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廣瀬 全孝  HIROSE Masataka

ORCIDORCID連携する *注記
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広瀬 全孝  HIROSE Masataka

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研究者番号 10034406
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1987年度 – 1998年度: 広島大学, 工学部, 教授
1986年度: 広島大, 工学部, 教授
1985年度: 広島大学, 工, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 計算機科学
キーワード
研究代表者
表面反応 / FT-IR-ATR / 質量分析 / 吸着ラジカル / LPCVD / 原子間力顕微鏡 / AFM / SiO_2 / デジタルエッチング / レーザ誘起光化学反応 … もっと見る / プラズマ / Grow Discharge Plasma / Epitaxy / Radical Beam / ラマン散乱分光 / 反射高速電子線回析 / RHEED / EC放電 / 電子サイクロトロン共鳴 / グロー放電プラズマ / エピタキシャル成長 / ラジカルビーム / Photochemical Reaction / Vacuum Ultra-Violet / Photochemical Etching / 真空紫外光 / 光化学反応 / 真空紫外線 / 光励起クリーニング / intial uncleathion / laser CVD / excimer laser / 選択CVD / 初期核形成 / レーザーCVD / エキシマーレーザー / luminessence at room temperature / atomic force microscopy / tunneling current / resonant tunneling / double barrier structure / self-assembling / silicon quantum dot / 帯電 / 光電子スペクトル / 可視域発光 / フォトルミネッセンス / 室温量子効果 / 化学気相成長 / 室温発光 / トンネル電流 / 共鳴トンネル効果 / 二重障壁構造 / 自己組織化 / シリコン量子ドット / Selective growth technique / Planarization technique / Real time monitoring / Silicon dioxide / Plasma CVD / シリコン薄膜 / 選択成長法 / 平坦化技術 / その場観察 / 全反射赤外吸収分光 / シリコン酸化膜 / プラズマCVD / Si interface / Layr-by-layr oxidation / Atomic step structure / Hydrogen-terminated Si / Surface microroughness / Silicon surface / 全反射赤外吸収分析 / 表面酸化 / 圧縮性応力 / LOフォノン / layer by layer酸化 / 表面モフォロジー / Si界面 / 原子層酸化 / 原子ステップ構造 / 水素終端表面 / 表面マイクロラフネス / シリコン表面 / レーザ誘起脱離 / 弗化層 / エクシマレーザ / エッチング / ジシラン吸着層 / レ-ザ誘起反応 / エキシマレ-ザ / 炭酸ガスレ-ザ / マイクロロ-ディング / 冷却プラズマCVD / レ-ザ誘起光化学反応 / デジタルCVD … もっと見る
研究代表者以外
プラズマの制御 / 反応性プラズマ / プラズマプロセシング / Hydrogen Terminated Si Surface / Interface State Density / Photoelectron Escape Depth / Valence Band State Density / Surface States Density / Sur11face Fermi Level / Photoelectron Yield Spectroscopy / c-Si Interface / Ultrathin SiO_2 / 仕事関数 / 電子占有状態 / 極薄シリコン酸化膜 / 表面準位 / 界面準位 / 表面・界面欠陥 / 光電子収率分光 / ケルビンプローブ / 欠陥準位密度 / 水素終端Si処理 / 界面準位密度 / 光電子脱出深さ / 価電子帯状態密度 / 表面準位密度 / フェルミ準位 / 光電子収率分光法 / Si界面 / 極薄SiO_2 / SS-CDMA cellular system / wireless multimedia / optical waveguide / parallel optical wiring / flexware system / super-parallel image processing / dielectric breakdown / thin gate oxide / SAW機能素子 / スペクトラム拡散通信 / パターン認識 / 光インターコネクション / Flexware / Neuron-MOS / デバイスシミュレーション / SAM相関器 / グレーティングカプラ / 光導波路 / 右脳的情報処理 / ホットキャリア効果 / キャリア輸送 / SAW相関器 / CDMA / SS / コホ-ネンネット / プロセッサ・メモリ融合ユニット / 4端子デバイス / ホットエレクトロン / 近似同期CDMA符号 / パケットSS-CDMAシステム / 超並列画像処理システム / 特徴量プリプロセス / 上位桁先行演算 / DSP / セル化SS-CDMAシステム / 光配線 / 超並列画像処理 / 酸化膜絶縁破壊 / spectra simulation / plasma-induced damage / semiconductor detector / impurity profile / surface damage / time of flight measurement / ion implanter / medium energy ion scattering / アンチモンイオン注入 / コンタクトホール / アルゴンプラズマ / スペクトルシミュレーション / プラズマ損傷 / 半導体検出器 / 不純物分布 / 表面損傷 / 飛行時間測定 / イオン注入装置 / 中速イオン散乱 / VLSI Design Education / Full custom LSI / Gate arrays / Multi-project chip / VLSI chip implementation service / VLSI設計教育 / フルカスタムLSI / ゲートアレイ / マルチプロジェクトチップ / VLSIチップ試作サービス / quantum size effects / ATM-AFM / spectroscopic ellipsometry / silicon / surface reaction / in situ observation / semiconductors / mesoscopic structure / ポリシリコン / アモルフアス・シリコン / 自己組織化 / 新機能創製 / 原子レベル制御 / フリーラジカル / 量子サイズ効果 / STM-AFM / 分光エリプソメトリー / シリコン / 表面反応 / その場観察 / 半導体 / メゾスコピック構造 / プラズマプロセス / プロセシングプラズマ 隠す
  • 研究課題

