白木靖寛 SHIRAKI Yasuhiro

研究者番号	00206286
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度 – 2012年度: 東京都市大学, 総合研究所, 教授 2009年度: 東京都市大学, 副学長 2004年度: 武蔵工業大学, 総合研究所, 教授 2001年度 – 2003年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 2002年度: 東京大学, 工学系研究科・物理工学専攻, 教授 … もっと見る 2001年度: 東京大学, 先端技術研究センター, 教授 1990年度 – 2000年度: 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 1999年度: 東京大学, 先端化学技術研究センター, 教授 1999年度: 東京大学, 科学技術研究センター, 教授 1994年度: 先端科学技術研究センター, 教授 1993年度 – 1994年度: 東京大学, 先端研センター, 教授 1993年度 – 1994年度: 東京大学, 先端科学技術センター, 教授 1993年度: 東京大学, 生端科学技術研究センター, 教授 1989年度 – 1991年度: 東京大学, 先端科学技術センター, 助教授 1989年度 – 1990年度: 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 理工系 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用光学・量子光工学 / 応用物性 / 固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温) / 電子・電気材料工学 / 物理計測・光学 / 固体物性 / 理工系
キーワード	研究代表者 SiGe / シリコンゲルマニウム / 量子ドット / neighboring confinement structure / 間接遷移型半導体 / 隣接閉じ込め構造 / 光エレクトロニクス / 無フォノン発光 / AlGaP / 量子細線 … もっと見る / 量子井戸 / Si / 微小共振器 / 島状成長 / 光物性 / 電子物性 / 人工IV族半導体 / ブル-シフト / メゾスコピック領域 / island growth / Quantum dot / Optelectronics / exciton / strain field / 局在 / 励起子分子 / DBR / 自己形成Geドット / 不均一歪み場 / 励起子 / 歪み場 / selective epitaxy / quantum dots / Stranski-Krastanow成長様式 / ガスソース分子線エピタキシ- / Si(311)面 / SiGeの混晶 / 不純物散乱 / 界面ラフネス散乱 / 変調ドープ構造 / イオン注入 / SiGe混晶 / 選択成長 / no phonon transition / indireck semiconductors / アルミニウムガリウム燐 / quantum dot / quantum wire / quantum well / 超格子 / electron-wave reflectivity / tunnel barrier / heterointerface / resonant capture / 低次元量子構造 / 電子波ミラー / 量子力学的反射率 / ヘテロ界面 / 共鳴電子捕獲 / 非発光再結合 / 過剰電子 / 非発光性再結合 / トンネル障壁 / 共鳴電子捕獲時間 / atomic details on solid surfaces / Ge heterostructure / mechanism of interfacial mixing / Ge islanding / kinetic phase / scanning tunneling microscopy (STM) / surface structure / epitaxial growth / 慣性式移動方式 / 高速トンネル分光 / 半導体清浄表面 / 原子層ド-ピング / アンチモン(Sb) / Si(111)、Si(100) / モリブデンブル-ブロンズ / 超高真空 / 選択的吸着 / 5×5構造 / エピタキシャル成長 / 島形成 / 微視的機構 / 表面構造 / エピタキシャル / Geヘテロ構造 / 走査型トンネル顕微鏡 / 結晶成長 / 原子尺度 / 高誘電率絶縁膜 / マイクロディスク / 光電子融合デバイス / 導波路 / 歪み / シミュレーション / フォトニック結晶 / ゲルマニウム / 初期酸化 / リン吸着デジタル制御 / 自己触媒 / 電界効果トランジスタ / 変調ドーピング / 低温Si層 / CMP / 発光ダイオード / 電界効果型トランジス / 電界効果型トランジスタ / 超高速光・電子デバイス / 原子精度要素プロセス / 高性能トランジスタ / 集積回路 / シリコン / 極微細構造 / 真空一貫リソグラフィ / 極微細線 / 化学エッチング / 収束イオン線 / 電子波干渉 / 電子線描画法 / 一次元閉じ込め / ウェットエッチング / GaAs極微細線 / AlGaAs / 電子線描画 / 超微細構造 / 電子波 … もっと見る研究代表者以外半導体 / MOVPE / RF-MBE / 光第2高調波発生 / 波長変換 / 非線形光学 / GaAsN / SiGe / 疑似位相整合 / Frequency Conversion / Second-Harmonic Generation / Nonlinear Optics / 核スピン / 同位体 / Si / 窒化物半導体 / InGaPN / InGaAsN / 差周波発生 / 分極反転 / 化合物半導体 / Quasi Phase Matching / ヘテロ構造 / 窒化物混晶半導体 / Semiconductor / 間接遷移型半導体 / 評価技術 / プロセス / デバイス / 量子構造 / 窒化ガリウム / ワイドギャップ化合物半導体 / 有機金属気相成長法 / Quantum Hall Effects / 非局所性伝導 / エッジ状態 / フォトルミネッセンス / フォトリフレクタンス / 量子ドット / 量子細線 / MBE / 立方晶GaN / GaN / キンク / パイエルスポテンシャル / ヘテロエピタキシャル / ミスフィット転位 / 人工格子 / 精密制御技術 / 界面反応 / 接触抵抗 / 金属ー半導体界面 / strain relaxation / ion implantation / chemical mechanical polishing / high mobility / virtual substrate / SiGe heterostructure / 科学機械研磨法 / 擬似基 / 歪み緩和 / イオン注入 / 化学機械研磨法 / 超高移動度FET / 擬似基板 / Si系歪みヘテロ構造 / heterostructure / photoreflectance / cubic indium nitride / cubic gallium nitride / cubic nitride semiconductors / nitride