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赤崎 勇  AKASAKI Isamu

ORCIDORCID連携する *注記
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赤さき 勇  AKASAKI Isamu

赤坂 勇

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研究者番号 20144115
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1992年度 – 2001年度: 名城大学, 理工学部, 教授
1986年度 – 1991年度: 名古屋大学, 工学部, 教授
1986年度: 名古屋大学, 工学部電子工学科, 教授
1985年度: 名古屋大学, 工, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学
研究代表者以外
電子材料工学 / 応用物性 / 電子・電気材料工学 / 結晶学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
III族窒化物半導体 / Group III nitride semiconductors / GaN / 有機金属化合物気相成長法 / MOVPE / 紫外線検出器 / III族窒化物 / バッファ層 / ワイドギャップ半導体 / 混晶半導体 … もっと見る / Low density threading dislocation / Green laser diode / Metalorganic vapor phase epitaxy / Laser diode / Mass transport / 低転位 / 緑色レーザダイオード / レーザダイオード / マストランスポート / Photo-cell / pn-diode / Photodetector / Ultraviolet / Widegap Semiconductor / Group III nitride / 漏れ電流 / 高抵抗 / メサ / pn接合 / 光導電セル / pnダイオード / 光検出器 / 紫外線 / Two dimensional electron gas / Microwave FET / UV detector / Bright blue light emitting diode / UV laser diode / Multi quantum well structure / マイクロ波素子 / UVフォトダイオード / 短波長レーザダイオード / 量子井戸レーザ / 分子線エピタキシ-法 / 量子閉じこめシュタルク効果 / 低次元量子構造 / 紫色レーザーダイオード / 集束イオンビームエッチング / AlInN / 高精度X線回折 / GaInN多重量子井戸 / 二次元電子ガス / マイクロ波電界効果トランジスタ / 多重量子井戸 / 高輝度青色発光ダイオード / 紫外線レーザーダイオード / Exciton / HVPE / Si substrate / heteroepitaxy / Hetero epitaxy / 6H-SiC / Si / AlN Buffer / 大型単結晶 / ヘテロエピタキシ- / 励起子発光 / HVPE法 / シリコン基板 / ヘテロエピタキシャル成長 / カソードルミネッセンス / MIS構造 / Zn添加 / 青色LED / A1GaN / 多層構造 / p形GaN / Mg添加 / カソ-ドルルミネッセンス / pn接合形青色LED / GaAlN / 不純物 / ホトルミネセンス / 有機金属化学気相法 / 気相成長 / 青色発光 / スピノーダル分解 / 混合不安定性 / InGaAsP / LPE / ALGaN / MOCVD / コドープ / アクセプタ不純物 / p型 / Potcal Flow Channel / AlN / Intermediote layer / Heteroepitaxy / AlGaN on Si / GaN on Si … もっと見る
研究代表者以外
