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長谷川 英機  HASEGAWA Hideki

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

長谷川 秀機  ハセガワ ヒデキ

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研究者番号 60001781
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2005年度 – 2008年度: 北海道大学, 名誉教授
2004年度: 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授
1999年度 – 2003年度: 北海道大学, 大学院・工学研究科, 教授
1997年度 – 1998年度: 北海道大学, 工学研究科, 教授
1997年度: 北海道大学, 大学院・工学研究科, 教授 … もっと見る
1986年度 – 1996年度: 北海道大学, 工学部, 教授
1994年度: 北海道大学工学部, 教授
1993年度 – 1994年度: 北海道大学, 工学部・電気工学科, 教授
1985年度: 北海道大学, 工, 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 表面界面物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 薄膜・表面界面物性
研究代表者以外
電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性 / 極微細構造工学 / 電子デバイス・機器工学 / 表面界面物性
キーワード
研究代表者
フェルミ準位ピンニング / 化合物半導体 / 界面制御 / 集積回路 / 単電子デバイス / Fermi level pinning / 界面準位 / 量子デバイス / ナノ構造 / ショットキー極限 … もっと見る / 電気化学プロセス / 表面・界面準位 / フォトルミネセンス / MIS / InGaAs / 表面不活性化 / 表面準位 / 量子ドット / トンネル障壁 / MMIC / ショットキーゲート / InP MISFET / Schottky limit / electrochemical process / パルス法 / インジウムリン / 半導体界面 / 金属 / ECRプラズマ / 量子細線 / 量子井戸 / interface control / MISFET / CCD / Compound Semiconductor / Photoluminescence / 半導体自由表面 / ピンニング / GaAs / III-V族化合物半導体 / 原子スケール制御 / 高密度集積化 / 表面・界面 / トンネル現象 / 量子現象 / クーロンブロッケード / 単電子トランジスタ / Integrated Circuit / Slow-wave / Microwave / MIS Structure / Schottky Junction / Coplanar Waveguide / クロスタイコプレーナ線路 / 固体進行波相互作用 / 漏波 / 遅延 / 電磁波伝搬 / 半導体キャリア / 遅波 / マイクロ波 / MIS接合 / ショットキ接合 / コプレ-ナ線路 / nanowire / integrated sensor / sensor network / Schottky diode / nitride semiconductors / liquid sensor / hydrogen sensor / 2分決定論理 / ナノ細線 / 集積化センサ / センサネットワーク / ショットキダイオード / 窒化物半導体 / 溶液センサ / 水素センサ / Quantum Transport / Power-Delay Product / Quantum Wire Network / Schottky Gate / Quantum Dots / Hexagonal BDD Quantum Circuit / Binary Decision Diagram (BDD) / Single Electron Circuit / ヘキサゴナルBDD量子回路 / 量子輸送 / 電力・遅延積 / 量子細線ネットワーク / ナノショットキーゲート / ヘキサゴナルBDD回路 / 二分決定グラフ(BDD) / 単電子回路 / selective MBE growth / Schottky gate / integrated circuit / memory / logic circuit / quantum limit / III-V compound semiconductor / quantum wire transistor / MBE選択成長 / 記憶回路 / 論理回路 / 量子限界 / 量子細線トランジスタ / quantum device / conductive prove AFM / nano-metal dot array / compound semiconductor / nano-Schottky contact / 単電子インバータ / 単電子メモリ回路 / 金属仕事関数依存性 / ショットキー障壁高制御 / 金属ドット / ナノスケールショットキー接合 / 導電性プローブAFM / ナノ金属ドットアレイ / ナノショットキー接合 / ultra high-frequency and high speed devices / unified DIGS model / ECR plasma process / insulated-gate structure / InP-based materials / ultrathin Si quantum well / 超高周波大電力デバイス / 統一DIGSモデル / 絶縁ゲート / InP系化合物半導体 / 超薄膜シリコン量子井戸 / Schottky barrier height / nano metal particle / Fermi-level pinning / metal-semiconductor interface / ショットキー障壁高 / 金属微粒子 / oxynitride film / ECR plasma / ultrathin insulator / hydrogen-terminated surface / interface state / surface state / UHV-based system / contactless C-V / 原子スケール表面制御 / トンネル絶縁膜 / 極薄絶縁膜 / 非接触C-V / 酸窒化膜 / 極博絶縁膜 / 水素終端シリコン表面 / 表面プロセス / 超高真空一貫システム / 非接触・C-V / high-density intgration / atomic-scale control / quantum devices / quantum dot / tunnel barrier / surfaces and interfaces / nanostructure / Single electron devices / photoluminescence / silicon interface control layr / surface passivation / surface and interface states / compound semiconductors / quantum wire / quantum well / シリコン界面制御層 / Surface passivation / Quantum well / Interface control / interface stete / Surface / Compound semiconductor / Quantum structure / 表面電気伝導 / 界面制御層 / 量子構造 / MBE / interface states / interface / MIS構造 / 電荷撮像素子 / 超薄膜 / インジウムガリウム砒素 / シリコン / 分子線エピタキシー / MIS形電界効果トランジスタ / 界面 / 電荷転送撮像素子 / Schottky Barrier / In-Situ Measurement / Hetero-Junction / Free Surface / Surface State Density / Surface Recombination / 計算機シミュレ-ション / 表面準位分布 / 半導体 / 表面再結合 / ショットキー障壁 / ヘテロ界面 / 表面準位密度分布 / in-situ評価 / ショットキ界面 / DIGSモデル / フェルミ準位ヒンニンク / 絶縁体-半導体界面 / PL / C-V / 消費電力 / 高誘電率膜 / ガリウムナイトライド / ガリウムヒソ / 2次元電子ガス / インターディジタル型遅波構造 / テラヘルツデバイス / 半導体プラズマ / 進行波型半導体デバイス / 集積化 / 量子コンピューティング … もっと見る
研究代表者以外
MBE / 化合物半導体 / 電気化学プロセス / GaAs / インジウムリン / ショットキー障壁 / ヘテロ接合 / Schottky barrier / 単電子トランジスタ / フェルミ準位ピンニング / 半導体界面 / ショットキー接合 / 界面反応 / 金属ー半導体界面 / MOVPE / HEMT / electrochemical process / indium phosphide / MOCVD / InGaAs / Semiconductor / 量子ドット / 結晶成長 / 半導体 / InMnAs / InAs / MIS structure / Compound semiconductor / MMIC / MIS構造 / パルス法 / 溶液 / レヤバイレヤ加工 / 超微細加工 / 超格子 / 電子波エレクトロニクス / 量子干渉効果 / 電子波デバイス / シリコン / ショットキ-障壁 / 積層構造 / Traveling-wave amplification / Microwave device / Superlattice / プラズマCVD / 進行波増幅 / マイクロ波素子 / 超格子構造 / ultrathin Si control layer / interface control / シリコン超薄膜制御層 / 界面制御 / Schottky gate / single electron transistor / quantum wire transistor / split gate / in-plane gate / 2DEG / quantum structure / ショットキーゲット / ショットキーゲート / 量子細線トランジスタ / スプリットゲート / インプレーンゲート / 2次元電子ガス / 量子構造 / optical communication system / micro-wave devices / optoelectronic ICs / FET / 光通信システム / マイクロ波デバイス / 光電子集積回路 / 電界効果トランジスタ / Quantum Dots / Crystal Growth / 有機金属気相成長法 / シングル・エレクトロニクス / トンネル現象 / 単電子エレクトロニクス / 超高速エレクトロニクス / ナノ・パワー・エレクトロニクス / クーロン・ブロッケード / Interface State / Inp / solid state TWA / 磁性薄膜 / ヘテロ界面 / 界面準位 / InP / 固体進行波素子 / Quantum dot / Cryxtal growth / Anomalous Hall Effect / Compound Semiconductors / III-V Compounds / Diluted Magnetic Semiconductors / 磁気抵抗効果 / 半磁性半導体 / 分子線エピタキシ / 異常ホ-ル効果 / IIIーV族 / 希薄磁性半導体 / Helix type slow wave circuits / Interdigital slow wave circuits / Microwave amplification / Solid state traveling wave interaction / 遅波線路 / ヘリックス型遅波線路 / インタディジタル遅波線路 / マイクロ波増幅 / 固体進行波相互作用 / 近藤効果 / 単電子メモリー / 相補型単電子インバータ / フォトニック結晶 / カゴメ格子 / 2分岐決定ダイアグラム / 量子ナノ構造 / 選択成長 / 有機金属気相成長 / ナノショットキー / 自然酸化膜 / 表面処理 / 原子スケール制御 / 単量子効果 / メゾスコピック現象 / メゾンスコピック現象 / 積層薄膜構造 / 構造安定性 / 電子状態 隠す
  • 研究課題

