体 / 交互供給法 / AlGaN / 炭素 / p型不純物 / 発振モード / 光学異方性 / 室化物半導体 / 深紫外 / ワイドギヤツプ / 窒化物半導体' / 超格子 / 量子井戸構造 / 深紫外域 / 半導体レーザ / 分子線エピタキシー法 / 熱反応堆積法 / 分子線エピタキシー / BaSi_2 / 半導体シリサイド / 多層膜 / アニ-ル / 移動度 / Mn / オーミックコンタクト / 負の磁気抵抗隠す

高品質AlGaN結晶の成長と紫外・深紫外発光デバイス
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  工学院大学
205～250nm帯深紫外半導体レーザの研究開発
- 研究代表者
  
  川西英雄
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  工学院大学
アルカリ土類金属を用いた新しいシリコン系半導体の探探
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  筑波大学
環境に優しい半導体β-FeSi_2を用いた太陽電池の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  筑波大学
半導体鉄シリサイドを用いた室温動作赤外発光ダイオードの作製
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  筑波大学
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  筑波大学
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
半導体鉄シリサイドの分子線エピタキシーとSi系発光ダイオードの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  筑波大学
塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシーの成長機構研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシーの成長機構研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
p型Si/Ge歪超格子とPtSi、p-Siとのヘテロ接合の作製とその物性研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  筑波大学
塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシ-の成長機構研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
金属シリサイド/pーSi_<1ーx>Ge_x界面の作製とその制御研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
MO(有機金属)の完全クラッキングによるカーボンフリーMOMBEの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  筑波大学
金属シリサイド/p-Si_<1-x>Gex界面の作製とその制御研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
塩化物法によるAlGaAsの原子層エピタキシ-研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  筑波大学
金属Alを用いたAlGaAs/GaAsヘテロ構造・クロライド気相成長法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  筑波大学
混晶の物性とその制御・設計に関する研究
- 研究代表者
  
  犬石嘉雄
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  特定研究
- 研究機関
  近畿大学
混晶の物性とその制御・設計に関する研究
- 研究代表者
  
  犬石嘉雄
- 研究期間 (年度)
  1986
- 研究種目
  
  特定研究
- 研究機関
  近畿大学
高エネルギー,ギャップ混晶半導体の成長と物性研究代表者
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1985
- 研究種目
  
  特定研究
- 研究機関
  筑波大学

すべて 2008 2007 2006 2002 2001 2000 その他

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] Mechanical and Thermal Properties of Wide Semiconductors(Wide Bandgap Semiconductor(2.2.4節及び6.2.8節を分担))2007
- 著者名/発表者名
  Takahashi, Yoshikawa, Hasegawa
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[図書] Wide Bandgap Semiconductor(Mechanical and Thermal Properties of Wide Semiconductors)2007
- 著者名/発表者名
  Takahashi, Yoshikawa, Hasegawa
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[図書] ワイドギャップ半導体光・電子デバイス((2.2.4節)(及び5.2.7節を分担))2006
- 著者名/発表者名
  高橋、吉川、長谷川
- 出版者
  共立出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[図書] ワイドギャップ半導体光・電子デバイス2006
- 著者名/発表者名
  高橋、吉川、長谷川
- 出版者
  共立出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[図書] ワイドギャップ半導体光・電子デバイス(第二章編集、2.2.4節、5.2.7節執筆)2006
- 著者名/発表者名
  監修・高橋清, 編著/長谷川文夫, 吉川昭彦
- 総ページ数
  421
- 出版者
  森北出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[図書] ワイドキャップ半導体光・電子デバイス(第二章編集、2.2.4節、5.2.7節執筆)2006
- 著者名/発表者名
  監修・高橋清, 編著/長谷川文夫, 吉川昭彦
- 総ページ数
  421
- 出版者
  森北出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Investigation on Conductivity at the Gan/ATN/SiC Subsrate interface for Vertical Nitraide Power FETs2008
- 著者名/発表者名
  Yuu Wakamiya, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Physics Status Solidi, (C) No.6
  
  ページ: 1505-1507
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Investigation on Conductivity at the Gan/AIN/SiC Subsrate interface for Vertical2008
- 著者名/発表者名
  Yuu Wakamiya, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi No.6
  
  ページ: 1505-1507
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Improvement of Crystal Quality of n-AlGaN by Alternate-Source-Feeding Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Isono, Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan J.Appl.Phys. Vol.46, No.9A
  
  ページ: 5711-5714
- NAID
  40015602574
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Koichiro Murakawa, EIichiro Nikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys 46・6A(掲載確定、ページ未定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Improvement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 345-345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN Yuu Wakamiya*, Fumio Hasegawa, /GaN) Multi-buffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa*, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan.J.Appl.Phys. Vol.46
  
  ページ: 3301-3304
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan.J.Appl.Phys. Vol.46, No.6A
  
  ページ: 3301-3304
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] I mprovement of crystal quality of AIN and AiGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  E.Niikura, K.Murakawa, F.Hasegawa, H.Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 345-348
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys 46,No.6A
  
