石原宏 ISHIWARA Hiroshi

研究者番号	60016657
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2009年度 – 2010年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 2008年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科(研究院), 教授 2007年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 2005年度 – 2006年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授 1998年度 – 2003年度: 東京工業大学, フロンティア創造共同研究センター, 教授 … もっと見る 1998年度: 東京工業大学, プロンティア創造研究センター, 教授 1991年度 – 1998年度: 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 1992年度: 東京工業大学, 精研, 教授 1990年度: 東京工業大学精密工学研究所, 教授 1989年度: 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 1987年度 – 1988年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助教授 1986年度: 東京工大, 国立大学(その他), 助教授 1986年度: 東京工芸大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子材料工学 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子機器工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 理工系 / 応用物性
キーワード	研究代表者シリコン / 強誘電体 / Si / 超高圧 / SOI / MOSFET / 熱不整 / 固相成長 / SrBi_2Ta_2O_9 / YMnO_3 … もっと見る / GaAs-on-Si / CdS / MISFET / 適応学習 / 不揮発性メモリ / 集積回路 / 弾性歪 / GaAs / ヘテロ構造 / エピタキシャル成長 / RAPID THERMAL ANNEALING / SILICON / GERMANIUM / SOLID PHASE EPITAXY / HETEROSTRUCTURE / OHMIC CONTACT / プラズマ化学気相堆積法 / 炭化シリコン / ヘテロ接合 / オーミックコンタクト / 高温短時間熱処理 / ゲルマニウム / 固相エピタキシャル成長 / オ-ミックコンタクト / ひ化ガリウム / amorphous Si / silicon-on-insulator / selective doping / lateral solid phase epitaxy / イオン注入 / 選択ドープ構造 / 横方向固相成長 / 選択ドープ法 / 選択ドーピング / 三次元集積回路 / 非晶質シリコン / 横方向成長 / Silicon / Memory / Ferroelectric / PbZr_<1-x>Ti_xO_3 / MFSFET / 強誘電体メモリ / メモリ / strain-free / photoluminescence / annealing / elastic strain / thermal expansion coefficient / ultrahigh pressure / GaAs‐on‐Si / アニール / 熱膨張率 / adaptive-learning system / retina chip / analog-digital-merged circuits / nuron-MOS / imaging processor / caotic circuits / nurochip / bio-inspired processing / 4端子デバイス / 強誘導体 / ニューロデバイス / イメージセンサ / ニューラクネットワーク / 自己組織化 / 神経回路 / カオス / パルス幅変調 / パルス周波数変調 / 適応学習機能 / 網膜チップ / AD融合回路技術 / ニューロンMOS / イメージプロセッサ / カオス生成回路 / ニューロチップ / 生体的処理 / Glass Film / Sereen Printing / Diaphragm / Semiconductor / Pressure Sensor / ガラス薄膜 / スクリーン印刷 / ダイアフラム / 半導体 / 圧力センサ / Adaptive-Learning / Self-Learning / Ferroelectrics / Neural-Networks / ニューロ素子 / 自己学習機能 / 自己学習 / ニューラルネット / C_60 / TrFE / PVDF / ペンタセン / PVDF/TrFE / 強誘電体ゲートトランジスタ / フレキシブルメモリ / 有機半導体 / 有機強誘電体 / 電子デバイス / 界面準位 / トランジスタ / カーボンナノチューブ / ヘフロエピタキシー / ヘテロエピタキシ- / 蒸着 / 酸化物超伝導薄膜 / ア-ク放電 … もっと見る研究代表者以外 GaAs / Ge / SrBi_2Ta_2O_9 / BaMgF_4 / 強誘電体 / MIS device / Fluoride / Heteroepitaxy / 弗化物薄膜エピタキシャル成長 / 砒化ガリウム / CMISトランジスタ / EBEIピタキシー / ゲルマニウム / ひ化ガリウム / ヘテロ構造 / 弗化物 / MISデバイス / SOI / ヘテロエピタキシー / plasma-assisted MOCVD / metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) / ferroelectric memory / 酸素プラズマ / プラズマ / 有機金属気相成長法(MOCVD) / 強誘電体メモリ / ferroelectric-gate transistor / neural network / non-volatile memory / ferroelectrics / 強誘電体ゲートトランジスタ / ニューラルネット / 不揮発性メモリ / moleculat beam epitaxy (MBE) / two dimensional electron gas / high electron mobility transistor (HEMT) / ferroelectric thin film / 分子線エピタキシ-(MBE) / 2次元電子ガス / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / Ultimate Material and Process / Intelligent Information Processing / Silicon Integrated Circuits / Intelligent electronic systems / 材料 / プロセス / デバイス / 回路 / 半導体プロセス / 集積回路 / シリコンテクノロジー / システム / マイクロエレクトロニクス / アーキテクチャ / 極限材料・プロセス / 知能情報処理 / シリコン集積回路 / 知的電子システム / 不揮発生SRAM回路 / しきい値電圧 / 基板バイパス / 強誘電体SPICEモデル / 不揮発性SRAM回路 / 強誘電体ゲートFET / 基板バイアス / 低スタンバイ消費電力 / FeRAM / 不揮発性ラッチ回路 / 強誘電体FET / しきい値 / 基盤バイアス / 低消費電力 / 半導体MOSFET / マイクロマイン / 半導体レーザー / マイクロマシン / ニューロトランジスタ / 光集積回路 / 光インターコネクト / 並列光情報処理 / 微小光学 / 光通信 / 半導体レーザ / 集積化 / シリコン / 知能エレクトロニクス / HBT / 無ひずみ / ひずみ成長 / ヘテロ接合 / シリコン系ヘテロ接合 / 高濃度ド-ピング / 歪成長 / 格子整合 / 熱反応CVD / SiGe / 固相エピタキシャル成長 / イオン注入隠す