    (42件)
  • 研究成果

    (220件)
  • 共同研究者

    (59人)
  •  化合物半導体MIS界面準位に関するピンニング・スポット面内分布モデル研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      2008
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  電界移動型量子ドットを用いた室温動作高速・超低消費電力単電子スイッチ素子の研究研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  窒化ガリウムナノ細線を用いた化学センサとその集積化センサチップへの展開研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  半導体2次元電子ガスのプラズマ波によるミリ波・テラヘルツ進行波デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      2005
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  有機金属気相成長高密度量子ナノ構造による単電子集積エレクトロニクス

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2005
    • 研究種目
      学術創成研究費
    • 研究機関
      北海道大学
  •  ナノショットキーゲート制御量子ドットによるBDDアーキテクチャ単電子集積回路研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  量子限界近傍で動作するIII-V族量子細線トランジスタ論理・記憶集積回路の開発研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1999
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      北海道大学
  •  ナノスケールショットキー接合による金属-化合物半導体界面の物性制御と応用研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      北海道大学
  •  超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  金属-半導体界面におけるショットキー理想極限の実現とその電子デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単電子デバイスとその高密度集積化研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 2000
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      北海道大学
  •  ナノ構造の表面・界面の制御と単電子トンネル障壁の最適化研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1999
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  超高真空非接触・非破壊容量-電圧測定システムの開発研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単電子ナノエレクトロニクスの基礎研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  高ショットキー障壁MESFETを用いたInP系超高速集積回路の試作

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  2次元電子ガスへの直接ショットキーを接合を利用した量子構造の研究

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      極微細構造工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単電子エレクロニクスの基礎研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  自己組織化機構を利用した半導体立体量子構造の形成と評価

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単量子物性のための単原子制御

    • 研究代表者
      金原 粲
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  化合物半導体量子構造の量子準位と表面・界面準位の相互作用とその制御の研究研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  電子波デバイスのための極限構造の制御と評価

    • 研究代表者
      蒲生 健次
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  原子スケール利御薄膜・表面

    • 研究代表者
      金原 粲
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  選択成長を利用した半導体量子ドットの作製と物性の研究

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  固体進行波モードおよび静磁波モードを用いた高い機能集積度を有するMMICの製作

    • 研究代表者
      赤澤 正道
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  金属ー半道体積層界面の基礎

    • 研究代表者
      平木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  電子波デバイスのための極限構造の制御と評価

    • 研究代表者
      蒲生 健次
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  半導体自由表面の表面準位分布の非接触測定とそれにもとづく表面の工学的制御研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  界面制御されたInGaAsを用いた高空間分解能撮像デバイスの試作研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  金属ー半導体積層界面の基礎

    • 研究代表者
      平木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  IIIーV族希薄磁性半導体の成長と評価

    • 研究代表者
      大野 英男
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  金属ー半導体積層界面の基礎

    • 研究代表者
      平木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  半導体基板とヘリックス遅波線路とを混成した構造を有する固体進行波型増幅素子の試作

    • 研究代表者
      飯塚 浩一
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  半導体キャリアの分布定数効果を利用した新しいマイクロ波モノリシック集積回路の製作研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機 (長谷川 秀機)
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  積層構造(金属-半導体,絶縁体-半導体)の総合的研究

    • 研究代表者
      平木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  化合物半導体-絶縁体界面の物性と応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  化合物半導体超格子構造を用いた進行波増幅素子の試作に関する研究

    • 研究代表者
      深井 一郎
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1986
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学

すべて 2009 2008 2007 2006 2005

すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] "Large-Scale Integration of Quantum Dot Devices on MBE-Based Quantum Wire Networks" in Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots (Ed. Oliver G. Schmidt)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai
    • 出版者
      Springer-Verlag (Berlin, Heidelberg)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Distributed Pinning Spot Model for Highk Insulator - III-V Semiconductor Interfaces2009

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol. 7

      ページ: 122-128

    • NAID

      130004439129

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Current Transport, Fermi Level Pinning and Transient Behavior of Group-III Nitride Schottky Barriers2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      J. Korean Physical Society 54(印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Distributed Pinning Spot Model for High-k Insulator-III-V Semiconductor Interfaces2009

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7

      ページ: 122-128

    • NAID

      130004439129

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] 化合物半導体電子デバイスおよび関連材料研究の歴史的発展と将来展望(招待論文)2009

    • 著者名/発表者名
      長谷川英機
    • 雑誌名

      電子情報通信学会和文論文誌C (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Distributed Pinning Spot Model for High-k Insulator-III-V Semiconductor Interfaces2009

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7

      ページ: 122-128

    • NAID

      130004439129

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Current Transport, Fermi Level Pinning and Transient Behavior of Group-III Nitride Schottky Barriers2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 雑誌名

      J. Korean Physical Society 54(印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] Histrical Evolution and Future Prospects of Research on Compound Semiconductor Electron Devices and Related Materials (invited)2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. Vol. J92-C (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] 化合物半導体電子デバイスおよび関連材料研究の歴史的発展と将来展望2009

    • 著者名/発表者名
      長谷川英機
    • 雑誌名

      電子情報通信学会和文論文誌C (招待論文)(印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] Current Transport, Fermi Level Pinning and Transient Behavior of Group-Ill Nitride Schottky Barriers (invited)2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      J. Korean Physical Society vol. 54 (in press)

      ページ: 10-10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Steady State and Transient Behavior of Currents in Low-Leakage Planar Schottky Diodes Formed on A1GaN /GaN Heterostructures2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1542-1550

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] 化合物半導体界面におけるバンドアラインメントとフェルミ準位ピンニング(招待論文)2008

    • 著者名/発表者名
      長谷川英機
    • 雑誌名

      表面科学 29

      ページ: 76-83

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] On the Band Alignment and Fermi Level Pinning at Compound Semiconductor Interfaces (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Hyomen Kagaku Vol. 29, No. 2

      ページ: 76-83

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Surface passivation technology for III V semiconductor nanoelectronics (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 255

      ページ: 628-632

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] High Temperature Sensing Characteristics of a High Performance Pd/AlGaN/GaN Schottky Diode Hydrogen Sensor Obtained by Oxygen Gettering2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. c 5

      ページ: 1959-1961

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] PERFORMANCE COMPARISON OF InP AND AlGaN/GaN SCHOTTKY DIODE HYDROGEN SENSORS2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Proceeding of International Conference on Indium Phosphide and related Materials 20

      ページ: 1-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] PERFORMANCE COMPAEISON OF InP AND AlGaN/GaN SCHOTTKY DIODE HYDROGEN SENSORS2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Proceedings of International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 20