semiconductors / 深い準位 / 立法晶AlGaN / 立法晶GaN / 選択成長 / GaAs / 立方晶AlGaN / 立方晶窒化インジウム / 立方晶窒化ガリウム / 立方晶窒化物半導体 / indirect semiconductor / electron localization / charged exciton / modulation doping / semiconductor quantum well / semiconductor quantum dot / microscopic photoluminescence / 励起子分子 / 局在励起子 / 電子局在 / 帯電励起子 / 変調ドーピング / 半導体量子井戸 / 半導体量子ドット / 顕微フォトルミネッセンス / huge bandgap bowing / slloy semiconductors / diluted nitride alloy / 巨大ボウイング / 有機金属気相成長 / GaNAs / GaNP / 巨大バンドギャッブボウイング / InAsN / 巨大バンドギャップボウイング / 混晶半導体 / III-V-N型窒化物混晶 / Molecular beam epitaxy / Quasi phase matching / Polarization inversion / Compound semiconductor / Difference-frequency generation / Optical parametric effect / Wavelength conversion / Nonlinear optics / 非線形工学 / 導波路型デバイス / 分子線エピタキシー / 擬似位相整合 / 光パラメトリック効果 / Antiphase Domain / Sublattice Reversal / Domain Inversion / Compound Semiconductor / 差調波発生 / アンチフェイズドメイン / 副格子交換 / ferroelectric / field effect transistor / quantum chemistry calculation / low contact resistance / high aspect ratio / point defect relaxation process / ultra thin Si oxide / 無損傷化 / 欠陥緩和 / ヘテロ界面 / 欠損測定 / Siプロセス量子化学研究 / 高アスペクト比プロセス / 低抵抗コンタクト / 極薄酸化膜 / Ge歪超格子 / Si高精度化プロセス / 強誘電体 / 電界効果型トランジスタ / 量子化学計算 / 低抵抗コンタクト抵抗 / 高アスペクト比 / 点欠陥緩和過程 / 極薄Si酸化膜 / Organic Material / Heterostrucure / 有機材料 / METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY / GALLIUM NITRADE / GALLIUM PHOSPHIDE / METASTABLE ALLOY SEMICONDUCTOR / WIDEGAP COMPOUND SEMICONDUCTOR / GaPN ALLOY / NITRIDE ALLOY SEMICONDUCTOR / MOVPE法 / ガリウムリン / 準安定混晶半導体 / GaPN混晶 / Characterization / Process / Device / Quantum structure / Dissipation in quantum Hall devices / Breakdown of the Quantum Hall effects / Dispersion relation of edge states / Edge current / Cyclotron emission / Edge states / エッジ励起状態 / エッジ・マグネトプラズマ共鳴 / サイクロトロン共鳴 / 強磁場下2次元電子系 / 局在と非局在状態 / 量子ホール効果状態 / ホール電流 / 化学ポテンシャル・エッジ電流 / 量子ホール効果のブレークダウン / サイクロトロン共鳴吸収 / エネルギー散逸 / 量子ホール効果のブレイクダウン / エッジ状態の分散 / エッジ電流 / サイクロトロン発光 / 量子ホール効果 / lacalized level / quantum effect / surface state / brillouin zone / disoredering / luminescence / superlattice / indirect gap semiconductor / グリルアン領域折り返し / 界面効果 / サイズ効果 / ブリルアン領域折り返し / 不規則超格子 / 人工局在準位 / 局在準位 / 量子効果 / 界面準位 / ブリルアン領域 / 不規則 / 発光 / 超格子 / characterization / process / device / quantum structure / semiconductor / Lithography / Inorganic Resist / Micro Fabrication / Waveguiding Device / Organic Crystal / リソグラフィ- / リソグラフィー / 水溶性無機レジスト / 微細加工 / 光導波路素子 / 光学2高調波発生 / 有機結晶 / Tunable wavelength / Far-infrared laser / Germanium laser / 波長可変 / 遠赤外レ-ザ- / ゲルマニウムレ-ザ- / Visible-Light-Emitting Material / Structural Transformation / Gallium Arsenide Phosphide / Gallium Nitride / Atomic Layer Epitaxy / Widegap Compound Semiconductor / Movpe / 結晶構造交換 / 青色発光半導体レ-ザ / 可視光発光材料 / 結晶構造変換 / ガリウム砒素燐 / 原子層エピタキシ- / Nonlocal Transport / Nonequilibrium Population / Edge States / メソスコピック系 / 位相干渉長 / 整数量子ホ-ル効果 / 量子ホ-ル効果 / 非平衡分布 / 量子現象 / 強磁場 / 量子井戸 / 量子光物性 / ナノ構造 / 量子コンピュータ / 量子エレクトロニクス / 電子デバイス / バンドラインアップ / ガリウム砒素リン / 半導体超格子 / ワイス振動 / 層状物質 / TEM / 電子波干渉素子 / C_<60> / ルミネセンス / ファンデァワールス成長 / MOCVD / GaPN / エピタキシー機構 / 構造変換 / ヘテロエピタキシー / ナイトライド / 転位フィルター効果 / 転位すベリ / 転位フィルタ-効果 / 転位すべり / 表面偏析 / 超高濃度ド-ピング / ミリサイド / 界面電気伝導 / 界面固相反応 / コンタクト抵抗率 / 界面精密制御 / 不純物ド-ピング / 金属一半導体界面 / 不純物ドーピング隠す