    (21件)
  • 共同研究者

    (30人)
  •  高感度光電子収率分光による極めて薄い酸化膜/シリコン界面の欠陥密度定量評価

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  時間情報俊瞬時処理システム

    • 研究代表者
      坪内 和夫
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1998
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  シリコン量子ドット構造の自己組織化形成法の研究研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  大学におけるVLSIシステム設計教育高度化のための総合的研究

    • 研究代表者
      南谷 崇
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      計算機科学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用

    • 研究代表者
      横山 新
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  メゾスコピック構造形成のためのフリーラジカル制御

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  低温半導体表面吸着分子のレーザ誘起反応の機構と原子層プロセス研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  水素終端シリコン表面の原子層酸化の機構と界面構造研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝 (廣瀬 全孝)
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  極微細溝への酸化膜の選択成長法の開発とギガビットメモリ配線への応用研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝 (廣瀬 全孝)
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  低温半導体表面吸着分子のレ-ザ誘起反応の機構と原子層成長研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  反応性プラズマの制御(とりまとめ)

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  プラズマ-表面相互作用の制御研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  プラズマ-表面相互作用の制御研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  プラズマ-表面相互作用の制御研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究機関
      京都大学
  •  ラジカルビーム・エピタキシの基礎過程に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  真空紫外光励起化学反応による半導体表面清浄化プロセスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1984 – 1986
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  エキシマー・レーザーによる選択デポジションの基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      広瀬 全孝
    • 研究期間 (年度)
      1983 – 1985
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  • 1.  宮崎 誠一 (70190759)
    共同の研究課題数: 11件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  籏野 嘉彦 (90016121)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  板谷 良平 (90025833)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  田頭 博昭 (10001174)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  後藤 俊夫 (50023255)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  菅野 卓雄 (50010707)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  堀池 靖浩 (20209274)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  川崎 昌博 (70110723)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  横山 新 (80144880)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  末宗 幾夫 (00112178)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  林 俊雄
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  清水 勇 (40016522)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  小田 俊理 (50126314)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  板谷 謹悟 (40125498)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  南谷 崇 (80143684)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  安浦 寛人 (80135540)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  天野 英晴 (60175932)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  上田 和宏 (60203436)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  鳳 紘一郎 (60211538)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  坪内 和夫 (30006283)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  大見 忠弘 (20016463)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  谷口 研二 (20192180)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  長田 昭義 (00164426)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  山西 正道 (30081441)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  小谷 秀夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  松田 彰久
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  桜田 勇蔵
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  三宅 潔
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  小宮 宗治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  KOMIYA Nobuharu
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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