      ページ: 1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Surface passivation technology for III V semiconductor nanoelectronics (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science Vol. 255, No. 3

      ページ: 628-632

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] GaAs High-k Dielectric Metal-Insulator-Semiconductor Structure Having Silicon Interface Control Laver2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 5

      ページ: 2729-2732

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] Interface Models and Processing Technologies for Surface Passivation and Interface Control in III-V Semiconductor Nanoelectronics (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 254

      ページ: 8005-8015

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Interface Models and Processing Technologies for Surface Passivation andInterface Control in III-V Semiconductor Nanoelectronics2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 254(invited)

      ページ: 8005-8015

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] High Temperature Sensing Characteristics of a High Performance Pd/AlGaN/GaN Schottky Diode Hydrogen Sensor Obtained by Oxygen Gettering2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) Vol. 5, No. 6

      ページ: 1959-1961

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Mechanism and Control of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Barriers for Chemical Sensor Applications2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 254

      ページ: 3653-3666

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Surface passivation technology for III V semiconductor nanoelectronics2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 255(invited)

      ページ: 628-632

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] Steady State and Transient Behavior of Currents in Low-Leakage Planar Schottky Diodes Formed on AlGaN /GaN Heterostructures2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B Vol. 26, No. 4

      ページ: 1542-1550

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] PERFORMANCE COMPARISON OF InP AND AlGaN/GaN SCHOTTKY DIODE HYDROGEN SENSORS2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      accepted for publication in Proceeding of 20th International Conference on Indium Phosphide and related Materials

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Frequency Dispersion of GaAs High-k MIS Capacitors with Si Interface Control Laver2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1569-1578

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] 化合物半導体界面におけるバンドアラインメントとフェルミ準位ピンニング2008

    • 著者名/発表者名
      長谷川英機
    • 雑誌名

      表面科学 29

      ページ: 76-83

    • NAID

      10021165401

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Frequency Dispersion of GaAs High-k MIS Capacitors with Si Interface Control Layer2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B Vol. 26, No. 4

      ページ: 1569-1578

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] GaAs High-k Dielectric Metal-Insulator-Semiconductor Structure Having Silicon Interface Control Layer2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      accepted for publication in phys. stat. sol. c 5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] High Temperature Sensing Characteristics of a High Performance Pd/AlGaN/GaN Schottky Diode Hydrogen Sensor Obtained by Oxygen Gettering2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 5

      ページ: 1959-1961

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Mechanism and Control of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Barriers for Chemical Sensor Applications (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Siuface Science 254

      ページ: 3653-3666

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Interface Models and Processing Technologies for Surface Passivation and Interface Control in III-V Semiconductor Nanoelectronics (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science Vol. 254, No. 24

      ページ: 8005-8015

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] GaAs High-k Dielectric Metal-Insulator- Semiconductor Structixre Having Silicon Interface Control Layer2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 5

      ページ: 2729-2732

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Mechanism and Control of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Barriers for Chemical Sensor Applications (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science Vol. 254

      ページ: 3653-3666

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Interface Models and Processing Technologies for Surface Passivation and Interface Control in III-V Semiconductor Nanoelectronics2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science (in press ; available online) 254

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] High Temperature Sensing Characteristics of a High Performance Pd/A1GaN/GaN Schottky Diode Hydrogen Sensor Obtained by Oxygen Getterinn2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 5

      ページ: 1959-1961

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [雑誌論文] Surface passivation technology for III-V semiconductor nanoelectronics2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      accepted for publication in Applied Surface Science 254

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Frequency Dispersion of GaAs High-k MIS Capacitors with Si Interface Control Layer2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1569-1578

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] GaAs High-k Dielectric Metal-Insulator-Semiconductor Structure Having Silicon Interface Control Layer2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) Vol. 5, No. 9

      ページ: 2729-2732

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] steady State and Transient Behavior of Currents in Low-Leakage Planar Schottky Diodes Formed on AlGaN/GaN Heterostructures2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1542-1550

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] In-situ X-ray photoelectron spectroscopy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa, R. Jia
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) 204

      ページ: 1034-1040

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Control of Surfaces and Heterointerfaces of AlGaN/ GaN System for Sensor Devices and Their On-Chip Integration on Nanostructures (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Current Appl. Phys. Vol. 7

      ページ: 318-327

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Mechanism and Control of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Barriers for Chemical Sensor Applications (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa, M.Akazawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science (in press)(accepted for publication)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Formation of Ultrathin SiNx/ Si Interface Control Double Layer on (001) and (Hi) GaAs Surfaces for Ex-situ Deposition of High-k Dielectrics2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B Vol. 25, No. 4

      ページ: 1481-1490

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Large-Scale Integration of Quantum Dot Devices on MBE-Based Quantum Wire Networks2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai
    • 雑誌名

      Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots (Ed. Oliver G. Schmidt), Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg Part II.6.2

      ページ: 639-664

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Sensing Dynamics and Mechanism of a Pd/AlGaN /GaN Schottky Diode Type Hydrogen Sensor2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 4

      ページ: 2629-2633

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Formation of Ultrathin SiN_x/ Si Interface Control Double Layer on (001) and (111) GaAs Surfaces for Ex-situ Deposition of High-k Dielectrics2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 25

      ページ: 1481-1490

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Control of Surfaces and Heterointerfaces of AlGaN/GaN System for Sensor Devices and Their On-Chip Integration on Nanostructures (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Current Appl. Phys. 7

      ページ: 318-327

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] MBE growth and in situ XPS characterization of silicon interlayers on (111)B surfaces for passivation of GaAs quantum wire devices2007

    • 著者名/発表者名
      M.Akazawa, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol.301-302

      ページ: 951-954

    • NAID

      120000965574

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Selective MBE growth of hexagonal networks of trapezoidal and triangular GaAs nanowires on patterned (lll)B substrates2007

    • 著者名/発表者名
      Isao Tamai, Hideki Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol. 301-302

      ページ: 857-861

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Sensing Dynamics and Mechanism of a Pd/AlGaN/GaN Schottky Diode Type Hydrogen Sensor2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 4

      ページ: 2629-2633

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Formation of Ultrathin SiN_x/Si Interface Control Double Layer on (001) and (111) GaAs Surfaces for Ex-situ Deposition of High-k Dielectrics2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 25

      ページ: 1481-1490

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Control of surfaces and heterointerfaces of AlGaN/GaN system for sensor devices and their on-chip integration on nanostructures (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Current Applied Physics Vol.7

      ページ: 318-327

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Sensing Dynamics and Mechanism of a Pd/AlGaN/GaN Schottky Diode Type Hydrogen Sensor2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) Vol. 4, No. 7

      ページ: 2629-2633

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] MBE growth and in situ XPS characterization of silicon interlayers on (111) B sxirfaces for passivation of GaAs quantum wire devices2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 951-954

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Recent Progress and Surface-Related Key Issues in III-V Semiconductor Nanoelectronics(invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Korean Physical Society Vol.50, No.3

      ページ: 9-9

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Recent Progress and Surface-Related Key Issues in III-V Semiconductor Nanoelectronics (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Korean Physical Society Vol.50, No.3

      ページ: 9-9

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] In-situ X-ray photoelectron spectros copy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa, R. Jia
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) Vol. 204, No. 4

      ページ: 1034-1040

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] In-situ X-ray photoelectron spectroscopy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M.Akazawa, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) Vol.204, No.4

      ページ: 1034-1040

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Hydrogen Sensing Characteristics and Mechanism of Pd/AlGaN/GaN Schottky Diodes Subjected to Oxygen Gettering2007

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa, M.Akazawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol B Vol.25, No.4(in press)(accepted for publication)

    • NAID

      120000955872

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Selective MBE growth of hexagonal networks of trapezoidal and triangular GaAs nanowires on patterned (111) B substrates2007