フレキシブル有機強誘電体メモリにおける低電圧・高集積回路の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
カーボンナノチューブを用いた強誘電体/半導体直接接触トランジスタの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
高・強誘電体膜を用いた極低電圧・超低消費電力FET,及び高性能新機能素子の開発
- 研究代表者
  
  平本俊郎
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
極限集積化シリコン知能エレクトロニクス
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  東北大学
強誘電体薄膜の低温MOCVD技術の開発
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
単一トランジスタセル構造を持つ新しい強誘電体メモリの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
不揮発性強誘電体ゲートトランジスタの記憶特性の解明とニューラルネットへの応用
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
超並列光エレクトロニクス
- 研究代表者
  
  伊賀健一
- 研究期間 (年度)
  1995 – 2000
- 研究種目
  
  COE形成基礎研究費
- 研究機関
  東京工業大学
多次元情報生体的処理システムの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1998
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
弗化物強誘電体のGaAs上への成長と2次元電子ガス制御への応用
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
超高圧下アニールにより形成したGaAs/Si構造中への長寿命レーザの試作研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
極限集積化シリコン知能エレクトロニクス
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
スクリーン印刷法を用いた高感度半導体圧力センサの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑性研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
電子デバイスにおける自己学習機能の創出とニューラルネットへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
超高圧下アニ-ルと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
無ひずみシリコン系ヘテロ接合の新しい作製手法とその超高速素子への応用
- 研究代表者
  
  古川静二郎
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京工業大学
ア-ク放電蒸着法を用いたSi基板上への酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
ひ化ガリウムへの耐熱性ヘテロ接合オ-ミックコンタクトの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
Siの選択ドープ横方向固相成長に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京工業大学
格子準整合形ヘテロ構造の電子的挙動と低電力・超高速素子への応用に関する研究
- 研究代表者
  
  古川静二郎
- 研究期間 (年度)
  1984 – 1987
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 研究機関
  東京工業大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Solvent dependency of pentacene degradation for top-gate-type organic ferroelectric memory2011
- 著者名/発表者名
  T.Mabuchi, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Current Appl.Phys. 11 in press
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer2011
- 著者名/発表者名
  Y-U.Song, H.Ishiwara, S.Ohmi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.on Electronics
  
  巻: E94-C(in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Electrical characteristics of Si MFIS-FETs using P(VDF-TrFE) thin films2011
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Current Appl.Phys. 11 in press
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Electrical characteristics of Si MFIS-FETs using P (VDF-TrFE) Thin films2011
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Current Appl.Phys.
  
  巻: 11(in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer2011
- 著者名/発表者名
  Y-U.Song, H.Ishiwara, S.Ohmi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.on Electronics E94-C
  
  ページ: 767-770
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Solvent dependency of pentacene degradation for top-gate-type organic ferroelectric memory2011
- 著者名/発表者名
  T.Mabuchi, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Current Appl.Phys.
  
