八百隆文 YAO Takafumi

研究者番号	60230182
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2009年度 – 2012年度: 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 客員教授 2007年度: 学際科学国際高等研究センター, 教授 2005年度 – 2006年度: 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教授 1996年度 – 2002年度: 東北大学, 金属材料研究所, 教授 1991年度 – 1995年度: 広島大学, 工学部, 教授 1994年度: 東北大学, 金属材料研究所, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 電子・電気材料工学 / 理工系研究代表者以外表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 ZnO / 走査トンネル顕微鏡 / MBE / ZnCdSe / ZnSe / ナノ構造 / STM / GaN / 窒化物半導体 / 固相エピタキシ … もっと見る / エピタキシ成長過程 / II-VI族化合物 / 分子線エピタキシ- / 歪超格子 / surfactant / epitaxial growth / nitride semiconductors / 窒素 / p型ドーピング / 低温成長 / サーフアクタント / 分子線エピタキシー / 酸化物半導体 / サーファクタント / エピタキシ成長 / exciton-based optical properties / semiconducto quantum structure / nano-structure / short-wavelength optoelectronics / semiconductor quantum dot / CdSe / プラズマ援用MBE / 量子構造 / ワイドギャップ半導体 / 量子ドット / 励起子光物性 / 半導体量子構造 / 短波長光エレクトロニクス / 半導体量子ドット / Memory deivces / Charge storage / MOS structures / Scanning tunneling microscopy / Atomic Force Microscopy / Nano-scale characterization of electrical properties / Scanning Capacitance Microscopy / メモリー / 電荷蓄積 / MOS構造 / 走査トンネル顕微鏡(STM) / 原子間力顕微鏡(AFM) / 局所電気特性評価 / 走査容量顕微鏡(SCaM) / materials processing / molecule adsorption / semiconductor surface / selective chemical reaction / molecule manipulation / atom / 材料プロセス / 電子線励起プロセス / 表面反応プロセス / ナノテクノロジー / 電子的励起 / アドアトム / レストアトム / ハロゲンガス / 吸着分子 / 単分子操作 / 単原子操作 / 走査プローブ顕微鏡 / 近接効果 / 電界蒸発 / 分子吸着過程 / 電子線誘起化学反応 / 材料プロセシング / 原子・分子吸着 / 半導体表面 / 選択的化学反応 / 原子・分子操作 / 積層欠陥 / ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ） / m面GaN基板 / 窒化ガリウム / 窒化 / ケミカルリフトオフ / CrN / InGaN / AlGaN / 発光ダイオード(LED) / ケミカル・リフト・オフ / 紫外LED / LED / 有機薄膜 / 電気特性 / アントラセン / MIS構造 / 有機機能デバイス / 有機FET / 強磁性 / RHEED振動 / ペロブスカイト型マンガン酸化物 / プラズマ援用分子線エピタキシ / 酸化物薄膜 / 金属-絶縁体転移 / 分子線エピタキシ / ペロブスカイト / マンガン酸化物 / 表面再配列構造 / 成長初期過程 / 金属エピタキシ成長 / 分子性エピタキシ / 反射高速電子線回析 / 分子約エピタキシ / 反射高速電子約回析 / イオンビーム分析 / 伝導制御 / 量子井戸 / ガスリ-ス分子線エピタキシ- / 反射高速電子線回折 / 結晶成長過程 / 光物性 / IIーVI族化合物半導体 … もっと見る研究代表者以外プロセス / 評価技術 / デバイス / 量子構造 / 半導体 / ナノ構造 / 単電子デバイス / Energy Level Diagram for ZnSe : N / Compensation Model / Ion Beam Analysis / Electrical Characterization / Optical spectroscopy / Carrier Compensation Mechanism / P-type ZnSe / II-VI Semiconductor / 補償機構 / ホール濃度 / 窒素ドープ / p型半導体 / ZnSe / ZnSe:N準位図 / イオンピーム法 / P型ZnSe / II-VI族半導体 / ZnSe:N順位図 / 補償モデル / イオンビーム / 電気的評価 / 光学的手法 / キャリアー補償機構 / p型ZnSe / IIーVI族化合物半導体 / Quantum wire laser / Nano Sturcture / Nano Fabication / Selective growth / Self-organized growth / Coupled Quantum Dots / Quantum Dot / Single electron devices / 表面修飾 / 再成長 / ドット形成過程 / 表面エネルギー / 表面吸着 / 成長モード / 量子細線レーザー / 微細加工 / 選択成長 / 自己形成 / 結合量子ドット / 量子ドット / Characterization / Process / Device / Quantum structure / Semiconductor / scanning tunneling microscope (STM) / field emission electron spectroscopy (FEES) / atom probe (AP) / scanning tunneling spectroscopy (STS) / electron spectroscopy / atom manipulation / field ion microscope (FIM) / field emission microscope (FEM) / トンネル確率 / 原子間力顕微鏡(AFM) / アトムプローブ(A-P) / イメイジングプレイド(IP) / 原子移動 / 走査型トンネル顕微鏡(STM) / (N11)GaAS / フタロシアニン / STS) / 分光(STM / 走査型トンネル顕微鏡 / 混晶半導体ナノ構造 / 電界放射顕微鏡(FEM) / 電界イオン顕微鏡(FIM) / Si(001)表面ステップ / 電界放射電子のエネルギー分布 / 走査型アトムプローブ(SAP) / イメイジングプレイト(IP) / characterization / process / device / quantum structure / semiconductor / AFM / SIMS / XPS / RHEED / 低温成長 / ZnO基板 / AlNバッファー層 / ヘテロ界面反応制御 / ラジカル / イオン / 量子反応 / 省エネルギー / 省資源 / 環境 / プラズマ / トンネル現象 / 量子現象 / 集積回路 / クーロンブロッケード / 単電子トランジスタ / 原子スケール制御 / 単量子効果隠す