    • 著者名/発表者名
      I. Tamai, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 857-861

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Formation of Ultrathin SiN_x/Si Interface Control Double Layer on (001) and (111) GaAs Surfaces for Ex-situ Deposition of High-k Dielectrics2007

    • 著者名/発表者名
      M.Akazawa, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol B Vol.25, No.4(in press)(accepted for publication)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Sensing Dynamics and Mechanism of a Pd/AlGaN /GaN Schottky Diode Type Hydrogen Sensor2007

    • 著者名/発表者名
      M.Akazawa, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) (in press)(accepted for publication)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Hydrogen Sensing Characteristics and Mechanism of Pd/AlGaN/GaN Schottky Diodes Subjected to Oxygen Gettering2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 25

      ページ: 1495-1503

    • NAID

      120000955872

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Selective MBE growth of hexagonal networks of trapezoidal and triangular GaAs nanowires on patterned (111)B substrates2007

    • 著者名/発表者名
      I.Tamai, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol.301-302

      ページ: 857-861

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] MBE growth and in situ XPS characterization of silicon interlayers on (lll)B surfaces for passivation of GaAs quantum wire devices2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol. 301-302

      ページ: 951-954

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Minority carrier diffusion lengths in MOVPE-grown n-and p-InGaN and performance of AlGaN/InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistors2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi, T. Hashizume, T. Fukui, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 787-790

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Minority carrier diffusion lengths in MOVPE-grown n- and p-InGaN and performance of AlGaN/InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistors2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi, T. Hashizume, T. Fukui, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth Vol. 298

      ページ: 787-790

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Hydrogen Sensing Characteristics and Mechanism of Pd/AlGaN /GaN Schottky Diodes Subjected to Oxygen Gettering2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B Vol. 25, No. 4

      ページ: 1495-1503

    • NAID

      120000955872

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Precisely Controlled Anodic Etching for Processing of GaAs-based Quantum Nanostructures and Devipps2006

    • 著者名/発表者名
      N. Shiozaki, T. Sato, M. Akazawam, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal de Physique IV Vol. 132

      ページ: 249-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Embedded Nanowire Network Growth and Node Device Fabrication for GaAs-Based High-Density Hexagonal BDD Quantum Circuits2006

    • 著者名/発表者名
      T.Tamura, I.Tamai, S.Kasai, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45, No.4

      ページ: 3614-3620

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Dynamics and Control of Recombination Process at Semiconductor Surfaces, Interfaces and Nanostructure (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa, T.Sato, S.Kasai, B.Adamowicz, T.Hashizume
    • 雑誌名

      Solar Energy Vol.80, No.6

      ページ: 629-644

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Device interference in GaAs quantum wire transistors and its suppression by surface passivation using Si interface control layer2006

    • 著者名/発表者名
      R. Jia, H. Hasegawa, N. Shiozaki, S. Kasai
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B Vol. 24, No. 4

      ページ: 2060-2068

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Sensing Mechanism of InP Hydrogen Sensors Using Pt Schottky Diodes Formed by Electrochemical Process2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, H.Hasegawa, T.Sato, T.Hashizume
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys Vol.45, No.4B

      ページ: 3414-3422

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Sensing mechanism of InP hydrogen sensors using Pt Schottky diodes formed by electrochemical process2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kimura, H. Hasegawa, T. Sato, T. Hashizume
    • 雑誌名

      Jpn. J. of Appl. Phys. 45

      ページ: 3414-3422

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Sensing mechanism of InP hydrogen sensors using Pt Schottky diodes formed by electrochemical process2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kimura, H. Hasegawa, T. Sato, T. Hashizume
    • 雑誌名

      Jpn. J. of Appl. Phys. Vol. 45, No. 4B

      ページ: 3414-3422

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Liquid Phase Sensors Using Open-Gate AlGaN/GaN HEMT Structure2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kokawa, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B Vol.24, No.4

      ページ: 1972-1976

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Large reduction of leakage currents in AlGaN Schottky diodes by a surface control process and its mechanism2006

    • 著者名/発表者名
      J. Kotani, M. Kaneko, H. Hasegawa, T. Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. & Technol. B Vol. 24, No. 4

      ページ: 2148-2155

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Growth Simulation and Actual MBE Growth of Triangular GaAs Nanowires on Patterned(111)B Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.4

      ページ: 19-24

    • NAID

      130004933903

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Future of heterostructure microelectronics and roles of materials research for its progress (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, S. Kasai, T. Sato, T. Hashizume
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. Vol. E89-C, No. 7

      ページ: 874-882

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Electrochemicai Formation of Chaotic and Regular Nanostractures on (001) and (111)B InP Substrates and Their Photpluminescence Characterizations2006

    • 著者名/発表者名
      T.Fujino, T.Kimura, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.4

      ページ: 184-191

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Precisely Controlled Anodic Etching for Processing of GaAs-based Quantum Nanostructures and Devices2006

    • 著者名/発表者名
      N. Shiozaki, T. Sato, M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal de Physique IV 132

      ページ: 249-253

    • NAID

      120000953027

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa, S.Kasai, T.Sato, H.Hashizume
    • 雑誌名

      IEICE TRANS. ELECTRON Vol.89, No.7

      ページ: 874-882

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Selective molecular beam epitaxy growth of size- and position-controlled GaN/AlGaN nanowires on nonplanar (0001) substrates and its growth mechanism2006

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, T. Oikawa, H. Hasegawa, T. Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. & Technol. B Vol. 24, No. 4

      ページ: 2087-2092

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Selective molecular beam epitaxy growth of size-and position-controlled GaN/AlGaN nanowires on nonplanar (0001) substrates and its growth mechanism2006

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, T. Oikawa, H. Hasegawa, T. Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. & Technol. B 24

      ページ: 2087-2092

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Gate Control, Surface Leakage Currents and Peripheral Charging in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Having Nanometer-Scale Schottky Gates2006

    • 著者名/発表者名
      S.Kasai, J.Kotani, T.Hashizume, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials Vol.35, No.4

      ページ: 568-575

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Future of heterostmcture microelectronics and roles of materials research for its progress (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, S. Kasai, T. Sato, T. Hashizume
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. E89-C

      ページ: 874-882

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Surface Passivation for AlGaAs/GaAs Quantum Structures on (111)B Surfaces2006

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, N. Shiozaki, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal de Physique IV 132

      ページ: 95-99

    • NAID

      120000958460

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Suppression of Device Interference Effects in GaAs Nanodevices by Surface Passivation using Si Interface Control Layer2006

    • 著者名/発表者名
      R.Jia, N.Shiozaki, S.Kasai, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B Vol.24, No.4

      ページ: 2060-2068

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Device interference in GaAs quantum wire transistors and its suppression by surface passivation using Si interface control layer2006

    • 著者名/発表者名
      R. Jia, H. Hasegawa, N. Shiozaki, S. Kasai
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. & Technol. B 24

      ページ: 2060-2068

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Liquid-phase sensors using open-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kokawa, T. Sato, H. Hasegawa, T. Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. & Technol. B 24

      ページ: 1972-1976

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Selective MBE Growth of Size- and Position-Controlled GaN/AlGaN Nanowires on Non-planar (0001) Substrates and Its Growth Mechanism2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, T.Oikawa, H.Hasegawa, T.Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B Vol.24, No.4

      ページ: 2087-2092

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Liquid-phase sensors using open-gate AlGaN/ GaN high electron mobility transistor structure2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kokawa, T. Sato, H. Hasegawa, T. Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. & Technol. B Vol. 24, No. 4

      ページ: 1972-1976

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Gate control, surface leakage currents, and peripheral charging in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors having nanometer-scale Schottky gates2006