  巻: 11(in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Impact of interface controlling layer of Al_2O_3 for improving the retention behaviors of In-Ga-Zn oxide-based ferroelectric memory transistor2010
- 著者名/発表者名
  S-M.Yoon, S-H.Yang, S-W.Jung, C-W.Byun, S-H.K.Park, C-S.Hwang, G-G.Lee, E.Tokumitsu, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
  
  ページ: 232903-232903
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Non-volatile memory transistors using solution-processed zinc-tin oxide and ferroelectric poly(vinyliden fluoride-trifluoro-ethylene)2010
- 著者名/発表者名
  S-M.Yoon, S-W.Jung, S-H.Yang, C-W.Byun, C-S.Hwang, S-H.K.Park, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Organic Electronics 11
  
  ページ: 1746-1752
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Improvement of ferroelectric fatigue endurance in poly (methyl metacrylate) -blended poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene)2010
- 著者名/発表者名
  J-W. Yoon, S-M. Yoon, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Characterization of nonvolatile memory behaviors of Al/poly (vinylidene fluoride-trifluoro-ethylene)/Al_2O_3/ZnO thin-film transistors2010
- 著者名/発表者名
  S-M.Yoon, S-H.Yang, C-W.Byun, S-H.K.Park, S-W.Jung, D-H.Cho, S-Y.Kang, C-S.Hwang, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Improvement of ferroelectric fatigue endurance in poly (methylmetacrylate)-blended poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene)2010
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Characterization of nonvolatile memory behaviors of Al/poly (vinylidene fluoridetrifluoroethylene)/Al_2O_3/ZnO thin-film transistors2010
- 著者名/発表者名
  S-M.Yoon, S-H.Yang, C-W.Byun, S-H.K.Park, S-W.Jung, D-H.Cho, S-Y.Kang, C-S.Hwang, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Impact of interface controlling layer of Al_2O_3 for improving the retention behaviors of In-Ga-Zn oxide-based ferroelectric memory transistor2010
- 著者名/発表者名
  S-M.Yoon, S-H.Yang, S-W.Jung, C-W.Byun, S-H.K.Park, C-S.Hwang, G-G.Lee, E.Tokumitsu, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett
  
  巻: 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Non-volatile memory transistors using solution-processed zinc-tin oxide and ferroelectric poly (vinyliden fluoride-trifluoroethylene)2010
- 著者名/発表者名
  S-M.Yoon, S-W.Jung, S-H.Yang, C-W.Byun, C-S.Hwang, S-H.Ko Park, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Organic Electronics
  
  巻: 11 ページ: 1746-1752
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Nonvolatile memory thin film transistors using spin-coated amorphous zinc indium oxide channel and ferroelectric copolymer2010
- 著者名/発表者名
  S-M.Yoon, S-W.Jung, S-H.Yang, C-W.Byun, C-S.Hwang, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  J.Electrochem.Soc. 157
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Improvement of ferroelectric fatigue endurance in poly(methyl metacrylate)-blended poly(vinyliden fluoride-trifluoroethylene)2010
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
  
  ページ: 30201-30201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Nonvolatile memory thin film transistors using spin-coated amorphous zinc indium oxide channel and ferroelectric copolymer2010
- 著者名/発表者名
  S-M.Yoon, S-W.Jung, S-H.Yang, C-W.Byun, C-S.Hwang, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  J.Electrochem.Soc.
  