  ページ: 3301-3304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Koichiro Murakawa, EIichiro Nikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys 46・6A(掲載確定、ページ未定)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] I mprovement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  E.Niikura, K.Murakawa, F.Hasegawa, H.Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 345-348
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Improvement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  Eiichiro Niikura*, Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 345-348
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Improvement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  Eiichiro Niikura, Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 345-348
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN/GaN) Multibuffer-layer Structure2007
- 著者名/発表者名
  Kouichiro Murakawa, Eiichiro Nikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[雑誌論文] Improvement of Crystal Quality of n-AlGaN by Alternate-Source-Feeding Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Isono*, Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Japan J. Appl. Phys. Vol.46
  
  ページ: 5711-5714
- NAID
  40015602574
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[雑誌論文] Investigation of the energy band structure of orthorhombic BaSi_2 by optical and electrical measurements and theoretical calculations.2002
- 著者名/発表者名
  T.Nakamura, T.Suemasu, K.Takakura, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.81, No.6
  
  ページ: 1032-1034
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Investigation of direct and indirect band gaps of [100]-oriented nearly strain-free β-FeSi_2 films grown by molecular-beam epitaxy.2002
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, N.Hiroi, T.Suemasu, S.F.Chichibu, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.80, No.4
  
  ページ: 556-558
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Influence of Si growth temperature for embedding β-FeSi2 and resultant strain in β-FeSi_2 on light emission from p-Si/β-FeSi_2 particles/n-Si light-emitting diodes.2001
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu, Y.Negishi, K.Takakura, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.79, No.12
  
  ページ: 1804-1806
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Donor and Acceptor Levels in Undoped 8-FeSi2 Films Grown on Si(001) Substrates.2001
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, T.Suemasu, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.40, No.38
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] 鉄シリサイドβ-FeSi_2を活性領域とするSi系LEDの室温発光2001
- 著者名/発表者名
  長谷川文夫
- 雑誌名
  
  真空ジャーナル 75号
  
  ページ: 5-9
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555084
[雑誌論文] Control of the Conduction Type of Nondoped High Mobility β-FeSi_2 Films Grown from Si/Fe Multilayers by Change of Si/Fe Ratios.2000
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, T.Sueamsu, Y.Ikura, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.39, No.8A
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Improvement of the Electrical Properties of 8-FeSi_2 Films on Si(001) by High-Temperature Annealing.2000
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, T.Suemasu, N.Hiroi, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.39, No.3A/B
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Invesigation on Conductivity at the Gan/AIN/SiC Subsrate interface for Vertical Nitraide Power FETs
- 著者名/発表者名
  Yuu Wakamiya*, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (to be published)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] Crystal quality control of AlN template grown on SiC substrate using (AlN/GaN) multi-buffer layer and alternate source-Feeding Mo-VPE2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tomohito Takeda, Yusuke Tsutagawa, Fumio Hasegawa
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
- 発表場所
  Shuzenji, Shizuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Crystal quality control of AlN template grown on SiC substrate using (AlN/GaN) multi-buffer layer and alternate source-Feeding Mo-VPE2008
- 著者名/発表者名
  Hideo Kawanishi, Tomohito Takeda, Yusuke Tsutagawa, Fumio Hasegawa
- 学会等名
  2^<nd> International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2), Mo-49
- 発表場所
  Shuzenji, Shizuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069009
[学会発表] 7th International Conference of Nitride semiconductors, MP322007
- 著者名/発表者名
  Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Shoichiro Takeda, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride semiconductors
- 発表場所
  MP32, MGM Grand Hotel, Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Reduction of Point Defects in N-AlGaN by an Altenate Source Feeding Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Kenichi Isono, Eiichiro Niikura, Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 学会等名
  he 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  PO-13, Jeoniju Core Riviera hotel, Jeonju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Reduction of Threading Dislocations in AlGan/AIN/SiC Epitxial Layers by Tensile Strain in a-Axis Induced with the (AIN/GaN) Multi-Buffer-Layer2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride semiconductors
- 発表場所
  MP29, MGM Grand Hotel, Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005
[学会発表] Dislocation Reduction in AIN Template grown on SiC by Tensile Strain induced by (AIN/GaN) Multi-Buffer-Layer2007
- 著者名/発表者名
  Kouichi Murakawa, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
- 学会等名
  The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  PO-9, Jeoniju Core Riviera hotel, Jeonju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17106005

1. 末益崇 (40282339)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 5件
2. 重川秀実 (20134489)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 本田徹 (20251671)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 川西英雄 (70016658)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 22件
5. 井上正嵩 (20029325)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 犬石嘉雄 (90028902)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 白藤純嗣 (70029065)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 新井夫差子 (10010927)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 赤崎勇 (20144115)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 坂本哲夫 (20313067)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 秩父重英 (80266907)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 関寿 (70015022)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 南日康夫 (10133026)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 坂本邦博

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 碓井彰

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 村井重夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

長谷川 文夫 HASEGAWA Fumio

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

環境に優しい半導体β-FeSi_2を用いた太陽電池の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

半導体鉄シリサイドの分子線エピタキシーとSi系発光ダイオードの研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシーの成長機構研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシーの成長機構研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

p型Si/Ge歪超格子とPtSi、p-Siとのヘテロ接合の作製とその物性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシ-の成長機構研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

金属シリサイド/pーSi_<1ーx>Ge_x界面の作製とその制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

長谷川文夫 HASEGAWA Fumio