    • 著者名/発表者名
      S. Kasai, J. Kotani, T. Hashizume, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials Vol. 35, No. 4

      ページ: 568-575

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Large reduction of leakage currents in AlGaN Schottky diodes by a surface control process and its mechanism2006

    • 著者名/発表者名
      J. Kotani, M. Kaneko, H. Hasegawa, T. Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. & Technol. B 24

      ページ: 2148-2155

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Toward Ultra-Low Power III-V Quantum Large Scale Integrated Circuit for Ubiquitous Network Era (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa, S.Kasai, T.Sato
    • 雑誌名

      International Journal of High Speed Electronics and Systems Vol.16, No.2

      ページ: 421-436

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Gate control, surface leakage currents. and peripheral charging in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors having nanometer-scale Schottky gates2006

    • 著者名/発表者名
      S. Kasai, J. Kotani, T. Hashizume, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials 35

      ページ: 568-575

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Self-assembled formation of InP nanopore arrays by photoelectrochemical anodization in HCl based electrolyte2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, T.Fujino, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science Vol.252, No.15

      ページ: 5457-5461

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Surface Passivation for AlGaAs/GaAs Quantum Structures on (ill) B Surfaces2006

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, N. Shiozaki, H. Hasegawa
    • 雑誌名

      Journal de Physique IV Vol. 132

      ページ: 95-99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Large Reduction of Leakage Currents in AlGaN Schottky Interfaces by a Novel Surface Control Process and Its Mechanism2006

    • 著者名/発表者名
      J.Kotani, M.Kaneko, S.Kasai, H.Hasegawa, T.Hashizume
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B Vol.24, No.4

      ページ: 2148-2155

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [雑誌論文] Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits2006

    • 著者名/発表者名
      T.Nakamura, Y.Abe, S.Kasai, H.Hasegawa, T.Hashizume
    • 雑誌名

      Journal of Physics E Vol.38, No.1

      ページ: 104-107

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656089
  • [雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN (0001) Substrates2005

    • 著者名/発表者名
      T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 244(1-4)

      ページ: 84-87

    • NAID

      120000953792

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Surface-related reduction of photoluminescence in GaAs quantum wires and its recovery by new passivation2005

    • 著者名/発表者名
      N.Shiozaki, S.Anantathanasarn, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 244(1-4)

      ページ: 71-74

    • NAID

      120000955195

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Cross-sectional Evolution and Its Mechanism during Selective MBE Growth of GaAs Quantum Wires on (111)B Substrates2005

    • 著者名/発表者名
      I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 44(4B)

      ページ: 2652-2656

    • NAID

      10022540457

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Electrochemical processes for formation, processing and gate control of III-V semiconductor nanostructures2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa, T.Sato
    • 雑誌名

      ELECTROCHIMICA ACTA 50(15)

      ページ: 3015-3027

    • NAID

      120000964124

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Effects of surface states and Si-interlayer based surface passivation on GaAs quantum wires grown by selective molecular beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      N.Shiozaki, T.Sato, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(4)

      ページ: 1714-1721

    • NAID

      120000961770

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Speed-power performances of quantum wire switches controlled by nanometer-scale schottky wrap gates for GaAs based hexagonal BDD quantum2005

    • 著者名/発表者名
      Yumoto, M, Kasai, S, Hasegawa, H
    • 雑誌名

      INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES Vol.184

      ページ: 213-216

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Pt Schottky diode gas sensors formed on GaN and AlGaN/GaN heterostructure2005

    • 著者名/発表者名
      Matsuo, K, Negoro, N, Kotani, J, Hashizume, T, Hasegawa, H
    • 雑誌名

      APPLIED SURFACE SCIENCE 244(1-4)

      ページ: 273-276

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Anomalous current leakage and depletion width control in nanometer scale Schottky gates formed on AlGaAs/GaAs surface2005

    • 著者名/発表者名
      Jia, R, Kasai, S, Hasegawa, H
    • 雑誌名

      INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES Vol.184

      ページ: 21-26

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Kotani, J, Kasai, S, Hashizume, T, Hasegawa, H
    • 雑誌名

      JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(4)

      ページ: 1799-1807

    • NAID

      120000958033

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Removal of Side-gating Effects in GaAs Quantum Nanodevices with Nano-Schottky Gates by Surface Passivation Using Si Interface Control Layer2005

    • 著者名/発表者名
      R.Jia, N.Shiozaki, S.Kasai, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.3

    • NAID

      130004933884

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Hydrogen Response of Pd Schottky Diodes Formed on AlGaN/GaN Heterostructure2005

    • 著者名/発表者名
      K.Matsuo, T.Kimura, H.Hasegawa T.Hashizume1)
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.3

      ページ: 314-318

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Growth of AlGaN/GaN Quantum Wire Structures by RF-Radical Assisted MBE on Pre-Patterned Substrates2005

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, T.Oikawa, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 44(4B)

      ページ: 2487-2491

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Growth kinetics and theoretical modeling of selective molecular beam epitaxy for growth of GaAs nanowires on nonplanar (001) and (111)B substrates2005

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, I.Tamai, H.Hasegawa
    • 雑誌名

      JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(4)

      ページ: 1706-1713

    • NAID

      120000958805

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Large modulation of conductance in interdigital-gated HEMT devices due to surface plasma wave interactions2005

    • 著者名/発表者名
      Hashim, AM, Kasai, S, Hashizume, T, Hasegawa, H
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol.44(4B)

      ページ: 2729-2734

    • NAID

      10015705451

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [雑誌論文] Tunneling Injection of Electrons at Nanometer-Scale Schottky Gate Edge of AlGaN/GaN Heterostructure Transistors and Its Computer Simulation2005

    • 著者名/発表者名
      J.Kotani, S.Kasai, H.Hasegawa, T.Hashizume
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.3

      ページ: 433-438

    • NAID

      130004438970

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656099
  • [学会発表] Capacitance-Voltage and Photoluminescence Study of High-k /III-V Semiconductor Interfaces Controlled by Si Interface Control Layer2009

    • 著者名/発表者名
      Masamichi Akazawa, Marcin Miczek, Boguslawa Adamowicz, Hideki Hasegawa
    • 学会等名
      36th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-36)
    • 発表場所
      Santa Barbara, California, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Current Collapse Transient Behavior and Its Mechanism in Submicron-Gate A anN taaN Heterostructure Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 学会等名
      36th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Santa Barbara, California, USA
    • 年月日
      2009-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Current Collapse Transient Behavior and Its Mechanism in Submicron-Gate AlGaN /GaN Heterostructure Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      36th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-36)
    • 発表場所
      Santa Barbara, California, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Anomalous Admittance Behavior of III-V Insulator-Semiconductor Interfaces and Its Mechanism2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      The Symposium on Surface and Nano Science 2009 (SSNS'09)
    • 発表場所
      Shizukuishi, Iwate, Japan, January
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Current Collapse Transient Behavior and Its Mechanism in Submicron-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      36th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Santa Barbara, California, USA
    • 年月日
      2009-01-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Anomalous Admittance Behavior of III-V Insulator-Semiconductor Interfaces and Its Mechanism2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 学会等名
      The Symposium on Surface and Nano Science 2009
    • 発表場所
      Shizukuishi Prince Hotel, Shizukuishi, Iwate, Japan
    • 年月日
      2009-01-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Anomalous Admittance Behavior of III-V Insulator-Semiconductor Interfaces and Its Mechanism2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      The Symposium on Surface and Nano Science 2009
    • 発表場所
      Shizukuishi Prince Hotel, Shizukuishi, Iwate, Japan
    • 年月日
      2009-01-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Capacitance-Voltage and Photoluminescence Study of High-k/III-V Semiconductor Interfaces Controlled by Si Interface Control Laver2009