２インチクラスｍ面ＧａＮ自立基板の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
ケミカル・リフト・オフを活用した縦型超高輝度紫外LEDへの展開研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
ヘテロ界面制御によるZnO基板上への高品質GaNの低温成長
- 研究代表者
  
  任寅鎬
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
サーフアクタントMBEによる高ホール濃度・高品質p-型Zn0の成長技術開発研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
有機半導体の分子線エピタキシとエレクトロニクス応用研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2002
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
遷移金属酸化物薄膜のスピン・フォトン量子の競合とその応用研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
環境調和量子反応制御プロセスに関する調査研究
- 研究代表者
  
  後藤俊夫
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
ワイドギャップ半導体ナノ量子ビットの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
走査容量顕微鏡を用いた半導体ナノスケール材料・デバイス評価技術の開発に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓
- 研究代表者
  
  川辺光央
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1999
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
ワイドギャップIIーVI族化合物半導体におけるキャリアー補償機構の解明
- 研究代表者
  
  朱自強
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
単電子エレクロニクスの基礎
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  北海道大学
半導体材料・デバイスの先端科学技術
- 研究代表者
  
  柊元宏
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京工業大学
走査トンネル顕微鏡/反射高速電子線回析複合評価装置によるエピタキシ成長過程の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  広島大学
単量子物性のための単原子制御
- 研究代表者
  
  金原粲
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京大学
半導体材料・デバイスの先端科学技術
- 研究代表者
  
  柊元宏
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京工業大学
原子移動と探針評価
- 研究代表者
  
  西川治
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  金沢工業大学
II-VI族化合物半導体歪超格子の作製とその光物性に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  広島大学
走査トンネル顕微鏡/反射高速電子線回折複合評価装置によるエピタキシ成長過程の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  広島大学
IIーVI族化合物半導体歪超格子の作製とその光物性に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  広島大学
走査トンネル顕微鏡/反射高速電子線回折複合評価装置による結晶成長過程の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  広島大学
電子線励起による選択的化学反応を用いた原子オーダの材料プロセスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東北大学
   広島大学