  巻: 157
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Comparative study on metal-ferro-electric-insulator-semiconductor diodes composed of poly(vinyliden fluoride-trifluoro-ethylene) and poly (methyl metacrylate)-blended poly (vinyliden fluoride-trifluoro-ethylene)2009
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, B-E.Park, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Comparative study on metal-ferroelectric-Insulator-semiconductor diodes composed of poly (vinyliden fluoride-trifluoroethylene) and poly (methyl metacrylate) -blended poly (vinyli-den fluoride-trifluoroethylene)2009
- 著者名/発表者名
  J-W. Yoon, B-E. Park, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Study on stability of pentacene-based metal-oxide-semiconductor diodes in air using capacitance-voltage characteristics2009
- 著者名/発表者名
  Md. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, J. Nishida, Y. Yamashita, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Comparative study on metal-ferroelectric-insulator-semiconductor diodes composed of poly (vinyliden fluoride-trifluorethylene) and poly (methylmetacrylate)-blended poly (vinyliden fluoride-trifluoroethylene)2009
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, B-E.Park, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Study on stability of pentacene-based metal-oxide-semiconductor diodes in air using capacitance-voltage characteristics2009
- 著者名/発表者名
  Md.Akhtaruzzaman, S.Ohmi, J.Nishida, Y.Yamashita, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Electrical Characteristics and Stability of Pentacene Field-Effect Transistors in Air Using HfO_2 as a Gate Insulator2009
- 著者名/発表者名
  Md.Akhtaruzzaman, S.Ohmi, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  MRS Proceedings 1115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Organic ferroelectric diodes with long retention characteristics suitable for non-volatile memory applications2008
- 著者名/発表者名
  S.Fujisaki, H.Ishiwara, Y.Fujisaki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 1
  
  ページ: 81801-81803
- NAID
  10025081951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Organic ferroelectric diodes with long retention characteristics suitable for non-volatile memory applications2008
- 著者名/発表者名
  S. Fujisaki, H. Ishiwara, Y. Fujisaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express Vol. 1
  
  ページ: 81801-81803
- NAID
  10025081951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Impact of Kr gas mixing in oxygen plasma etching of ferroelectric poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer films2008
- 著者名/発表者名
  J-W. Yoon, S. Ohmi, B-E. Park, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol. 93
  
  ページ: 162904-162906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Organic ferroelectric diodes with long retention characteristics suitable for non-volatile memory applications2008
- 著者名/発表者名
  S. Fujisaki, H. Ishiwara, Y. Fujisaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
  
  ページ: 81801-81803
- NAID
  10025081951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Inorganic and organic ferroelectric thin films for memory applications2008
- 著者名/発表者名
  H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 13
  
  ページ: 279-284
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Inorganic and organic ferroelectric thin films for memory applications2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol. 13
  
  ページ: 279-284
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Impact of Kr gas mixing in oxygen plasma etching of ferroelectric poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer films2008
- 著者名/発表者名
  J-W. Yoon, S. Ohmi, B-E. Park, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 93
  
  ページ: 162904-162906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Impact of Kr gas mixing in oxygen plasma etching of ferroelectric poly(vinyliden fluoride-trifluoro-ethylene) copolymer films2008
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S.Ohmi, B-E.Park, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 93
  
  ページ: 162904-162906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Excellent Ferroelectricity of Thin Poly (Vinylidene Fluoride-Trifluoro-ethylene) Copolymer Films and Low Voltage Operation of Capacitors and Diodes2007
- 著者名/発表者名
  S.Fujisaki, Y.Fujisaki, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control 154
  
  ページ: 2592-2594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Excellent Ferroelectricity of Thin Poly (Vinylidene Fluoride-Trifluoroethylene) Copolymer Films and Low Voltage Operation of Capacitors and Diodes2007
- 著者名/発表者名
  S. Fujisaki, Y. Fujisaki, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. on Untrsonics, Ferroelectrics, and Frequency Control 154
  