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, M. Miczek, B. Adamowicz and H. Hasegawa
    • 学会等名
      36th Conference on the Physics & Chemistry of Semicoinductor Interfaces
    • 発表場所
      Santa Barbara, California, USA
    • 年月日
      2009-01-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Capacitance-Voltage and Photoluminescence study of High-k/III-V Semiconductor Interfaces Controlled by Si Interface Control Layer2009

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, M. Miczek, B. Adamowicz, H. Hasegawa
    • 学会等名
      36th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Santa Barbara, California, USA
    • 年月日
      2009-01-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Distributed Pinning Spot Model for High-k Insulator - III-V Semiconductor Interface2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology QSSS-5)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Anomalous Behavior of Capacitance and Conductance of III-V Metal- Insulator- Semiconductor Capacitors2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      2008 Electronic Material Conference (EMC2008)
    • 発表場所
      University of California Santa Barbara, California, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] SURFACE STATE EFFECTS AND SURFACE PASSIVATION WITH A SILICON INTERFACE CONTROL LAYER FOR III-V NANOWIRE TRANSISTORS2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 学会等名
      The 32nd Workshop on Compound Semiconductor Device and Integrated Circuits held in Europe
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2008-05-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Steady State and Transient Behavior of Currents in Low-Leakage Planar Schottky Diodes Formed on AlGaN/GaN Heterostructures2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      35th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      La Fonda Hotel, Santa Fe, New Mexico, USA
    • 年月日
      2008-01-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Anomalous Behavior of Capacitance and Conductance of III-V Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      2008 Electronic Material Conference
    • 発表場所
      Univer Sity of California Santa Barbara, Califomia, USA
    • 年月日
      2008-06-26
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Interface Control of High-k MOS Gate Stack for GaAs nanowire Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      Symposium on Surface and Nano Science 2008
    • 発表場所
      Hotel Appi Grand, Appi, Iwate, Japan
    • 年月日
      2008-01-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] III-V半導体ナノェレクトロニクスの新展開(招待講演)2008

    • 著者名/発表者名
      長谷川英機
    • 学会等名
      社団法人未踏科学技術協会主催平成20年度飯綱・サイエンスサマー道場
    • 発表場所
      長野県長野市
    • 年月日
      2008-08-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] PERFORMANCE COMPARISON OF InP AND A1GaN/GaN SCHOTTKY DIODE HYDROGEN SENSORS2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 学会等名
      20th International Conference on Indium Phosphide and Related
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 年月日
      2008-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Steady State and Transient Behavior of Currents in Low-Leakage Planar Schottky Diodes Formed on AlGaN/GaN Heterostructures2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      35th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-35)
    • 発表場所
      Santa Fe, New Mexico, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Characterization and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      The 14th Intemational Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2008-08-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Steady State and Transient Behavior of Currents in Low-Leakage Planar Schottky Diodes Formed on AlGaN /GaN Heterostructures2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      35th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      La Fonda Hotel, Santa Fe, New Mexico. USA
    • 年月日
      2008-01-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Slow Response Instability in the Planar Pd Schottky Diode Hydrogen Sensor Formed on AlGaN/GaN Wafer2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      2008 Electronic Material Conference (EMC2008)
    • 発表場所
      University of California Santa Barbara, California, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Control of Surfaces and Interfaces for III-V Semiconductor Nanoelectronics (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC2008)
    • 発表場所
      Lodz, Poland
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Optimization of Si Interface Control Layer Thickness for High-k GaAs Metal-Insulator-Semiconductor Structures2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 学会等名
      9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies
    • 発表場所
      Lodz, Poland
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Distributed Pinning Spot Model for High-k Insulator-III-V Semiconductor Interface2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology
    • 発表場所
      Waseda University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2008-11-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Characterization and Control of Group-HI Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
    • 発表場所
      Jeju, Korea(invited)
    • 年月日
      2008-08-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Interface Control of High-k MOS Gate Stack for GaAs nanowire Transistors (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      Symposium on Surface and Nano Science 2008
    • 発表場所
      Hotel Appi Grand, Appi, Iwate, Japan
    • 年月日
      2008-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Distributed Pinning Spot Model for High-k Insulator-III-V Semiconductor Interface2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology
    • 発表場所
      Waseda University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2008-11-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] AIGaN/GaNプレーナ・ショットキダイオードの低速分散性過渡応答2008

    • 著者名/発表者名
      長谷川英機, 赤澤正道
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      千葉県船橋市
    • 年月日
      2008-03-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] SURFACE STATE EFFECTS AND SURFACE PASSIVATION WITH A SILICON INTERFACE CONTROL LAYER FOR III-V NANOWIRE TRANSISTORS2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      The 32nd Workshop on Compound Semiconductor Device and Integrated Circuits held in Europe
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2008-05-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] On the Anomalous Admittance Behavior of Non-Silicon High-k MOS Structures2008

    • 著者名/発表者名
      赤澤正道, 長谷川英機
    • 学会等名
      社団法人未踏科学技術協会主催平成20年度飯綱・サイエンスサマー道場
    • 発表場所
      長野県長野市
    • 年月日
      2008-08-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] SURFACE STATE EFFECTS AND SURFACE PASSIVATION WITH A SILICON INTERFACE CONTROL LAYER FOR III-V NANOWIRE TRANSISTORS2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      The 32nd Workshop on Compound Semiconductor Device and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE2008)
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] On the Anomalous Admittance Behavior of Non-Silicon High-k MOS Structures2008

    • 著者名/発表者名
      赤澤正道、長谷川英機
    • 学会等名
      社団法人未踏科学技術協会主催平成20年度飯綱・サイエンスサマー道場
    • 発表場所
      長野県長野市
    • 年月日
      2008-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Slow Response Instability in the Planar Pd Schottky Diode Hydrogen Sensor Formed on AlGaN/GaN Wafer2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      2008 Electronic Material Conference
    • 発表場所
      UniverSity of Californmia Santa Barbara, Califomia, USA
    • 年月日
      2008-06-26
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Control of Surfaces and Interfaces for III-V Semiconductor Nanoelectronics2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 学会等名
      9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies
    • 発表場所
      Lodz, Poland(invited)
    • 年月日
      2008-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Optimization of Si Interface Control Layer Thickness for High-k GaAs MetaHnsulator-Semiconductor Structures2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC2008)
    • 発表場所
      Lodz, Poland
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] PERFORMANCE COMPARISON OF InP AND AlGaN/GaN SCHOTTKY DIODE HYDROGEN SENSORS2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM08)
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Control of Surfaces and Interfaces for III-V Semiconductor Nanoelectronics (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies
    • 発表場所
      Lodz, Poland
    • 年月日
      2008-06-03
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Anomalous Behavior of Capacitance and Conductance of III-V Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa and H. Hasegawa
    • 学会等名
      2008 Electronic Material Conference
    • 発表場所
      University of California Santa Barbara, California, USA
    • 年月日
      2008-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] Characterization and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPA2008)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Frequency Dispersion of GaAs High-k MIS Capacitors with Si Interface Control Layer2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      35th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      La Fonda Hotel, Santa Fe, New Mexico, USA
    • 年月日
      2008-01-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Optimization of Si Interface Control Layer Thickness for High-k GaAs Metal-Insulator-Semiconductor Structures2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies
    • 発表場所
      Lodz, Poland
    • 年月日
      2008-06-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Slow Response Instability in the Planar Pd Schottky Diode Hydrogen Sensor Formed on A1GaN/GaN Wafer2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa and M. Akazawa
    • 学会等名
      2008 Electronic Material Conference
    • 発表場所
      University of California Santa Barbara, California, USA
    • 年月日
      2008-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] III-V半導体ナノエレクトロニクスの新展開2008