革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京都市大学
Si系歪みヘテロ構造用擬似基板形成およびこれを用いた超高移動度FETに関する研究
- 研究代表者
  
  中川清和
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  山梨大学
立方晶窒化物半導体ヘテロ構造による光および電子デバイス
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
核スピン濃度と分布を制御した半導体超構造の作製と評価
- 研究代表者
  
  伊藤公平
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  慶應義塾大学
半導体ナノ構造の量子光物性とその応用
- 研究代表者
  
  荒川泰彦, 三浦登
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2004
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  武蔵工業大学
   東京大学
人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
副格子交換エピタキシーを用いた化合物半導体非線形光学デバイスの開発
- 研究代表者
  
  近藤高志
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  東京大学
不均一歪み場制御による無フォノン励起子発光増大に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
III-V-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
極微プローブ光を用いた半導体微細構造の空間および時間分解分光に関する研究
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
   東京大学
核スピン濃度と分布を制御した半導体超構造の作製と評価
- 研究代表者
  
  伊藤公平
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  慶応義塾大学
核スピン濃度と分析を制御した半導体超構造の作製と評価
- 研究代表者
  
  伊藤公平
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  慶応義塾大学
機能性IV族半導体超構造の結晶成長と高機能集積回路への応用に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
分極反転エピタクシーの研究と波長変換素子への応用
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
新しい超構造を有する間接遷移型半導体の光学遷移に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
集積化知能システム極限材料・プロセス
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1998
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
   東洋大学
量子半導体プロセス技術
- 研究代表者
  
