• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

古屋 一仁  FURUYA Kazuhito

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40092572
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2010年度: 東京工業大学, 理工学研究科, 教授
2009年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授
2003年度 – 2004年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授
1989年度 – 2003年度: 東京工業大学, 工学部, 教授
2000年度 – 2001年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 … もっと見る
1990年度: 東京工業大学, 工学部, 助教授
1986年度 – 1988年度: 東京工業大学, 工学部, 助教授
1986年度: 東京工大, 工学部, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子機器工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 電子材料工学
研究代表者以外
電子機器工学 / ウイルス学 / 電子通信系統工学 / 応用物性 / 理工系 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
ホットエレクトロン / GaInAs / OMVPE / 有機金属気相成長法 / 電子波 / 電子波回折 / Electron Wave / ホットエレクトロンエミッタ / 電子の波動性 / 超高速トランジスタ … もっと見る / AlAs / Double Barrier Resonant Emitter / Attractive Potential / OMVPE Embedding Tungsten / Lateral Coherence / Coherent Emitter / Biprism / Tungsten Wire / 引力ポテンシャル / コヒーレントエミッタ / hot electron / STM / バリスティック伝導 / 半導体 / Hot electron / OMVPE埋め込み成長 / 電子波回析 / 極微細構造 / InP / ドライエッチング / 共鳴トンネルダイオード / 走査ホットエレクトロン顕微鏡 / OMVPE Embedding / Quantum Wire Laser / Dry Etching / Electron Wave Reflection / Wet Chemical Etching / Electron Beam Exposure / Organometallic Vapor Phase Epitaxy / Ultrafine Structure / ウェットケミカルエッチング / 電子ビーム露光法 / 有機金属気相成長 / 電子波長 / 量子サイズ / 量子細線レ-ザ / 電子波反射 / 化学エッチング / 電子ビ-ム露光法 / Superlattice / Electron Beam Lithography / Metalorganic Vapor Phase Epitaxy / Ballistic Transport / Hot Electron / Ultrafast Transistor / 高速デバイス / 電子波多重反射 / ホットエクレトロン / 超格子 / 電子ビームリソグラフィ / Quautum-Well Laser / Very-fast Transistor / Oxganometallic Vapor Phase Epitaxy / バリスティック電子伝導 / 量子井戸レーザ / インジウム・ガリウム・ヒ素 / FDTD method for quantum mechanics / Fourier Transformation by electron wave / quantum effect device / reciprocity principle / BEEM / electron diffraction / scanning probe / バリシティック電子輸送 / 位相シフタ / 波面 / 量子相反性 / 弾道電子放出顕微鏡 / 電子波フーリエ変換デバイス / 相反原理 / 量子FDTD法 / 電子波フーリエ交換デバイス / 量子効果デバイス / 相反性 / 弾道電子放出顕微鏡(BEEM) / 走査プローブ / コヒーレンス性 / 微細タングステン細線 / 量子干渉デバイス / 電子波バイプリズム / GaAs MOVPE / タングステンパック / 埋め込みタングステン細線 / free-standing wire / タングステンスパッタ / 埋め込み金属ホットエレクトロントランジスタ / 固体バイプリズム / タングステン細線埋込 / Energy Relaxation Characteristics / Ballistic Electron Transport / GaInAs Heterostructure / Hot Electron Emitter / Spatial Distribution of Tunnel Transmission / Noise Characteristics of Tunneling Current / Scanning Hot Electron Microscope / Hot Electron Detection / エネルギ緩和特性 / バリスティック電子輸送 / GaInAsヘテロ構造 / トンネル透過率空間分布 / トンネル電流ノイズ特性 / ホットエレクトロン検出 / ステンシルリフトオフ法 / 電子波干渉 / 埋め込み金属細線 / メタルステンシル法 / 量子ビーム伝搬法 / 引力ポテンシャル場 / ダブルバリア共鳴電子エミッタ / OMVPEタングステン埋込 / 横コヒーレンス / バイプリズム / タングステン細線 / low work function metal / noise reduction by phase sensitive detection / noise in tunnel current / hot electron emitter / 超高真空STM / 低仕事関数 / ノイズ除法 / 低仕事関数金属 / 位相同期検出 / STMにおけるノイズ電流 / Resonant tunneling diode / Electron wave grating / Electron beam mark detection / InP OMVPE / Quantum size structure / Electron wave diffraction / Electron coherence / 相関関数 / 電子波ファブリペロー共振器 / 位相コヒーレント伝導 / InPヘテロ構造 / OMVPE成長法 / InP有機金属気相成長法 / 電子波グレーティング / 電子ビームマーク検出 / InpOMVPE / 量子サイズ構造形成 / 電子波コヒーレンス / Jeonbuk University Semiconductor Physics Research Center / Japan-Korea academic cooperation / Quantum effect electronics / Optoelectronics / Ultrafast electronics / 量子構造 / ヘテロ構造 / 半導体デバイス / 半導体材料 / 21世紀に向けたオプトエレクトロニクス / 半導体物理研究センターシンポジウム / 日韓合同シンポジウム / 全北大学半導体物理研究センター / 日韓学術交流 / 量子効果エレクトロニクス / オプトエレクトロニクス / 超高速エレクトロニクス / Organo-metallic vapor phase epitaxy / Buried growth / Electron beam lithography / Lateral superlattice / Electron wave phenomenon / OMVPE選択成長 / 横超格子 / 埋め込み成長 / 電子ビ-ム露光 / 横超格子構造 / 電子波現象 / コヒーレントフォノン / ブラッグ反射 / フーリエ変換 / 回折 / 電気化学走査型トンネル顕微鏡 / 金属ショットキーゲート / 電子波方向性結合デバイス / コヒーレンス長 / クーロンブロッケード振動 / 細線MOSFET / Si量子細線 / エッジ量子細線 / 電子波コヒーレンス長 / 電解液中STM / 集束イオンビーム注入 / InAs量子箱 / 一次元励起子 / T字形量子細線 / シリコン量子構造 … もっと見る
研究代表者以外
光スイッチ / 半導体レーザ / ホットエレクトロン / 量子細線 / 量子井戸 / 光集積回路 / 光導波路 / 金属 / 光変調器 / モノリシック光集積回路 / 半導体光変調デバイス / 光アイソレータ / 光情報処理デバイス / STM / 界面凸凹散乱 / Metal silicide / Calcium floride / Epitaxial Growth / Ionized cluster beam / Superlattice / Insulator / Metal / Electronic devices / イオン化クラスタービーム結晶成長 / シリサイド系金属 / 超高速応答 / 金属シリサイド / 弗化カルシウム / イオン化クラスタビ-ム / 超格子 / エピタキシャル成長 / 絶縁体 / 電子デバイス / ultra short pulse / ultra high speed modulation / surface emitting laser / quantum well structure / dynamic single mode laser / optical amplifier / optical modulator / optical integrated circuits / 偏波面 / 超短光パルス発生 / コヒーレンス / 雑音 / 線幅 / 可視光レーザ / 面発光レーザ / 動的単一モードレーザ / 超短光パルス / 超高速光変調 / 面発光レ-ザ / 動的単一モ-ドレ-ザ / 光増幅器 / naked lipid bilayer / fusion / cDNA of F and HANA / HNタンパク質 / ペプチドの人工合成 / HANAタンパク質 / Fタンパク質 / C蛋白質 / HNcDNA / FcDNA / 絶縁体超格子構造 / 多次元量子井戸構造 / 量子井戸構造 / 細胞融合 / cDNA注入 / NDV / 毒性 / 限定分解 / cDNA / HANA / F / HVJ / Squeezed Light / Conditional Unitary / Received Quantum State Control / Quantum Communication Theory / Optical Communication System / Quantum State Control / 光注入同期 / 非線形光学現象 / 条件付きユニタリ-過程 / スクイズド光 / 量子光通信 / スクィズド光 / 条件付ユニタリ / 受信量子状態制御 / 量子通信理論 / 光通信システム / 量子状態制御 / Nonlinear optical devices / Optical bi-stable devices / Quantum box / Optical modulator / Optical switch / Quantum well / Optically controlled optical devices / 光非線形素子 / 光双安定素子 / 量子井戸箱 / 光制御光デバイス / 電子波エレクトロニクス / 量子干渉効果 / アハラノフ・ボーム効果 / メゾスコピック現象 / ナノメートル加工 / 有機金属気相成長法 / 能動モノリシック光集積回路 / 分布反射器集積レーザ / 光デバイス / 半導体量子井戸構造 / 全反射型光スイッチ / 外部変調器 / 超高速変調 / 集積レーザ / 巨大ステップ / 電子電子ウムクラップ散乱 / 電子波干渉デバイス / シリコンナノデバイス / 空間変調磁場 / 共鳴トンネルダイオード / ホットエレクトロン波 / 複合フェルミオン / カイラル表面伝導 / 多層量子ホール系 / 半導体超格子 / 選択ドーピング / ストライプ層 / AlAs超格子 / GaAs / ホットエレクトロ / 量子ドット / 単電子トランジスタ / 磁気トンネル法 / ナノ構造作成技術 / 極微細固体デバイス / 量子位相エレクトロニクス / 固体デバイス / 半導体超微細構造 / 微細加工技術 / 半導体量子サイズ効果 / 低次元電子ガス / 量子箱 / バリスティック / 量子効果 / 電子波 / 量子位相 / 有機薄膜発光ダイオード / 非線形光学デバイス / 非局所応答(理論) / 微細領域計測 / 微小共振器 / フレンケル励起子系 / 光微小間隙回路 / 光アイソレ-タ / 半導体レ-ザ / 演算用光デバイス / 超高速光制御デバイス / 自然放出光結合係数スイッチング / 横方向波数保存則 / 超放射 / 実空間遷移 / 励起子光非線形性 / トンネル効果 / トンネル注入 / トンネル発光 / 電子波デバイス 隠す
  • 研究課題