すべて 2013 2012 2011 2010 2009 2007 2006 2005 2000

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 発光ダイオード2011
- 著者名/発表者名
  八百隆文、藤井克司、神門賢二
- 総ページ数
  352
- 出版者
  朝倉書店
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[図書] Oxide and Nitride Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  T. Yao and S. K. Hong
- 総ページ数
  517
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[図書] Zinc Oxide and Related Materials2007
- 著者名/発表者名
  Jurgen Christen, Chennupati Jagadish, David C. Look, Takafumi Yao, Frank Bertram
- 総ページ数
  237
- 出版者
  Materials Research Society
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[図書] ZnO系の最新技術と応用2007
- 著者名/発表者名
  八百隆文, 花田貴等他21名
- 総ページ数
  440
- 出版者
  シーエムシー出版
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[図書] ZnO系の最新技術と応用2007
- 著者名/発表者名
  八百隆文, 花田貴, 等他21名
- 総ページ数
  440
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[図書] E-MRS Symposium Proceedings Spring 2006 : ZnO and Related Compounds.2006
- 著者名/発表者名
  J.Christen, B.Gill, A.Hooemann, D.C.Look, T.Yao
- 総ページ数
  394
- 出版者
  E-MRS
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] HVPE growth of high-quality self-standing GaN thick layers by HVPE2013
- 著者名/発表者名
  T. Sato, S. Okano, T. Goto, T. Yao, R. Seto, A. Sato and H. Goto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656198
[雑誌論文] HVPE growth of self-standing thick GaN layers with novel pit-induced buffer layers2013
- 著者名/発表者名
  T. Sato, S. Okano, T. Goto, T. Yao, A. Sato and H. Goto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 印刷中
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656198
[雑誌論文] Suppression of composition modulation in In-rich InxGa1-xN layer with high In content (x similar to 0. 67)2011
- 著者名/発表者名
  Jeong, M ; Lee, HS ; Han, SK ; Shin, EJ ; Hong, SK ; Lee, JY ; Song, JH ; Yao, T
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
  
  巻: 208 ページ: 2737-2740
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Effects of the inclination direction of vicinal m-plane sapphire substrates on the crystal quality of m-plane GaN film2011
- 著者名/発表者名
  Cho, Y ; Choi, S ; Kil, GS ; Lee, HJ ; Yao, T ; Yoo, J ; Kwon, J ; Chang, J
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: 325 ページ: 85-89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers2011
- 著者名/発表者名
  Tokumoto, Y ; Lee, HJ ; Ohno, Y ; Yao, T ; Yonenaga, I
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: 334 ページ: 80-83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Effects of the inclination direction of vicinal m-plane sapphire substrates on the crystal quality of m-plane GaN film2011
- 著者名/発表者名
  Cho, Y; Choi, S; Kil, GS; Lee, HJ; Yao, T; Yoo, J; Kwon, J; Chang, J
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: 325 号: 1 ページ: 85-88
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.04.034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Suppression of composition modulation in In-rich InxGa1-xN layer with high In content (x similar to 0.67)2011
- 著者名/発表者名
  Jeong, M; Lee, HS; Han, SK; Shin, EJ; Hong, SK; Lee, JY; Song, JH; Yao, T
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
  
  巻: 208 号: 12 ページ: 2737-2740
- DOI
  10.1002/pssa.201127307
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] An empirical equation including the strain effect for optical transition energy of strained and fully relaxed GaN films2010
- 著者名/発表者名
  Lee, SW ; Ha, JS ; Lee, HJ ; Lee, HJ ; Goto, H ; Hanada, T ; Goto, T ; Fujii, K ; Cho, MW ; Yao, T
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
  
  巻: 43 ページ: 175101-175101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Correlation between structural and optical properties of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire by metal organic chemical-vapor deposition2010
- 著者名/発表者名
  Jung, M ; Chang, J ; Lee, H ; Ha, JS ; Park, JS ; Park, S ; Fujii, K ; Yao, T ; Kil, GS ; Lee, S ; Cho, M ; Whang, S
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
  
  巻: 28 ページ: 623-626
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] An empirical equation including the strain effect for optical transition energy of strained and fully relaxed GaN films2010
- 著者名/発表者名
  Lee, SW; Ha, JS; Lee, HJ; Lee, HJ; Goto, H; Hanada, T; Goto, T; Fujii, K; Cho, MW; Yao, T
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF PHYSICS D-APPHED PHYSICS
  
  巻: 43 ページ: 175101-175101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Use of Polytypes to Control Crystallographic Orientation of GaN2010
- 著者名/発表者名
  Lee, HJ ; Yao, T ; Kim, C ; Chang, J
- 雑誌名
  
  CRYSTAL GROWTH & DESIGN
  
  巻: 10 ページ: 5307-5311
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文]2010
- 著者名/発表者名
  八百隆文、藤井克司、神門賢二
- 雑誌名
  
  発光ダイオード(朝倉書店)
  