  中島尚男
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
ガリウム砒素リン系半導体超格子構造による高効率発光素子材料の実現
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
半導体材料・デバイスの先端科学技術
- 研究代表者
  
  柊元宏
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京工業大学
間接型半導体の量子マイクロ構造による光学遷移制御研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
窒化物系準安定混晶半導体の作製と物性に関する研究
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
非線形光学ヘテロ構造に基づく波長変換の研究
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  東京大学
半導体材料・デバイスの先端科学技術
- 研究代表者
  
  柊元宏
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京工業大学
間接遷移型半導体による発光の研究
- 研究代表者
  
  佐々木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  総合研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
強磁場下2次元電子系に生ずるエッジ状態の分光学的手法による研究
- 研究代表者
  
  小宮山進
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
- 研究機関
  東京大学
ナイトライド系化合物半導体の立方晶構造変換ヘテロエピタキシー機構の研究
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
半導体超微細構造における共鳴電子捕獲の制御に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
有機結晶の微細加工技術を用いた波長変換用非線形光学微小素子の開発
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  物理計測・光学
- 研究機関
  東京大学
電子波デバイスのための極限構造の制御と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
界面の作製とその精密制御
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
電子波デバイスのための極限構造の制御と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
人工パイエルスポテンシャル格子における塑性変形機構
- 研究代表者
  
  前田康二
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
人工パイエルスポテンシャル格子における塑性変形機構
- 研究代表者
  
  前田康二
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
界面の作製とその精密制御
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
界面の作製とその精密制御
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
バリスティックな後方電子散乱存在下における整数量子ホ-ル効果の研究
- 研究代表者
  
  小宮山進
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性
- 研究機関
  東京大学
有機金属気相成長法によるワイドギャップ化合物半導体の原子層エピタキシ-の研究
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
原子尺度制御を目指した結晶成長制御用走査型トンネル顕微鏡の試作研究研究代表者
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1991
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
70〜300μm帯連続波長可変、ゲルマニウム遠赤外レ-ザ-の試作
- 研究代表者
  
  小宮山進
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学

すべて 2012 2011 2010 2009

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] Silicon-germanium (SiGe) nanostructures2011
- 著者名/発表者名
  Y.Shiraki N.Usami
- 総ページ数
  627
- 出版者
  Woodhead Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[図書] Silicon germanium (SiGe)nanostructures2011
- 著者名/発表者名
  Y. Shiraki and N. Usami
- 総ページ数
  627
- 出版者
  Woodhead Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Room temperature electroluminescence from Ge quantum dots embedded in photonic crystal microcavities2012
- 著者名/発表者名
  Toshiki Tsuboi, Xuejun Xu, Jinsong Xia,Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, andYasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 5 ページ: 052101-052101
- DOI
  10.1143/apex.5.052101
- NAID
  10030593466
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] High-quality-factor light-emitting diodes with modified photonic crystal nanocavities including Ge self-assembled quantum dots on silicon-on-insulator substrates2012
- 著者名/発表者名
  Xuejun Xu, Taichi Chiba, Tatsuya Nakama, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 10 ページ: 102101-102101
- DOI
  10.1143/apex.5.102101
- NAID
  10031117543
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Silicon-based light emitting devices based on Ge self-assembled quantum dots embedded in optical cavity2012
- 著者名/発表者名
  Xuejun Xu, Sho Narusawa, Taichi Chiba, Toshiki Tsuboi, Jinsong Xia, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of Selected Topics inQuantum Electronics
  