    (28件)
  • 研究成果

    (29件)
  • 共同研究者

    (51人)
  •  電子波フーリエ変換機能に基づく固体デバイス実現のための基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  相反原理に基づく走査プローブによる電子波回折観測研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  半導体ナノ構造の量子伝導物性とその応用

    • 研究代表者
      冷水 佐壽, 濱口 智尋
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ホットエレクトロン顕微鏡による固体電子波現象の直接観測技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  半導体中に埋め込まれた金属による量子干渉デバイスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  タングステン細線バイプリズムによる干渉を用いた半導体中電子波の横コヒーレンス解明研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  量子位相エレクトロニクス:総括班

    • 研究代表者
      安藤 恒也
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  半導体中のバリスティックエレクトロンを観測する新しいSTM技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  半導体量子位相デバイス研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  量子半導体エレクトロニクス

    • 研究代表者
      生駒 俊明
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  コヒーレントホットエレクトロン生成とその超高速デバイス応用に関する基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  電子波エレクトロニクス

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  基本光デバイスの高機能化

    • 研究代表者
      西原 浩
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  半導体材料およびデバイスの基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁, 柊元 宏
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1994
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  電子波エレクトロニクス

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  基本光デバイスの高機能化

    • 研究代表者
      西原 浩
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  量子状態制御光通信方式とその基本デバイスの開拓

    • 研究代表者
      辻井 重男
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子通信系統工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  電子波エレクトロニクス

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  光制御型光デバイスに関する研究

    • 研究代表者
      末松 安晴
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  横超格子内でのホットエレクトロンを用いる超高速電子波デバイスの基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  一次元極微構造半導体中の量子干渉効果と電子波エレクトロニクス

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  半導体光集積回路の超高速動作に関する研究

    • 研究代表者
      末松 安晴
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  金属・絶緑体超格子超高速3端子電子デバイスの基礎研究

    • 研究代表者
      浅田 雅洋, 末松 安晴
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超微細構造GaInAs/InPデバイス作製技術に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  バリスティック電子の回折をもちいるGaInAs超高速トランジスタの基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超高速モノリシック光集積回路の研究

    • 研究代表者
      末松 安晴
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  パラミクソウイルスcDNAを用いた細胞病変モデルの分子生物学的解析