ホットエレクトロン / 実空間遷移 / 超格子 / GaN / Nb / InSb / Group III nitride semiconductors / 有機金属化合物気相成長法 / ヘテロ接合 / エピタキシャル成長 / 不純物散乱 / クロライド法 / III族窒化物半導体 / AlGaN / STM / 成長のその場観察 / 表面ラフニング / 計算機シミュレ-ション / 成長表面構造 / エピタキシャル成長機構 / ステップ機構 / 核形成 / 結晶成長理論 / 界面凸凹散乱 / 量子細線 / CuGaS_2 / ZnSe / AlN / MBE法 / VPE法 / 化合物半導体 / ホトルミネセンス / トンネル効果 / Thin Film Growth Method / Functional Thin Film / 薄膜形成技術 / 機能性薄膜 / three terminal device / SNS junction / Superconducting device / 電子デバイス / 超伝導ー半導体結合 / 超伝導半導体結合 / 近接効果 / 超伝導体ー半導体結合 / 三端子デバイス / SNS接合 / 超伝導デバイス / In-situ observation / Surface roughening / Computer simulation / Growth surface / Epitaxial growth / Step kinetics / Nucleation / Crystal growth theory / マクロステップ / モンテカルロシミユレーション / ステップ運動のその場観察 / ステップの動力学 / 原子的ステップ / ステップカイネティクス / Real space transfer / Impurity scattering / Phonon scattering / Superlattice / Hetero-structure / Hot electron / Sub-micron electron device / 格子散乱 / サブミクロン電子デバイス / Two dimensional electron gas / Microwave FET / UV detector / Bright blue light emitting diode / UV laser diode / Multi quantum well structure / 鏡像転位 / 転位応力 / 貫通転位 / 鏡像効果 / 透過電子顕微鏡 / 応力 / 貫通転位密度 / Bulk GaN / HVPE / MBE / OMVPE / Homoepitaxy / Low dimensional structure / Light Emittting Diode / Laser Diode / 量子井戸構造 / GaN基板 / バルクGaN / ハイドライド気相成長法 / 分子線エピタキシ-法 / ホモエピタキシャル成長 / 低次元量子構造 / III族窒化物 / 混晶半導体 / ZnS / MO-CVP法 / 二重量子井戸 / 電子温度 / 緩和時間 / 移動度 / 界面凹凸散乱 / フォトルミネセンス / LOフォノン散乱 / 多重量子井戸 / 超微細加工技術 / アンダーソン局在 / 量子効果素子 / 量子干渉効果 / ヘテロ接合界面・表面層原子配列 / EL2欠陥 / ホット・エレクトロン輸送 / 2次元電子ガス / 表面保護膜 / 広バンド・ギャップ化合物半導体 / 混晶半導体表面安定化 / 欠陥分布 / レーザーCVD / 表面準位密度 / ホット・ルミネッセンス / 有効質量 / ハイパワーレーザー / SHG / FIB加工 / 混晶 / アップコンバージョン / 二次高調波 / 真空紫外 / レーザーダイオード / 屈折率 / MOVPE / GaInN DH / 光励起室温誘導放出 / 面発光誘導放出 / GaN DH / 基板面方位 / バッファ層 / 格子不整合 / 成長機構 / エピタキシー / 結晶成長 / 原子レベル / エピタキシー機構 / 臨界膜厚 / 原子拡散過程 / 期板傾斜角 / 基板面配向 / 格子不整合度 / 初期成長過程 / 非局所応答(理論) / 微細領域計測 / 微小共振器 / フレンケル励起子系 / 光微小間隙回路 / CdTe成長 / CdTe / サファイア成長 / GaAs成長 / InAs / Si成長 / Ge / ヘテロエピタキシ-機構 / エピタキシ-機構 / 自然放出光結合係数スイッチング / 横方向波数保存則 / 超放射 / 励起子光非線形性 / トンネル注入 / トンネル発光 / 電子波デバイス / p型GaN / MOーCVD法 / トランジスタ / 電子・格子相互作用 / 二重量子井戸構造 隠す
  • 研究課題