  巻: 18(6) 号: 6 ページ: 1830-1838
- DOI
  10.1109/jstqe.2012.2206802
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Acceptor-Like States in SiGe Alloy Related to Point Defects Induced by Si+ Ion Implantation2012
- 著者名/発表者名
  Motoki Satoh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 10R ページ: 105801-105801
- DOI
  10.1143/jjap.51.105801
- NAID
  210000141389
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Silicon-based current-injected light emitting diodes with Ge self-assembled quantum dots embedded in photonic crystal nanocavities2012
- 著者名/発表者名
  Xuejun Xu, Toshiki Tsuboi, Taichi Chiba, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 20(13) 号: 13 ページ: 14714-14721
- DOI
  10.1364/oe.20.014714
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Electroluminescence from micro-cavities of photonic crystals, micro-disks and rings including Ge dots formed on SOI substrates2012
- 著者名/発表者名
  Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 45(5) 号: 5 ページ: 235-246
- DOI
  10.1149/1.3700432
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in strained Ge/SiGe Heterostructures2012
- 著者名/発表者名
  T. Tanaka, Y. Hoshi, K. Sawano, N. Usami, Y. Shiraki, and K. M. Itoh
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 100 号: 22 ページ: 222102-222102
- DOI
  10.1063/1.4723690
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003, KAKENHI-PROJECT-22241024
[雑誌論文] Line width dependence of anisotropic strain state in SiGe films induced by selective ion implantation2011
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, S.Nagakura, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4 号: 9 ページ: 095701-095701
- DOI
  10.1143/apex.4.095701
- NAID
  10029622735
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels2011
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, K.Arimoto, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 88 ページ: 465-468
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Self-diffusion in compressively strained Ge2011
- 著者名/発表者名
  Yoko Kawamura, Masashi Uematsu, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Yasuhiro Shiraki, Eugene E.Haller, Kohei M.Itoh
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 110 号: 1
- DOI
  10.1115/1.4004462
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Line width dependence of anisotropic strain state in SiGe films induced by selective ion implantation2011
- 著者名/発表者名
  Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, S. Nagakura, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4 ページ: 95701-95701
- NAID
  10029622735
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Aluminum oxide for an effective gate in Si/SiGe two-dimensional electron gas systems2011
- 著者名/発表者名
  Yun-Sok Shin, Roland Brunner, Akihiro Shibatomi, Toshiaki Obata, Tomohiro Otsuka, Jun Yoneda, Yasuhiro Shiraki, Kentarou Sawano, Yasuhiro Tokura, Yuichi Harada, Koji Ishibashi, Seigo Tarucha
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 26
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Metallic Behavior of Cyclotron Relaxation Time in Two-Dimensional Systems2011
- 著者名/発表者名
  R. Masutomi, K. Sasaki, I. Yasuda, A. Sekine, K. Sawano, Y. Shiraki, and T. Okamoto
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters
  
  巻: 106 号: 19 ページ: 196404-196404
- DOI
  10.1103/physrevlett.106.196404
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21244047, KAKENHI-PROJECT-21246003, KAKENHI-PROJECT-23740233
[雑誌論文] Linewidth of Low-Field Electrically Detected Magnetic Resonance of Phosphorus in Isotopically Controlled Silicon2011
- 著者名/発表者名
  Hiroki Morishita, Eisuke Abe, Waseem Akhtar, Leonid S.Vlasenko, Akira Fujimoto, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Lukas Dreher, Helge Riemann, Nikolai V.Abrosimov, Peter Becker, Hans-J.Pohl, Mike L.W.Thewalt, Martin S.Brandt, Kohei M.Itoh
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10027782881
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Electrical detection of cross relaxation between electron spins of phosphorus and oxygen-vacancy centers in silicon2011
- 著者名/発表者名
  W.Akhtar, H.Morishita, K.Sawano, Y.Shiraki, L.S.Vlasenko, K.M.Itoh
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 84 号: 4 ページ: 45204-45204
- DOI
  10.1103/physrevb.84.045204
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003, KAKENHI-PROJECT-22241024
[雑誌論文] Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique2010
- 著者名/発表者名
  Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, AtsunoriYamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 ページ: 2454-2454
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Quantum Transport and Cyclotron Resonance Study of Ge/SiGe Quantum Wells in High Magnetic Fields2010
- 著者名/発表者名
  N.Miura, N.V.Kozlova, K.Dorr, J.Freudenberger, L.Schultz, O.Drachenko, K.Sawano, Y Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Low Temperature Physics
  
  巻: 159 ページ: 222-225
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers2010
- 著者名/発表者名
  R.E.Balderas-Navarro, L.F.Lastras-Martinez, K.Arimoto, R.Castro-Garcia, O.Villalobos-Aguilar, A.Lastras-Martinez, K.Nakagawa, K.Sawano, Y.Shiraki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Landau level crossing and pseudospin phase transitions in Si quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  Kohei Sasaki, Ryuichi Masutomi, Kiyohiko Toyama, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Tohru Okamoto
- 雑誌名
  
  Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures
  
  巻: 42 ページ: 1018-1021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Ultrashallow Ohmic contacts for n-type Ge by Sb --doping2010
- 著者名/発表者名
  K. Sawano, Y. Hoshi, K. Kasahara, K. Yamane, K. Hamaya, M. Miyao, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 97 ページ: 162108-162108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 33 ページ: 467-472
- NAID
  110008900164
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique2010
- 著者名/発表者名
  Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami,K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 107 ページ: 103509-103509
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Cyclotron resonance of two-dimensional electrons in a Si quantum well2010
- 著者名/発表者名
  R.Masutomi, A.Sekine, K.Sasaki, K.Sawano, Y.Shiraki, T.Okamoto
- 雑誌名
  
  Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures
  
  巻: 42 ページ: 1184-1187
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Ultrashallow Ohmic contacts for n-type Ge by Sb δ-doping2010
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y Hoshi, K.Kasahara, K.Yamane, K.Hamaya, M.Miyao, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique2010
- 著者名/発表者名
  Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, Atsunori Yamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 2454-2456
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, K.Arimoto, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Excitonic Aharonov-Bohm effect in isotopically pure 70GeO Si self-assembled type-II quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  Satoru Miyamoto, Oussama Moutanabbir, Toyofumi Ishikawa, Mikio Eto, Eugene E.Haller, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Kohei M.Itoh
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 82
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Room-temperature electroluminescence from Si microdisks with Ge quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  J. Xia, Y. Takeda, N. Usami, T. Maruizumi, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 18 ページ: 13945-13950
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Probing the Behaviors of Point Defects in Silicon and Germanium Using Isotope Superlattices2009
- 著者名/発表者名
  Masashi Uematsu, Miki Naganawa, Yasuo Shimizu, Kohei M.Itoh, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Eugene E.Haller
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 25
  
  ページ: 51-54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Local Control of Strain in SiGe by Ion Implantation Technique2009
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Hoshi, Y.Hiraoka, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 806-808
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Well-width dependence of valley splitting in Si/SiGe quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  Kohei Sasaki, Ryuichi Masutomi, Kiyohiko Toyama, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Tohru Okamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates2009
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 809-813
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures2009
- 著者名/発表者名
  K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 95 ページ: 122109-122109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(110) substrates2009
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Genki Kawaguchi, Kana Shimizu, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 814-818
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures2009
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method2009
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, Y.Hiraoka, Y.Sato, Y.Ogawa, A.Yamada, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 825-828
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates2009
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 53
  
  ページ: 1135-1143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Local Control of Strain in SiGe by IonImplantation Technique2009
- 著者名/発表者名
  K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, N. Usami , K. Nakagawa, Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 806-808
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Electrical detection and magnetic-field control of spin states in phosphorus-doped silicon2009
- 著者名/発表者名
  H.Morishita, L.S.Vlasenko, H.Tanaka, K.Semba, K.Sawano, Y.Shiraki, M.Eto, K.M.Itoh
- 雑誌名
  