    • 研究代表者
      岡田 善雄, 末松 安晴
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      ウイルス学
    • 研究機関
      大阪大学
      東京工業大学
  •  超高速InGaAsトランジスタと長波長半導体レーザとの集積化に関する基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1986
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学

すべて 2010 2009 2005 2004 2003

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases2010

    • 著者名/発表者名
      T.Uesawa, M.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 49

    • NAID

      40016982521

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [雑誌論文] Research perspective and problems of quantum-effect devices(invited talk)2005

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya
    • 雑誌名

      Tutorial session titled as "Present and possibility of compound-semiconducto devices -Replacement and complenien for next-generation electronics-" at 2005 National Convention of IEICE, TC3, Osaka

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] InP ballistic hot electron transistors with reduced emitter width(invited talk)2005

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya
    • 雑誌名

      2005 Japan-Sweden International Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics, Kyoto, April 7th-8th

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] InP hot electron transistors with reduced emitter width for controllability of collector current by gate bias2004

    • 著者名/発表者名
      R.Nakagawa, K.Takeuchi, Y.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 雑誌名

      International Conference on Indium Phosphide and Related Material(IPRM2004)

      ページ: 179-182

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] InP hot-electron transistors with emitter mesa fabricated between gate electrodes for reduction in emitter-gate gate-leakage current2004

    • 著者名/発表者名
      K.Takeuchi, H.Maeda, R.Nakagawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. vol.43, no.2A

    • NAID

      10012039015

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] 20 nm Periodical Pattern by Calixarene Resists : Comparison of CMC[4] AOMe with MC[6]AOAc2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Miyamoto, Y.Shirai, M.Yoshizawa, K.Furuya
    • 雑誌名

      2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 28P-6-51

      ページ: 196-197

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscope2004

    • 著者名/発表者名
      N.Machida, H.Kanoh, K.Furuya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. vol.43, no.11A

      ページ: 7390-7394

    • NAID

      110003175542

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] GaInAs/InP vertical ballistic-electron devices -Toward ultraiast electron-wave function-(invited talk)2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya
    • 雑誌名

      2003 Japan-Sweden International and Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics, Stockholm,

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Experiment of Hot Electron in Semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya et al.
    • 雑誌名

      The 13th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors Th11.17

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Young's double-slit interference experiment of hot electron in semi-conductors(invited talk)2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
    • 雑誌名

      Japan-UK 10+10 Meeting

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Fabrication of GaInAs/InP Heterojunction Bipolar Transistors with a Single Tungsten Wire as Collector Electrode2003

    • 著者名/発表者名
      K.Yokoyama, K.Matsuda, T.Nonaka, K.Takeuchi, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. vol.42, no.12B

    • NAID

      10011841445

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Young's double-slit interference experiment of hot electron in semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya et al.
    • 雑誌名

      Japan-UK 10+10 Meeting (CD ROM)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Miyamoto, R.Yamamoto, H.Maeda, K.Takeuchi, N.Mchida, L.Wernersson, K.Furuya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. vol.42, no.12

      ページ: 7221-7226

    • NAID

      10011839800

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference of Hot Electron in Semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
    • 雑誌名

      13th International Conference on Non-equilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS 13), Th11.17, Modena

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Mchida, Y.Miyamoto
    • 雑誌名

      Physical Review Letters vol.19, no.21

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Experiment of Hot Electron in Semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
    • 雑誌名

      6th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & Fourth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, 1.6, Hawaii

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in Semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      K.Furuya et al.
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] InP hot electron transistors using modulation of gate electrodes sandwiching emitter mesa2003

    • 著者名/発表者名
      K.Takeuchi, H.Maeda, R.Nakagawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 雑誌名

      2003 International Conference on Solid State Devices and Materials E-7-3

      ページ: 834-835

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [雑誌論文] Wet Etching for Self-Aligned 0.1-mm-wide Emitter in InP/InGaAs HBT2003

    • 著者名/発表者名
      K.Takeuchi, H.Maeda, R.Nakagawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 雑誌名

      Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM'03) W-11

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360184
  • [学会発表] HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱2010