    • 著者名/発表者名
      長谷川英機
    • 学会等名
      社団法人未踏科学技術協会主催平成20年度飯綱・サイエンスサマー道場
    • 発表場所
      長野県長野市(招待講演)
    • 年月日
      2008-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656006
  • [学会発表] PERFORMANCE COMPARISON OF InP AND AlGaN/GaN SCHOTTKY DIODE HYDROGEN SENSORS2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 年月日
      2008-05-26
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] シリコン界面制御層を有するGaAs高誘電体MISキャパシタのアドミッタンス2008

    • 著者名/発表者名
      赤澤正道, 長谷川英機
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      千葉県船橋市
    • 年月日
      2008-03-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Frequency Dispersion of GaAs High-k MIS Capacitors with Si Interface Control Layer2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      35th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-35)
    • 発表場所
      Santa Fe, New Mexico, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] An Overview on Band Alignment and Fermi Level Pinnine at Semiconductor Interfaces (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      Interntional Workshop on High-k Di- electrics on High Speed Channel Materials
    • 発表場所
      Hinsiu, Taiwan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Hydrogen Response Characteristics and Mechanism of Pd/ AlGaN/ GaN Schottky Diodes Subjected to Oxygen Gettering2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      34th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, USA
    • 年月日
      2007-01-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Silicon Interface Control Laver Based Surface Passivation Method and Related High-k MIS Gate stack for GaAs Nanowire MISFETs2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced nanodevices and Nanotechnology
    • 発表場所
      Waikoloa Beach Marriot, Waikoloa, Hawaii, USA
    • 年月日
      2007-12-03
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Silicon Interface Control Layer Based Surface Passivation Method and Related High-k MIS Gate Stack for GaAs Nanowire MISFETs2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced nanodevices and Nanotechnology
    • 発表場所
      Waikoloa Beach Marriot, Waikoloa, Hawaii, USA
    • 年月日
      2007-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] GaAs High-k Dielectric MOS Structure Having Silicon Interface Control Layer2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-34)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Interface Control Technology for Surface Passivation of III-V Semiconductor Nanostructures (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      5th International Workshop on Semi- conductor Surface Passivation
    • 発表場所
      Zakopane, Poland
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] An Overview on Band Alignment and Fermi Level Pinning at Semiconductor Interfaces (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      International Workshop on High-k Dielectrics on High Speed Channel Materials
    • 発表場所
      Hinsiu, Taiwan
    • 年月日
      2007-05-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Dynamic behavior of metal contacts formed on AlGaN/GaN heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, Nevada, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Sensing and current transport mechanisms of a high performance Pd/AlGaN/GaN Schottky diode hydrogen sensor2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductor
    • 発表場所
      MG Grand Hotel, Las Vegas, Nevada, USA
    • 年月日
      2007-09-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] GaAs High-k Dielectric MOS Structure Having Silicon Interface Control Layer2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 34th International Symposium on Compound Semiconductor
    • 発表場所
      Kyoto University, Kyoto, Japan
    • 年月日
      2007-10-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Control of Schottky Interfaces of AlGaN/GaN system for hydrogen sensor applications (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      Symposium on Surface and Nano Science 2007
    • 発表場所
      Appi, Iwate, Japan
    • 年月日
      2007-01-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Growth Mechanism and Fermi Level Unpinning in Silicon Interface Control Layers for Surface Passivation of (001) and (111) GaAs and AlGaAs Surfaces2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      34th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, USA
    • 年月日
      2007-01-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Interface Control Technology for Surface Passivation of III-V Semiconductor Nanostructures (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      5th International Workshop on Semiconductor Surface Passivation
    • 発表場所
      GEOVITA, Zakopane, Poland
    • 年月日
      2007-09-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Dynamic behavior of metal contacts formed on AlGaN/GaN heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductor
    • 発表場所
      MG Grand Hotel, Las Vegas, Nevada, USA
    • 年月日
      2007-09-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Complete Removal of Fermi Level Pinning at Highk Dielectric/GaAs (001) and (111)B Interfaces by a Silicon Interface Control Layer2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      2007 Electronic Material Conference (EMC2007)
    • 発表場所
      University of Notre Dame, South Bend, Indiana, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Silicon Interface Control Layer Based Surface Passivation Method and Related High-k MIS Gate Stack for GaAs Nanowire MISFETs2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 2007 International Symposium on Advanced nanodevices and Nanotechnology (ISANN2007)
    • 発表場所
      Waikoloa, Hawaii, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Complete Removal of Fermi Level Pinning at High-k Dielectric/GaAs (001) and (111)B Interfaces by a Silicon Interface Control Layer2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      2007 Electronic Material Conference
    • 発表場所
      University of Notre Dame, South Bend, Indiana, USA
    • 年月日
      2007-06-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] MBE Growth and Surface/Interface Control of Nanostructures for III-V Nanoelectronics (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      MBE-Taiwan 2007
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2007-05-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Growth Mechanism and Fermi Level Unpinning in Silicon Interface Control Layers for Surface Passivation of (001) and (111) GaAs and AlGaAs Surfaces2007

    • 著者名/発表者名
      Masamichi Akazawa, Hideki Hasegawa
    • 学会等名
      34th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-34)
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Performance Enhancement and Sensing Mechanism of Pd/AlGaN/GaN Hydrogen Sensors Subjected to Oxygen Gettering2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      2007 Electronic Material Conference (EMC2007)
    • 発表場所
      University of Notre Dame, South Bend, Indiana, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Passivation of III-V Surface by Si Interface Control Layer and Its Application of high-k MIS Gate Stack (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      International Workshop on High-k Dielectrics on High Speed Channel Materials
    • 発表場所
      Hinsiu, Taiwan
    • 年月日
      2007-05-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Control of Schottky Interfaces of AlGaN/GaN system for hydrogen sensor applications (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      Symposium on Surface and Nano Science 2007 (SSNS '07)
    • 発表場所
      Iwate, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Surface passivation technology for III-V semiconductor nanoelectronics (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tropical Eco Resort, Manaus-Amazonas, Brazil
    • 年月日
      2007-08-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] MBE Growth and Surface/Interface Control of Nanostructures for III-V Nanoelectronics (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      MBE-Taiwan 2007
    • 発表場所
      Kaohsiung
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] MBE growth and in-situ XPS characterization of silicon interlayers for surfaces passivation of GaAs quantum devices2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      2007 RCIQE International Seminar on"Advanced Semiconductor Materials and Devices, "
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2007-02-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Passivation of III-V Surface by Si Interface Control Layer and Its Application of high-k MIS Gate Stack (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      Interntional Workshop on High-k Di- electrics on High Speed Channel Materials
    • 発表場所
      Hinsiu, Taiwan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Complete Removal of Fermi Level Pinning at High-k Dielectric/GaAs (001) and (111) B Interfaces by a Silicon Interface Control Layer2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      2007 Electronic Material Conference
    • 発表場所
      University of Notre Dame, South Bend, Indiana, USA
    • 年月日
      2007-06-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Si界面制御層によるHfO2/GaAs界面の制御2007

    • 著者名/発表者名
      赤澤正道, 長谷川英機
    • 学会等名
      第68回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      札幌市
    • 年月日
      2007-09-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Surface passivation technology for III-V semiconductor nanoelectronics (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-11)
    • 発表場所
      Manaus-Amazonas, Brazil
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Pd/AlGaN/GaNショットキーダイオード形水素センサの大気中動作特性2007

    • 著者名/発表者名
      赤澤正道, 長谷川英機
    • 学会等名
      第68回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      札幌市
    • 年月日
      2007-09-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Hydrogen Response Characteristics and Mechanism of Pd/ AlGaN/ GaN Schottky Diodes Subjected to Oxygen Gettering2007