  Physical Review B 80
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Generation and Wavelength Control of Resonant Luminescence from Silicon Photonic Crystal Microcavities with Ge Dots2009
- 著者名/発表者名
  Jinsong Xia, Ryuichiro Tominaga, Seiji Fukamitsu, Noritaka Usami, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  40016464751
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures2009
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 819-824
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Insulating phases induced by crossing of partially filled Landau levels in a Si quantum well2009
- 著者名/発表者名
  Tohru Okamoto, Kohei Sasaki, Kiyohiko Toyama, Ryuichi Masutomi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Physical Review B 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Electroluminescence from micro-cavities of photonic crystals, micro-disks and rings including Ge dots formed on SOI substrates2012
- 著者名/発表者名
  Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  221st ECS Meeting
- 発表場所
  Seattle, Washington, US
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Electroluminescence from micro- cavities of photonic crystals, micro- disks and rings including Ge dots formed on SOI substrates2012
- 著者名/発表者名
  Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  Invited221st ECS Meeting
- 発表場所
  Seattle, Washington, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Surface segregation behavior of Sb, B, Ga, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) surface examined with a first-principles method2011
- 著者名/発表者名
  T.Maruizumi, Jiro Ushio, Shotaro Abe, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Si微小共振器中Ge量子ドットによる発光素子の開発2011
- 著者名/発表者名
  丸泉琢也、夏金松、白木靖寛
- 学会等名
  電子通信情報学会2011年総合大会
- 発表場所
  東京都市大(東京都)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Fabrication of strained thin-film GOT based on wafer bonding2011
- 著者名/発表者名
  Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Kohei Hamaya, Masanobu Miyao, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Temperature dependence of two-dimensional hole gas mobility in a strained Ge quantum well2011
- 著者名/発表者名
  T.Tanaka, K.Sawano, Y.Hoshi, Y.Shiraki, K.M.Itoh
- 学会等名
  The 19th international conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS19)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2011-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-k Gate Stacks for Advanced CMOS2011
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  220th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Boston, MA, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Electroluminescence of a Si-based light emitting device using photonic crystal microcavity with self-assembled Ge dots2011
- 著者名/発表者名
  T.Tsuboi, J.S.Xia, X.Xu, N.Usami, T.Maruizumi, Y.Shiraki
- 学会等名
  E-MRS 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2011-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] A novel RCE waveguide photodetector based on SiGe/Si multiple-QWs2011
- 著者名/発表者名
  Xuejun Xu, Jinsong Xia, Takuya Maruizumi, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Stripe line width dependence of anisotorpic strain states induced into SiGe films by selective ion implantation technique2011
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 学会等名
  E-MRS 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2011-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Surface segregation behavior of B, Ga, Sb, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) examined with a first-principles method2011
- 著者名/発表者名
  F.Iijima, K.Sawano, T.Maruizumi, Y.Shiraki
- 学会等名
  15th International Conference on Thin Films
- 発表場所
  京都テルサ、京都
- 年月日
  2011-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Room temperature electroluminescence from Ge quantum dots embedded in photonic crystal microcavity2011
- 著者名/発表者名
  Toshiki Tsuboi, Jinsong Xia, Xuejun Xu, Yuuki Takeda, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Microstructure Change of Si0.99C0.01 Thin Films Caused by Arsenic-Ion-, Boron-Ion-, and Silicon-Ion-Implantation and Successive Rapid Thermal Annealing Treatment2011
- 著者名/発表者名
  Shigenori Inoue, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Atsushi Moriya, Yasuhiro Inokuchi, Yasuo Kunii
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels2010
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 学会等名
  E-MRS 2010 Spring Meeting, Symposium H
- 発表場所
  Strasbourg (France)
- 年月日
  2010-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Study of HfO2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron2010
- 著者名/発表者名
  Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  218th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Las Vegas (USA)
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] イオン注入法によるSi(111)基板上緩和SiGeバッファ層の作製2010
- 著者名/発表者名
  久保智史, 澤野憲太郎, 星裕介, 中川清和, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Ge(111)への高濃度Sbデルタドーピングによる低抵抗コンタクト形成2010
- 著者名/発表者名
  竹田圭吾, 星裕介, 笠原健司, 山根一高, 澤野憲太郎, 浜屋宏平, 宮尾正信, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製2010
- 著者名/発表者名
  福岡佑二, 小寺哲夫, 大塚朋廣, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 内田建, 白木靖寛, 樽茶清悟, 小田俊理
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Effect of line width on uniasial strain states of SiGe layers fabricated by selective ion implantation2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 学会等名
  5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  Stockholm (Sweden)
- 年月日
  2010-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] (110)面を表面に有する歪みSiの正孔移動度と結晶モフォロジーとの関係2010
- 著者名/発表者名
  八木聡介, 有元圭介, 中川清和, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 澤野憲太郎, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Ar^+およびSi^+イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響2010
- 著者名/発表者名
  星裕介, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 有元圭介, 中川清和, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性2010
- 著者名/発表者名
  榑林徹, 星裕介, 那須賢太郎, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] 選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価2010
- 著者名/発表者名
  永倉壮, 星裕介, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 中川清和, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Ge量子ドットを有する1次元フォトニック結晶微小共振器による1,3μm帯での単一ピーク発光2010
- 著者名/発表者名
  小林正人、夏金松、武田雄貴、宇佐美徳隆、丸泉琢也、白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] フォトニック結晶微小共振器を用いたSi系発光デバイスのエレクトロルミネッセンス2010
- 著者名/発表者名
  坪井俊紀、夏金松、深水聖司、宇佐美徳隆、丸泉琢也、白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価II2010
- 著者名/発表者名
  小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 野平博司, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Material aspects and characterization of Si/Ge hetero-structures on nano-scale for electronic and optical deviceapplications2009
- 著者名/発表者名
  Y. Shiraki
- 学会等名
  Invited1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09)
- 発表場所
  Vigo, Spain
- 年月日
  2009-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Material aspects and characterization of Si/Ge hetero-structures on nano-scale for electronic and optical device applications (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  白木靖寛
- 学会等名
  1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09)
- 発表場所
  Vigo, Spain
- 年月日
  2009-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003