  ページ: 2592-2594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Fabrication and characterization of top-gate-type MFS (metal-ferroelectric-semiconductor) memory diodes using pentacene as a? semiconductor film2010
- 著者名/発表者名
  T.Mabuchi, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 学会等名
  Intern.Conf.on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment
- 発表場所
  Jeju.
- 年月日
  2010-11-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Fabrication and characterization of top-gate-type MFS (metal-ferroelectric-semicon ductor) memory diodes using pentacene as a semiconductor film2010
- 著者名/発表者名
  T.Mabuchi, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 学会等名
  Intern.Conf.on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment
- 発表場所
  済州
- 年月日
  2010-11-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Excellent interface properties of pentacene based metal-oxide-semiconductor diodes utilizing HfON high-k gate insulator2010
- 著者名/発表者名
  M.Liao, H.Ishiwara, S.Ohmi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics of Si MFIS-FETs using P(VDF-TrFE) thin films2010
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 学会等名
  7^<th> Asian Meeting on Ferroelectricity and 7^<th> Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  Jeju.
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics of Si MFIS-FETs using P(VDF-TrFE) thin films2010
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S-M.Yoon, H.Ishiwara
- 学会等名
  7^<th> Asian Meeting on Ferroelectricity and 7^<th> Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  済州
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Excellent interface properties of pentacene based metal-oxide-semiconductor diodes utilizing HfON high-k gate insulator2010
- 著者名/発表者名
  M.Liao, H.Ishiwara, S.Ohmi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo.
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics of OFETs with thin gate dielectric2009
- 著者名/発表者名
  Y-U.Song, S.Ohmi, H.Ishiwara
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Tokyo.
- 年月日
  2009-06-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Studies on organic ferroelectric memories2009
- 著者名/発表者名
  H, Ishiwara
- 学会等名
  WCU Intern. Conf. on Quantum Phases and Devices
- 発表場所
  ソウル
- 年月日
  2009-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Fabrication of IGZO-channel Ferroelectric-gate TFTs with Organic P(VDF-TrFE) Film2009
- 著者名/発表者名
  G-G.Lee, S-M.Yoon, J-W.Yoon, Y.Fujisaki, H.Ishiwara, E.Tokumitsu
- 学会等名
  Fall meeting of Mater.Res.Soc.
- 発表場所
  Boston.
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Studies on organic ferroelectric memories2009
- 著者名/発表者名
  H.Ishiwara
- 学会等名
  WCU Intern.Conf.on Quantum Phases and Devices
- 発表場所
  Seoul.
- 年月日
  2009-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Studies on organic ferroelectric memories2009
- 著者名/発表者名
  H. Ishiwara
- 学会等名
  WCU Intern. Conf. on Quantum Phases and Devices
- 発表場所
  Seoul
- 年月日
  2009-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Recent progress in FET-type memories with inorganic and organic ferroelectric gate films2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishiwara
- 学会等名
  3rd Intern. Sympo. on Next Generation Non-volatile Memory Technology for Terabit Memory
- 発表場所
  Seoul
- 年月日
  2008-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Ferroelectrics characteristics of p(VDF-TrFE) thin films patterned by plasma etching2008
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S.Ohmi, B-E.Park, H.Ishiwara
- 学会等名
  20^<th> Intern.Sympo.on Integrated Ferroelectrics
- 発表場所
  Singapore.
- 年月日
  2008-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Recent progress in FET-type memories with inorganic and organic ferroelectric gate films2008
- 著者名/発表者名
  H.Ishiwara
- 学会等名
  3^<th> Intern.Sympo.on Next Generation Non-volatile Memory Technology for Terabit Memory
- 発表場所
  Seoul.
- 年月日
  2008-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] A study on air stability of pentacene based MOS diode structures2008
- 著者名/発表者名
  Md Akhtaruzzaman, S.Ohmi, J.Nishida, Y.Yamashita, H.Ishiwara
- 学会等名
  Intern.Conf.on Solid State Device and Materials
- 発表場所
  Tsukuba.
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Ferroelectrics characteristics of p(VDF-TrFE) thin films patterned by plasma etching2008
- 著者名/発表者名
  J. W. Yoon, S. Ohmi, H. Ishiwara
- 学会等名
  20th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2008-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics and air-stability of pentacene based MOS diodes2008
- 著者名/発表者名
  Md. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, H. Ishiwara
- 学会等名
  Fall Meeting of Mater. Res. Soc.
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2008-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics and air-stability of pentacene based MOS diodes2008
- 著者名/発表者名
  Md. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, H. Ishiwara
- 学会等名
  Fall Meeting of Mater. Res. Soc
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2008-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinyliden fluoride-trifluoroethylene)2008
- 著者名/発表者名
  尹珠元、大見俊一郎、石原宏
- 学会等名
  電子情報信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics and air-stability of pentacene based MOS diodes2008
- 著者名/発表者名
  Md.Akhtaruzzaman, S.Ohmi, H.Ishiwara
- 学会等名
  Fall Meeting of Mater.Res.Soc.
- 発表場所
  Boston.
- 年月日
  2008-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Ferroelectric characteristics of p(VDF-TrFE) thin films patterned by plasma etching2008
- 著者名/発表者名
  J. W. Yoon, S. Ohmi, H. Ishiwara
- 学会等名
  20th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2008-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] A study on air stability of pentacene based MOS diode structures2008
- 著者名/発表者名
  Md. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, J. Nishida, Y. Yamashita, H. Ishiwara
- 学会等名
  Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Current status of ferroelectric-gate Si transistors and challenge to ferroelectric-gate CNT transistors2007
- 著者名/発表者名
  H.Ishiwara
- 学会等名
  Nano Korea 2007 Sympo.
- 発表場所
  Seoul.
- 年月日
  2007-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Patterning of poly(vinyliden fluoride-trifluoroethylene) thin films by oxygen plasma etching2007
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S.Fujisaki, H.Ishiwara
- 学会等名
  41^<th> Conf.on New Exploratory Technologies
- 発表場所
  Seoul.
- 年月日
  2007-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Current status of ferroelectric-gate Si transistors and challenge to ferroelectric-gate CNT transistors2007
- 著者名/発表者名
  H. Ishiwara
- 学会等名
  Nano Korea 2007 Sympo.
- 発表場所
  Seoul
- 年月日
  2007-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Excellent ferroelectricity of thin poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer films and low voltage operation of capacitors and diodes2007
- 著者名/発表者名
  S. Fujisaki, Y. Fujisaki, H. Ishiwara
- 学会等名
  16th IEEE Intern. Sympo. on Applications of Ferroelectrics
- 発表場所
  奈良
- 年月日
  2007-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Current status and prospect of ferroelectric random access memory2007
- 著者名/発表者名
  H.Ishiwara
- 学会等名
  5^<th> IUMRS Intern.Conf.on Advanced Materials
- 発表場所
  Bangalore.
- 年月日
  2007-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Excellent ferroelectricity of thin poly(vinyliden fluoride-trifluoro-ethylene) copolymer films and low voltage operation of capacitors and diodes2007
- 著者名/発表者名
  S.Fujisaki, Y.Fujisaki, H.Ishiwara
- 学会等名
  16^<th> IEEE Intern.Sympo.on Applications of Ferroelectrics
- 発表場所
  Nara.
- 年月日
  2007-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Patterning of poly (vinyliden fluoride-trifluoroethylene) thin films by oxygen plasma etching2007
- 著者名/発表者名
  J-W. Yoon, S. Fujisaki and H. Ishiwara
- 学会等名
  4th Conf. on New Exploratory Technologies
- 発表場所
  Seoul
- 年月日
  2007-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Current status and prospect of ferroelectric random access memory2007
- 著者名/発表者名
  H. Ishiwara
- 学会等名
  5th IUMRS Intern. Conf. on Advanced Materials
- 発表場所
  Bangalore
- 年月日
  2007-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039