    (31件)
  • 共同研究者

    (41人)
  •  光励起及び結合長制御不純物共添加による超低抵抗p型III族窒化物の作製研究代表者

    • 研究代表者
      赤崎 勇
    • 研究期間 (年度)
      2000
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  マストランスポートIII族窒化物秩序化ゼロ次元構造の実現と緑色レーザダイオード研究代表者

    • 研究代表者
      赤崎 勇
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  III族窒化物半導体気相成長における応力制御による転位低減とその場観察法の確立

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  全固体式真空紫外レーザーの実現

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  超高感度紫外線検出器の試作研究研究代表者

    • 研究代表者
      赤崎 勇 (赤さき 勇)
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  低次元構造のIII族窒化物による極限機能デバイスの試作研究研究代表者

    • 研究代表者
      赤さき 勇 (赤崎 勇)
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  GaN基板上へのIII族窒化物の低次元構造の作製と物性に関する研究

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  シリコンを基板として用いたIII族窒化物大型バルク単結晶の作製に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      赤さき 勇 (赤崎 勇)
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  エピタキシー機構の研究

    • 研究代表者
      佐々木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  シリコン基板上への窒化物半導体結晶成長研究代表者

    • 研究代表者
      赤崎 勇
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  窒化物半導体極短波長面発光レーザの研究

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  電子波エレクトロニクス

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  電子波エレクトロニクス

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  エピタキシ-機構に関する研究

    • 研究代表者
      佐々木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  電子波エレクトロニクス

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  原子レベルでの結晶成長機構に関する研究

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      結晶学
    • 研究機関
      東京大学
  •  GaAs/ALGaAs 二重量子井戸構造のホットエレクトロン効果に関する研究

    • 研究代表者
      澤木 宣彦
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  化合物半導体薄膜結晶の成長とその制御に関する研究

    • 研究代表者
      御子柴 宣夫
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  半導体超格子におけるホットエレクトロン効果に関する研究

    • 研究代表者
      後藤 英雄
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  化合物半導体薄膜結晶の成長とその制御に関する研究

    • 研究代表者
      御子柴 宣夫
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  機能性薄膜の形成技術の開発と応用

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  混晶の物性とその制御・設計に関する研究

    • 研究代表者
      犬石 嘉雄
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      近畿大学
  •  極限構造の量子効果と応用

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  半導体超格子のホットエレクトロン効果に関する研究

    • 研究代表者
      澤木 宣彦
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  高エネルギーギャップ半導体の結晶成長と光学的性質に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      赤崎 勇
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  高性能GaN系青色LEDの試作研究研究代表者

    • 研究代表者
      赤崎 勇
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  原子レベルでの結晶成長機構に関する研究

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1989
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      結晶学
    • 研究機関
      東京大学
  •  超伝導体ー半導体結合による新電子現象の開拓と電子デバイスへの応用に関する研究

    • 研究代表者
      早川 尚夫
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  混晶の物性とその制御・設計に関する研究

    • 研究代表者
      犬石 嘉雄
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      近畿大学
  •  高エネルギーギャップ混晶半導体の光電物性の研究研究代表者

    • 研究代表者
      赤崎 勇
    • 研究期間 (年度)
      1985
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  サブミクロン半導体デバイスにおけるホットエレクトロン効果に関する研究

    • 研究代表者
      沢木 宣彦
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1986
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  • 1.  天野 浩 (60202694)
    共同の研究課題数: 11件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  澤木 宣彦 (70023330)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  難波 進 (70029370)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  西永 頌 (10023128)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  後藤 英雄 (00195942)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  冷水 佐壽 (50201728)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  山西 正道 (30081441)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  花村 栄一 (70013472)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  古屋 一仁 (40092572)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  武居 文彦 (60005981)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  八木 克道 (90016072)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  小松 啓 (00108565)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  黒田 登志雄 (70080447)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  井上 正嵩 (20029325)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  御子柴 宣夫 (70006279)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  飯田 誠之 (90126467)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  更家 淳司 (90026154)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  今井 哲二 (50143714)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  佐々木 昭夫 (10025900)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  春日 正伸 (30023170)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  小出 康夫 (70195650)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  大坂 敏明 (50112991)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  犬石 嘉雄 (90028902)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  白藤 純嗣 (70029065)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  新井 夫差子 (10010927)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  長谷川 文夫 (70143170)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  平松 和政 (50165205)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  早川 尚夫 (60189636)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  井上 真澄 (00203258)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  藤巻 朗 (20183931)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  高井 吉明 (50109287)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  米津 宏雄 (90191668)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  美浜 和弘 (50023007)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  内山 晋 (40023022)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  沖 憲典 (70037860)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  榊 裕之 (90013226)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 38.  蒲生 健次 (70029445)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 39.  浜口 智尋 (40029004)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 40.  邑瀬 和生 (50028164)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  橋本 雅文
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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