1. 尾鍋研太郎 (50204227)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
2. 深津晋 (60199164)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 0件
3. 伊藤良一 (40133102)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 0件
4. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 37件
5. 近藤高志 (60205557)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
6. 長田俊人 (00192526)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
7. 矢口裕之 (50239737)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
8. 安田幸夫 (60126951)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
9. 黄晋二 (50323663)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
10. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 27件
11. 堀池靖浩 (20209274)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
12. 小宮山進 (00153677)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
13. 柊元宏 (50013488)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
14. 片山竜二 (40343115)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
15. 前川禎通 (60005973)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
16. 多田邦雄 (00010710)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
17. 小長井誠 (40111653)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
18. 伊藤公平 (30276414)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
19. 竹田美和 (20111932)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
20. 八百隆文 (60230182)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
21. 吉川明彦 (20016603)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
22. 永宗靖 (20218027)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
23. 前田康二 (10107443)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
24. 鈴木邦夫 (50107439)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
25. 目良裕 (40219960)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
26. 荒川泰彦 (30134638)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
27. 三浦登 (70010949)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
28. 呉軍 (80313005)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
29. LIM Kee Youn

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
30. CHANG Kee Jo

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
31. MIN Suk Ki

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
32. LEE Hyung Ja

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
33. CHOI Byung D

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
34. 丸泉琢也 (00398893)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
35. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
36. 澤野憲太郎 (90409376)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 53件
37. 瀬戸謙修 (10420241)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 徐学俊 (80593334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
39. 夏金松 (00434184)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
40. 松井敏明 (20358922)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
41. 宮田典幸 (40358130)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
42. 松田祐司 (50199816)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
43. 魚住清彦 (20011124)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
44. 工藤徹一 (90205097)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
45. 佐々木昭夫 (10025900)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
46. 伊藤利道 (00183004)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
47. 越田信義 (50143631)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
48. 舛本泰章 (60111580)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
49. 平井宏 (30251325)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
50. 吉岡大二郎 (30114713)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
51. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
52. 立花明知 (40135463)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
53. 冬木隆 (10165459)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
54. 宇治原徹 (60312641)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
55. 佐崎元 (60261509)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
56. 中嶋一雄 (80311554)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
57. 中島尚男 (20198071)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
58. 浅田雅洋 (30167887)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
59. 福井孝志 (30240641)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
60. 冷水佐壽 (50201728)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
61. 小間篤 (00010950)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
62. 佐藤徹哉 (20162448)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
63. 榊裕之 (90013226)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
64. 平川一彦 (10183097)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
65. 安藤恒也 (90011725)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
66. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
67. 荒井英輔 (90283473)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
68. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
69. 櫻庭政夫 (30271993)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
70. 鶴島稔夫 (10236953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
71. 松波弘之 (50026035)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
72. 藤井俊夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
73. 片山良史

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
74. 岡山秀彰

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
75. 坂本統徳

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
76. 伊澤達夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
77. 徐長青

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
78. XU Chang-Qing

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
79. 枡富龍一

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
80. 岡本徹

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

白木 靖寛 SHIRAKI Yasuhiro

研究課題

研究成果

共同研究者

革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

不均一歪み場制御による無フォノン励起子発光増大に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

機能性IV族半導体超構造の結晶成長と高機能集積回路への応用に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

白木靖寛 SHIRAKI Yasuhiro