1. 會澤康治 (40222450)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
2. 徳光永輔 (10197882)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
3. 大見俊一郎 (30282859)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 20件
4. 古川静二郎 (60016318)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
5. 佐々木公洋 (40162359)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
6. 浅野種正 (50126306)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
7. 澤岡昭 (40029468)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
8. 大見忠弘 (20016463)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 坪内和夫 (30006283)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 浅田邦博 (70142239)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 堀池靖浩 (20209274)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 亀山充隆 (70124568)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 藤崎芳久 (00451013)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 10件
14. 米津宏雄 (90191668)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 鳳紘一郎 (60211538)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 雨宮好仁 (80250489)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 柴田直 (00187402)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 岩田穆 (30263734)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 岡部洋一 (50011169)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 山川烈 (00005547)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 山本修一郎 (50313375)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 小間篤 (00010950)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 筒井一生 (60188589)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 伊賀健一 (10016785)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 小山二三夫 (30178397)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 下河辺明 (40016796)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 宮本智之 (70282861)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 中村健太郎 (20242315)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 馬場俊彦 (50202271)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 平本俊郎 (20192718)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 岩田吉徳

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 片浜久

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 木島健

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 方浜久

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

石原 宏 ISHIWARA Hiroshi

研究課題

研究成果

共同研究者

フレキシブル有機強誘電体メモリにおける低電圧・高集積回路の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

カーボンナノチューブを用いた強誘電体/半導体直接接触トランジスタの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単一トランジスタセル構造を持つ新しい強誘電体メモリの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

多次元情報生体的処理システムの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高圧下アニールにより形成したGaAs/Si構造中への長寿命レーザの試作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

スクリーン印刷法を用いた高感度半導体圧力センサの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

石原宏 ISHIWARA Hiroshi