  ページ: 1-352
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on the CrN surface grown on sapphire substrate to control the polarity of ZnO by plasma-assisted molecular beam epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Chang JH, Jung MN, Park JS, Park SH, Im IH, Lee HJ, Ha JS, Fujii K, Hanada T, Yao T, Murakami Y, Ohtsu N, Kil GS
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 255 ページ: 8582-8586
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009
- 著者名/発表者名
  Lee SW, Ha JS, Lee HJ, Lee HJ, Goto H, Hanada T, Goto T, Fujii K. Cho MW. Yao T
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 82105-82105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of GaN on the vicinal c-sapphire with a CrN interlayer2009
- 著者名/発表者名
  Lee HJ, Ha JS, Lee HJ, Lee SW, Lee SH, Goto H, Hong SK, Cho MW, Yao T, Fujito K, Shimoyama K, Namita H, Nagao S
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 470-473
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Leakage current improvement of nitride-based light emitting diodes using CrN buffer layer and its vertical type application by chemical lift-off process2009
- 著者名/発表者名
  Fujii K, Lee S, Ha JS, Lee HJ, Lee HJ, Lee SH, Kato T, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 94 ページ: 2420108-2420108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of GaN on the vicinal c-sapphire with a CrN interlayer2009
- 著者名/発表者名
  Lee HJ, Ha JS, Lee HJ, Lee SW, Lee SH, Goto H, Hong SK, Cho MW, Yao T, Fujito K, Shimoyama K, Namita H, Nagao S
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 470-473
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Leakage current improvement of nitride-based light emitting diodes using CrN buffer layer and its vertical type application by chemical lift-off process2009
- 著者名/発表者名
  Fujii K, Lee S, Ha JS, Lee HJ, Lee HJ, Lee SH, Kato T, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 242108-242108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009
- 著者名/発表者名
  Lee SW, Ha JS, Lee HJ, Lee HJ, Goto H, Hanada T, Goto T, Fujii K, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 94 ページ: 82105-82105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on the CrN surface grown on sapphire substrate to control the polarity of ZnO by plasma-assisted molecular beam epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Chang JH, Jung MN, Park JS, Park SH, Im IH, Lee HJ, Ha JS, Fujii K, Hanada T, Yao T, Murakami Y, Ohtsu N, Kil GS
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 255
  
  ページ: 8582-8586
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] ZnO its Most Up-to-date Technology and Application, Perspectives2007
- 著者名/発表者名
  Takafumi Yao
- 雑誌名
  
  CMC Publishing Co., Ltd
  
  ページ: 440-440
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electrical properties of ZnO/GaN heterostructures and photoresponsivity of ZnO layers.2006
- 著者名/発表者名
  D.C.Oh, T.Suzuki, H.Makino, T.Hanada, H.J.Ko, T.Yao
- 雑誌名
  
  physica status solid 3(4)
  
  ページ: 946-951
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Selective Growth of Vertically-Aligned ZnO Nano-Needles.2006
- 著者名/発表者名
  SH Lee, WH Lee, SW Lee, H Goto, T Baba, MW Cho, T Yao, HJ Lee, T Yasukawa, T Matsue, H Ko
- 雑誌名
  
  Journal of Nanoscience and Nanotechnology 6
  
  ページ: 3351-3354
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electrical properties of ZnO/GaN heterostructures and Photoresponsivity of ZnO layers.2006
- 著者名/発表者名
  D.C.Oh, T.Suzuki, H.Makino, T.Hanada, H.J.Ko, T.Yao
- 雑誌名
  
  physica status solid 3(4)
  
  ページ: 946-951
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Strain eoeects in ZnO layers deposited on 6H-SiC2006
- 著者名/発表者名
  Ashrao ABMA, Segawa Y, Shin K, Yao T
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100(6)
  
  ページ: 63523-63523
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Surfactant-mediated molecular beam epitaxy of ZnO.2006
- 著者名/発表者名
  Suzuki H, Minegishi T, Fujimoto G, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49(3)
  
  ページ: 1266-1270
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structural variation of cubic and hexagonal MgxZn1-xO layers grown on MgO(111)/C-sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H.Suzuki, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, A.Setiawan
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 98(5)
  
  ページ: 54911-54911
- NAID
  120001182191
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Capacitance-voltage Characteristics of ZnO/GaN2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, T.Yao
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 87(16)
  
  ページ: 162104-162104
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Nucleation and interface chemistry of ZnO deposited on 6H-SiC2005
- 著者名/発表者名
  ABMA.Ashrafi, Y.Segawa, K.Shin, T.Yao
- 雑誌名
  
  PHYSICAL REVIEW B 72(15)
  
  ページ: 155302-155302
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Issues in ZnO homoepitaxy2005
- 著者名/発表者名
  MW Cho, C.Harada, H.Suzuki, T.Minegishi, T.Yao, H.Ko, K.
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 38(4-6)
  
  ページ: 349-363
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] The effect of surface treatment on Zinc Oxide2005
- 著者名/発表者名
  H.Suzuki, T.Minegishi, Z.Vashaei, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 385-388
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structure properties and phase evolution of MgxZn1-x0 layers grown on c-sapphire by P-MBE2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H, Suzuki, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 415-418
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Nucleation and growth modes of ZnO deposited on 6H-SiC substrates2005
- 著者名/発表者名
  ABMA.Ashrafi, Y.Segawa, K.Shin, J.Yoo, T.Yao
- 雑誌名
  
  APPLIED SURFACE SCIENCE 249(1-4)
  
  ページ: 139-144
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Selective growth of Zn-and O-polar ZnO layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  T.Minegishi, J.Yoo, H.Suzuki, Z.Vashaei, K.Inaba, K.Shim, T.Yao
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOLOGY B23(3)
  
  ページ: 1286-1290
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Issues in ZnO homoepitaxy2005
- 著者名/発表者名
  MW Cho, C.Harada, H.Suzuki, T.Minegishi, T.Yao, H.Ko, K.Maeda, I.Nikura
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 38(4-6)
  
  ページ: 349-363
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Control of crystal polarity of ZnO and GaN epitaxial layers by interfacial engineering2005
- 著者名/発表者名
  KW.Jang, T.Minegishi, T.Suzuki, SK/Hong, DC.Oh, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CERAMIC PRGCESSING RESEARCH 6(2)
  
  ページ: 167-183
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electron-trap centers in ZnO layers grown by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, N.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(3)
  
  ページ: 329090-329090
- NAID
  120001182186
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electrical characterization for ZnO layers grown on GaN templates by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, JS.So
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE＆TECHNOLOGY B23(3)
  
  ページ: 1281-1285
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] ZnO epitaxial layers grown on APO c-sapphire substrate with MgO buiter by plasma-assisted molecular beam epitaxy(p-MBE)2005
- 著者名/発表者名
  MW.Cho, A.Setiawan, HJ.Ko, SK.Hong, T.Yao
- 雑誌名
  
  SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 20(4)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structure properties and phase evolution of MgxZn1-xO layers grown on c-sapphire by P-MBE2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H, Suzuki, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 415-418
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] ZnO epitaxial layers grown on APO c-sapphire substrate with MgO buiter by plasma-assisted molecular beam epitaxy(P-MBE)2005
- 著者名/発表者名
  MW.Cho, A.Setiawan, HJ.Ko, SK.Hong, T.Yao
- 雑誌名
  
  SEMICUNDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 20(4)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Capacitance-voltage Characteristics of ZnO/GaN2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, T.Yao, HJ.KO
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 87(16)
  
  ページ: 162104-162104
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Characteristics of Schottky contacts to ZnO:N layers grown by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(4)
  
  ページ: 42110-42110
- NAID
  120001182187
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electrical characterization for ZnO layers grown on GaN templates by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, JS.Song, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOLOGY B23(3)
  
  ページ: 1281-1285
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Characteristics of Schottky contacts to ZnO : N layers grown by molecular- beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(4)
  
  ページ: 42110-42110
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Nucleation and interface chemistry of ZnO deposited on 6H-SiC2005
- 著者名/発表者名
  ABMA.Ashrafi, Y.Segawa, K.Shin, T.Yao
- 雑誌名
  
  PHYSICAL REVIEW B72(15)
  
  ページ: 155302-155302
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文]2000
- 著者名/発表者名
  T.Yao, S.K.Hong
- 雑誌名
  
  Oxide and Nitride Semiconductors(Springer)
  
  ページ: 1-517
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[産業財産権] ZnO系化合物半導体結晶の製造方法、及び、ZnO系化合物半導体基板2005
- 発明者名
  八百隆文, 〓明煥
- 権利者名
  スタンレー電気(株)
- 産業財産権番号
  2005-243472
- 出願年月日
  2005-08-24
- 取得年月日
  2007-03-08
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[学会発表] HVPE growth of high-quality self-standing GaN thick layers by HVPE2012
- 著者名/発表者名
  T. Sato, S. Okano, T. Goto, T. Yao, R. Seto, A. Sato and H. Goto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌、日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656198
[学会発表] HVPE growth of self-standing thick GaN layers with novel pit-induced buffer layers2012
- 著者名/発表者名
  T. Sato, S. Okano, T. Goto, T. Yao, A. Sato and H. Goto
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4)
- 発表場所
  St Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656198
[学会発表] HVPE growth of free-standing high-quality GaN wafers using novel buffer layers for the applications to high-brightness LEDs2012
- 著者名/発表者名
  H. Goto, R. Seto, A. Sato, T. Sato, S. Okano, T. Goto and T. Yao
- 学会等名
  The 1st International Symposium on Single Crystals and Wafers for LEDs
- 発表場所
  Wonju, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656198
[学会発表] Growth of free-standing GaN substrates (Invited)2010
- 著者名/発表者名
  HJ Lee, SW Lee, JS Ha, C Kim, JH Chang, K. Fujii, and T. Yao
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, USA
- 年月日
  2010-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[学会発表] Photo-electro-chemical properties of GaN2010
- 著者名/発表者名
  Fujii, K., Goto, T., Yao, T.
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2010
- 発表場所
  Tampa、Florida、USA.
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[学会発表] Growth of free-standing GaN substrates(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  HJ Lee, SW Lee, JS Ha, C Kim, JH Chang, K Fujii, T Yao
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, USA
- 年月日
  2010-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[学会発表] Photo-electro-chemical properties of GaN2010
- 著者名/発表者名
  Fujii, K, Goto, T, Yao, T
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2010
- 発表場所
  Tampa、Florida、USA
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001

1. 朱自強 (10243601)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 花田貴 (80211481)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 13件
3. 吉村雅満 (40220743)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 牧野久雄 (40302210)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 尾浦憲次郎 (60029288)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 任寅鎬 (00400408)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 陸ほう (70281988)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 柊元宏 (50013488)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 竹田美和 (20111932)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 吉川明彦 (20016603)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 長谷川英機 (60001781)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. LIM Kee Youn

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. CHANG Kee Jo

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. MIN Suk Ki

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
16. LEE Hyung Ja

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
17. CHOI Byung D

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
18. 後藤武生 (10004342)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
19. 藤井克司 (80444016)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 15件
20. 李賢宰 (10584063)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 19件
21. 西川治 (10108235)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 朝日一 (90192947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 森川浩志 (90024314)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 大島忠平 (10212333)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 山本雅彦 (30029160)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 川辺光央 (80029446)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 藤倉序章 (70271640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 荒井滋久 (30151137)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 具本欣 (00312645)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. ちょ明煥 (00361171)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 金原粲 (90010719)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 河津璋 (20010796)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 坪内和夫 (30006283)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 津田穰 (90009506)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 安田幸夫 (60126951)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
37. 塚田捷 (90011650)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 菅野卓雄 (50010707)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. 後藤俊夫 (50023255)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
40. 石川順三 (80026278)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
41. 庭野道夫 (20134075)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
42. 河合良信 (10038565)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
43. 真壁利明 (60095651)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
44. 張志豪 (60333879)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
45. 岡田修司 (30250848)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
46. 小池佳代 (80532423)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
47. 佐藤忠重 (20611776)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
48. 岡野真也 (60628270)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
49. 粕谷厚生 (10005986)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
50. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
51. 福井孝志 (30240641)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
52. 王杰 (60281987)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
53. 林司

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
54. グラビアローレント

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
55. クルツエリザベス

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
56. CHO Meoung-Whan

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 16件

八百 隆文 YAO Takafumi

研究課題

研究成果

共同研究者

２インチクラスｍ面ＧａＮ自立基板の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ケミカル・リフト・オフを活用した縦型超高輝度紫外LEDへの展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

サーフアクタントMBEによる高ホール濃度・高品質p-型Zn0の成長技術開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機半導体の分子線エピタキシとエレクトロニクス応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

遷移金属酸化物薄膜のスピン・フォトン量子の競合とその応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワイドギャップ半導体ナノ量子ビットの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

走査容量顕微鏡を用いた半導体ナノスケール材料・デバイス評価技術の開発に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

走査トンネル顕微鏡/反射高速電子線回析複合評価装置によるエピタキシ成長過程の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

八百隆文 YAO Takafumi