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南日 康夫  NANNICHI yasuo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10133026
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1998年度: 国際科学振興財団, 研究開発部, 専任研究員
1997年度: 財団法人国際科学振興財団, 研究開発部, 専任研究員
1994年度: 筑波大学, 物質工学系, 教授
1992年度 – 1993年度: 筑波大学, 副学長
1986年度 – 1992年度: 筑波大学, 物質工学系, 教授
1986年度: 筑大, 物質工学系, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性
研究代表者以外
応用物性 / 電子材料工学
キーワード
研究代表者
GaAs / 表面処理 / 硫化物処理 / 界面欠陥 / ショットキ-接合 / X-ray Standing Wave Technique / Photoelectron Spectroscopy / Sulfur Treatment / X線定在波法 / 光電子分光法 … もっと見る / 硫黄処理 / 砒化ガリウム / 水素感応性 / 表面準位 / Temp. Difference LPE / Sulfur treatment / Crystal growth / Limit of low defect density / 温度差液相成長 / いおう表面処理 / 結晶成長 / 超低欠陥 / 低温液相結晶成長 / 温度差法結晶成長 / 液相エピタキシイ / 低結晶成長温度 / 多硫化アンモニウム / LPE / 低欠陥密度 / Reflection High-energy ElectronDiffraction / Scanning Tunneling Microscopy / Interface Structure / Molecular Beam Epitaxy / トンネル顕微鏡 / 光電子分光 / 分子線エピタキシー / 反射型高速電子線回析 / 走査型トンネル顕微鏡 / 界面構造物性 / 分子線エピタキシ- / Positron annihilation Technique / Scanning tunneling Microscopy / Electronic Properties / Surface Defects / IIIーV族化合物半導体 / 表面構造 / 表面物性 / III-V族化合物半導体 / 陽電子消滅法 / トンネル電子顕微鏡 / 電子特性 / 表面欠陥 / シリコン基板半導体レーザ / 半導体レーザ波長の超高安定化 / 半導体レーザの非線形効果 / 赤色半導体レーザ / 面発光半導体レーザ / 走査型ミクロラマン顕微鏡 / 動的単一モードレーザ / 結晶欠陥とミクロ化 / ミクロレーザ / ラマン分光 / 可視半導体レーザ / レーザ波長安定化 / 面発光レーザ / 分布反射器レーザ / 欠陥反応 / 温度変化補償 / 波長制御 / BIG-DBR / 閾電流6mA / 面発光レーザ。強度雑音 / 一次欠陥 / 準位 / ほかく断面積 / MBE結晶 / 改良TSC法 / キャリア濃度分布 / 温度分布 / 走査型ラマン顕微鏡 / 結晶物性評価 / 界面欠陥密度 / MIS構造 / 放射光電子分光 / 分子結合 / イオウ処理 / 表面欠陥密度 … もっと見る
研究代表者以外
光集積回路 / 超短光パルス / 光センシング / レーザスペックル / レーザ顕微鏡 / ファイバ計測 / AlGaAs / 結晶欠陥 / 半導体 / 半導体レーザ / 光ヘテログイン法 / Dislocations / Crystal Defects / Semiconductor / <II> - <VI> compounds / Gallium Arsenide / Germanium / Silicon / 不純物 / 転位 / II-VI化合物 / ガリウム砒素 / ゲルマニウム / シリコン / 三塩化物 / SAセンター / ホトルミネッセンス / 塩化物気相成長法 / ダブルヘテロ構造 / ヘテロ接合 / エビタキシャル成長 / ヘテロエピタキシ- / 塩化物法 / ヘテロ構造 / クロライド法 / 気相成長 / 光ヘテロダイン法 / 超格子の混晶化 / 半導体超格子 / 混晶 / フェルミレベルピン止め / 超格子混晶化 / イオン注入 / 不純物拡散 / 多次元超格子 / 超格子 / IIIーV族半導体 / IV族半導体 / 欠陥物性 / 半導体レーザー / フアイバ計測 / 光利用生体センシング / レ-ザ顕微鏡 / 光ファイバ / 半導体レ-ザ 隠す
  • 研究課題

    (17件)
  • 共同研究者

    (24人)
  •  超低欠陥GaAs結晶成長への挑戦研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      (財)国際科学振興財団
  •  硫黄処理GaAs表面の分子線エピタキシ-とその界面構造物性研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      筑波大学
  •  GaAsショットキ-接合研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  GaAsショットキ-接合研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  砒化ガリウムの表面(界面)物性と硫黄処理効果研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      筑波大学
  •  光波利用センシング

    • 研究代表者
      田中 俊一
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  GaAsショットキ-接合研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  光波利用センシング

    • 研究代表者
      田中 俊一
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  金属Alを用いたAlGaAs/GaAsヘテロ構造・クロライド気相成長法の開発

    • 研究代表者
      長谷川 文夫
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      筑波大学
  •  光波利用センシング

    • 研究代表者
      田中 俊一
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  半導体の結晶欠陥物性の制御とその応用

    • 研究代表者
      角野 浩二
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  (AlGa)As超格子の混晶化の制御による多次元超格子の研究

    • 研究代表者
      川辺 光央
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      筑波大学
  •  光センシング用半導体レーザ研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  光波利用センシング

    • 研究代表者
      田中 俊一
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  光センシング用半導体レーザ研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  光センシング用半導体レーザ研究代表者

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1988
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  半導体結晶欠陥の物性

    • 研究代表者
      角野 浩二
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1986
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東北大学
  • 1.  大井川 治宏 (60223715)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  田中 俊一 (20010712)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  南 茂夫 (60028959)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  末田 正 (20029408)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  大塚 喜弘 (80029058)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  田幸 敏治 (20016794)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  徳山 巍 (40197885)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  伊賀 健一 (10016785)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  三石 明善 (20028921)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  末松 安晴 (40016316)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  角野 浩二 (50005849)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  吉田 正幸 (80038984)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  梅野 正隆 (50029071)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  御子柴 宣夫 (70006279)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  竹内 伸 (60013512)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  岸野 克己 (90134824)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  重川 秀実 (20134489)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  中島 信一 (20029226)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  升田 公三 (90029405)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  横山 新 (80144880)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  長谷川 文夫 (70143170)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  関 寿 (70015022)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  村井 重夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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