    • 著者名/発表者名
      Hideki Hasegawa, Masamichi Akazawa
    • 学会等名
      34th Conference on the Physics & Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-34)
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Sensing and current transport mechanisms of a high performance Pd/AlGaN/GaN Schottky diode hvdroeen sensor2007

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, Nevada, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Performance Enhancement and Sensing Mechanism of Pd/AlGaN/GaN Hydrogen Sensors Subjected to Oxygen Gettering2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      2007 Electronic Material Conference
    • 発表場所
      University of Notre Dame, South Bend, Indiana, USA
    • 年月日
      2007-06-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Understanding and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      5th Solid State Surfaces and Interfaces (SSSI2006)
    • 発表場所
      Smolenice Castle, Slovak Republic
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Oxygen Induced Gate Leakage in AlGaN/GaN HFETs and Its Suppression by a Novel Surface Control Process2006

    • 著者名/発表者名
      J. Kotani, M. Kaneko, H. Hasegawa, T. Hashizume
    • 学会等名
      2006 Electronic Materials Conference (EMC2006)
    • 発表場所
      Pennsylvania, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Sensing Dynamics and Mechanism of a Pd/AlGaN/GaN Schottky Diode Type Hydrogen Sensor2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      Technical Digest of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2006)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Understanding and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      5th Solid State Surfaces and Interfaces
    • 発表場所
      Smolenice Castle, Slovak Republic
    • 年月日
      2006-11-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Control of Group Ill-Nitride Surfaces and Interfaces for Sensor Applications and Nanostructure Formation (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      2nd International Workshop of NANO Systems Institute
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] MBE Growth and In-Situ XPS Characterization of Silicon Interlayers on (111) B Surfaces for Passivation of GaAs Quantum Wire Devices2006

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Waseda University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-09-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Oxygen Induced Gate Leakage in AlGaN/GaN HFETs and Its Suppression by a Novel Surface Control Process2006

    • 著者名/発表者名
      J. Kotani, M. Kaneko, H. Hasegawa, T., Hashizume
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      Pennsylvania, USA
    • 年月日
      2006-06-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Characterization and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPA2006)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Future Challenges and Surface Related Key Issues in III-V Semiconductor Nanoelectronics for Ubiquitous Network Era (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      006 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD'06)
    • 発表場所
      Perth, Australia
    • 年月日
      2006-12-07
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Selective MBE Growth of Hexagonal Networks of Trapezoidal and Triangular GaAs Nanowires on Patterned (111) B Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      I. Tamai, H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Waseda University, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-09-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] MBE Growth and In-Situ XPS Characterization of Silicon Interlayers on (111)B Surfaces for Passivation of GaAs Quantum Wire Devices2006

    • 著者名/発表者名
      Masamichi Akazawa, Hideki Hasegawa
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] In-situ X-ray photoelectron spectroscopy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors2006

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa, R. Jia
    • 学会等名
      8th Intemational Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies
    • 発表場所
      Cadiz, Spain
    • 年月日
      2006-05-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Future Challenges and Surface Related Key Issues in III-V Semiconductor Nanoelectronics for Ubiquitous Network Era (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      2006 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD'06)
    • 発表場所
      Perth, Australia
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] III-V Semiconductor Nanoelectronics for Post Si CMOS Era (invited panelist presentation)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2006 (IEEE NMDC'06)
    • 発表場所
      Gyeongu, Korea
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Characterization and Control of AlGaN Schottky Diodes for Performance Enchancement of Hydrogen Sensors2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, KMatsuo, T. Kimura, J. Kotani, M. Akazawa, T. Hashizume
    • 学会等名
      8th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC'06)
    • 発表場所
      Cadiz, Spain
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] III-V Semiconductor Nanoelectronics for Post Si CMOS Era (nvited panelist presentation)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2006 (IEEE NMDC'06)
    • 発表場所
      Gyeongju, Korea
    • 年月日
      2006-10-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] In-situ X-ray photoelectron spectros copy characterization of Si interlayer based surface passivation process for AlGaAs/GaAs quantum wire transistors2006

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, H. Hasegawa, R. Jia
    • 学会等名
      8th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC'06)
    • 発表場所
      Cadiz, Spain
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Challenges of III-V Nanoelectronics towards Post Si CMOS Era (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      Japan-Germany Joint Workshop, 2006 "Nano-Electronics"
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Sensing Dynamics and Mechanism of a Pd/AlGaN/GaN Schottky Diode Type Hydrogen Sensor2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, M. Akazawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2006-10-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Characterization and Control of Group-III Nitride Surfaces for Power Electronics and Sensor Electronics (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2006-08-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Challenges of III-V Nanoelectronics towards Post Si CMOS Era (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      Japan-Germany Joint Workshop, 2006"Nano-Electronics"
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-10-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Selective MBE Growth of Hexagonal Networks of Trapezoidal and Triangular GaAs Nanowires on Patterned (111) B Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      Isao Tamai, Hideki Hasegawa
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Control of Group III-Nitride Surfaces and Interfaces for Sensor Applications and Nanostructure Formation (invited)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa
    • 学会等名
      2^<nd> International Workshop of NANO Systems Institute
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 年月日
      2006-06-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • [学会発表] Characterization and Control of AlGaN Schottky Diodes for Performance Enchancement of Hydrogen Sensors2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hasegawa, K. Matsuo, T. Kimura, J. Kotani, M. Akazawa, T. Hashizume
    • 学会等名
      8th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies
    • 発表場所
      Cadiz, Spain
    • 年月日
      2006-05-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360002
  • 1.  赤澤 正道 (30212400)
    共同の研究課題数: 16件
    共同の研究成果数: 139件
  • 2.  橋詰 保 (80149898)
    共同の研究課題数: 15件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  藤倉 序章 (70271640)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  葛西 誠也 (30312383)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 6件
  • 5.  本久 順一 (60212263)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  金原 桀 (90010719)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  菅野 卓雄 (50010707)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  福井 孝志 (30240641)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  飯塚 浩一 (30193147)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  大野 英男 (00152215)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  呉 南健 (00250481)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  平木 昭夫 (50029013)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  深井 一郎 (70001740)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  中島 尚男 (20198071)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  寺倉 清之 (40028212)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  澤木 宣彦 (70023330)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  雨宮 好仁 (80250489)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  白藤 純嗣 (70029065)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  蒲生 健次 (70029445)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  権田 俊一 (70175347)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  河津 璋 (20010796)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  坪内 和夫 (30006283)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  津田 穰 (90009506)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  榊 裕之 (90013226)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  川村 清 (00011619)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  兼城 千波 (30318993)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  関 昇平
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  江 潮
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  斉藤 俊也 (70241396)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  澤田 孝幸 (40113568)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  小間 篤 (00010950)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  岩見 基弘 (80029123)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  池辺 将之 (20374613)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 38.  下妻 光夫 (70041960)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 39.  高柳 邦夫 (80016162)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 40.  須藤 健 (60006236)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  野田 進 (10208358)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 42.  冷水 佐壽 (50201728)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 43.  尾浦 憲次郎 (60029288)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 44.  塚田 捷 (90011650)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 45.  難波 進 (70029370)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 46.  佐藤 威友 (50343009)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件
  • 47.  賈 鋭 (30374606)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 48.  高橋 平七郎 (80001337)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 49.  芳賀 哲也 (00113605)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 50.  阿部 寛 (60001187)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 51.  田口 常正 (90101279)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 52.  青木 昌治 (80010619)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 53.  高木 俊宜 (10025801)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 54.  谷口 研二 (20192180)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 55.  佐々木 昭夫 (10025900)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 56.  村山 洋一 (40057956)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 57.  坪内 夏朗
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 58.  坂井 高正
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 59.  上田 大助
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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