    • 著者名/発表者名
      山田真之、上澤岳史、宮本恭幸、古屋一仁
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • 発表場所
      東京都
    • 年月日
      2010-01-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET2010

    • 著者名/発表者名
      金澤, 若林, 齋藤, 寺尾, 田島, 池田、宮本, 古屋
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • 発表場所
      東京都
    • 年月日
      2010-01-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型GaInAs-MISFETの高駆動能力動作2009

    • 著者名/発表者名
      齋藤、楠崎、松本、宮本、古屋
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source2009

    • 著者名/発表者名
      T.Kanazawa, K.Furuya, Y.Miyamoto, H.Saito, K.Wakayashi, T.Tajima
    • 学会等名
      IEEE 21th Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Newport Beach California, USA
    • 年月日
      2009-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] MOVPE再成長n^+ソースを有ずるIII-V族高移動度チャネルMOSFET2009

    • 著者名/発表者名
      金澤, 齋藤, 若林, 田島, 宮本, 古屋
    • 学会等名
      電気学会 電子・情報・システム部門大会
    • 発表場所
      徳島市
    • 年月日
      2009-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] Vertical InGaAs MOSFET With Hetero-Launcher and Undoped Channel2009

    • 著者名/発表者名
      H.Saito, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 学会等名
      IEEE 21th Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Newport Beach California, USA
    • 年月日
      2009-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N^+-InGaAs Source Region2009

    • 著者名/発表者名
      T.Kanazawa, H.Saito, K.Wakabayashi, T.Tajima, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 学会等名
      2009 Int. Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2009-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/Gaines Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Bases2009

    • 著者名/発表者名
      T.Uesawa, M.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya
    • 学会等名
      Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM2009)
    • 発表場所
      長野市
    • 年月日
      2009-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] HBTの超高速動作時におけるエミッタ充電時間の理論的解析2009

    • 著者名/発表者名
      山田、上澤、古屋、宮本
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • [学会発表] 再成長ソースを有するアンドープチャネルInp/InGaAs MOSFETの電流特性2009

    • 著者名/発表者名
      若林, 金澤, 齋藤, 田島, 寺尾, 宮本, 古屋
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360166
  • 1.  宮本 恭幸 (40209953)
    共同の研究課題数: 9件
    共同の研究成果数: 11件
  • 2.  浅田 雅洋 (30167887)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  荒井 滋久 (30151137)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  冷水 佐壽 (50201728)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  末松 安晴 (40016316)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  須原 理彦 (80251635)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  末田 正 (20029408)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  難波 進 (70029370)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  濱口 智尋 (40029004)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  伊賀 健一 (10016785)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  町田 信也 (70313335)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 4件
  • 12.  赤崎 勇 (20144115)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  山西 正道 (30081441)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  花村 栄一 (70013472)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  中島 尚男 (20198071)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  蒲生 健次 (70029445)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  柊元 宏 (50013488)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  西原 浩 (00029018)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  内藤 喜之 (70016335)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  多田 邦雄 (00010710)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  生駒 俊明 (80013118)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  荒川 泰彦 (30134638)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  小宮山 進 (00153677)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  安藤 恒也 (90011725)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  榊 裕之 (90013226)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  辻井 重男 (50020350)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  坂庭 好一 (30114870)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  広田 修 (40114889)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  高橋 清 (10016313)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  岡田 善雄 (30029756)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  島 康文 (50187423)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  神谷 武志 (70010791)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  稲場 文雄 (90006213)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  ラビクマール K.G. (90220996)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  宮崎 保光 (00023169)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  井筒 雅之 (70093375)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  奥村 次徳 (00117699)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 38.  平本 俊郎 (20192718)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 39.  家 泰弘 (30125984)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 40.  邑瀬 和生 (50028164)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  金 在萬 (30029805)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 42.  石浦 正寛 (20132730)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 43.  SUH Eun Kyun
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 44.  SEO Jae Hyun
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 45.  LIM KeeーYoun
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 46.  LEE Hyung Ja
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 47.  SEO Jae Myun
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 48.  EUN Kyung Su
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 49.  JAE Myung Se
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 50.  KEE Young Li
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 51.  HYUNG Jae Le
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi