安田幸夫 YASUDA Yukio

研究者番号	60126951
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度: 高知工科大学, 総合研究所, 教授 2000年度 – 2003年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 1996年度 – 2002年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授 1999年度 – 2000年度: 名古屋大学, 大学院・工学系研究科, 教授 1997年度 – 1998年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 … もっと見る 1988年度 – 1998年度: 名古屋大学, 工学部, 教授 1986年度: 名古屋大学, 工学部, 教授 1985年度: 豊橋技術科学大学, 工, 教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者表面界面物性 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系研究代表者以外表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 電子・電気材料工学 / 理工系
キーワード	研究代表者高分解能電子エネルギー損失分光法 / 表面反応 / 表面偏析 / MOSFET / 超低抵抗コンタクト / ULSI / SiGe / RHEED / HREELS / Ge … もっと見る / SiGe混晶膜 / 薄膜成長 / ボロン / シリサイド / シリコンゲルマニウム / 未結合手 / 水素終端シリコン表面 / 高分解能電子エネルギー損失分光 / 界面固相反応 / コンタクト抵抗率 / 精密制御技術 / 界面反応 / 接触抵抗 / 金属ー半導体界面 / Silicon / Initial Stage / {811} facet / Germanium / Gas source molecular beam epitaxy / Hreteroepitaxy / In-situ observation / ファセット構造 / 成長初期段階 / 気相成長 / 反射電子回拆法 / {811}面 / 回相界面反応 / 秩序構造 / 固相界面反応 / ガスソ-ス分子線エピタキシャル法 / 反射電子回折法 / その場観察 / 成長初期過程 / シリコン / ゲルマニウム / Thin Film Growth Method / Functional Thin Film / 薄膜形成技術 / 機能性薄膜 / drain leakage current / mobility / ion implantation / fluorine ion( <F^+> ) / silicon on sapphire / SOS / VLSI / ドレイン漏れ電流 / 移動度 / イオン注入 / 弗素イオン / SOS膜 / Drain / Source / Germanosilicide / Silicide / Titanium / Rapid thermal annealing / Silicon germanium / modulated interface / Ultra low resistance contact / 急速加熱化学気相成長法 / 超抵抗コンタクト / ニッケル / ドレイン / ソース / ジャーマノシリサイド / チタン / 急速加熱処理 / 界面組成変調層 / Schottky barrier / Si interface / Metal / Contact / 水素終端効果 / 自然酸化膜の抑制 / 水素同時添加効果 / Si(100)成長 / Si構造 / ショットキ障壁高さ / ショットキコンタクト特性 / Coシリサイド / Si界面 / ショットキー障壁 / Si 界面 / 金属 / コンタクト / SiGe epitaxial films / MBE / local bonding structure / initial oxidation process / H-terminated Si surface / CVD / 反射高速電子線回折 / Si_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長 / ガスソース分子線エピタキシ- / 表面反応メカニズム / 表面吸着水素 / 中心力ネットワークモデル / 一次元連鎖モデル / シリコン酸化過程 / 分子線エピタキシー / 局所構造 / 初期酸化過程 / 水素終端シリコン / 反射高速電子線回折法 / 化学気相成長 / Two-step growth method / Strain-relaxed Si_<1-x>Ge_x layrs / Band splittings / Impurity doping / Growth of Si_<1-x>Ge_x layrs / 磁気抵抗効果 / 不純物濃度制御 / 歪量子井戸構造 / 東縛励起子発光 / 不純物ドープ / 低温成長 / SiGe薄膜 / 二段階成長法 / 無歪基板形成技術 / バンドスプリット / 不純物ド-ピング技術 / SiGe膜成長 / surface segregation / surface migration / Si epitaxy / hydrogen / high-resolution electron energy loss spectroscopy / 表面反応過程 / ダイハイドライド構造 / 初期酸化 / 表面拡散 / エピタキシャル成長 / 水素 / SiGe thin film / Anderson localization / negative magnetoresistance / 1D-VRH / p-Si wire / 磁気抵抗 / 1次元ホッピング伝導 / 不純物伝導 / 擬1次元キャリア / アンダーソン局在 / 負の磁気抵抗 / 一次元可変領域ホッピング伝導 / p型Si細線 / Thin film growth / Time-dependent measurement / Reaction process / Surface reaction / Vibration-excited spectroscopy / 界面モ-ド / 格子振動 / 時間分解 / 反応素過程 / 振動励起分光 / ハイドープ / 低温エピタキシャル成長 / イオンビームスパッタ法 / 水素サーファクタント成長 / 固相エピタキシャル成長 / 透過電子顕微鏡 / イオンビームスパッタ / 歪成長 / 転位 / スパッタ粒子のエネルギーの低減 / スパッタ法のMCシミュレーション / 界面層 / 格子欠陥 / 歪緩和バッファ層 / シリコンゲルマニウムカーボン / Bの高濃度ドープ / 走査トンネル顕微鏡 / 2次元逆格子マッピングX線回折法 / B高濃度ドーピング / 熱電効果 / バッファ層 / 歪緩和 / シリコンゲルマニウムカーボンバッファ層 / 自然酸化 / ラジカル / 気相-固相反応 / 水素終端面 / 水素ラジカル / 超高濃度ド-ピング / ミリサイド / 界面電気伝導 / 界面精密制御 / 不純物ド-ピング / 金属一半導体界面 / 不純物ドーピング … もっと見る研究代表者以外走査型トンネル顕微鏡 / マイクロエレクトロニクス / 界面反応 / 金属ー半導体界面 / 透過電子顕微鏡 / Si / 積層界面 / FIB / TEM / CoSi_2 / STM / 強誘電体 / SiGe / epitaxial growth / エピタキシャル成長 / シリコン / ナノ構造 / 集積回路 / 単電子デバイス / 赤外ダイオ-ドレ-ザ-分光法 / レ-ザ-誘起蛍光法 / 光励起プロセス / ヘテロ界面 / Dielectric breakdown / Stress induced leakage current / Gate SiO_2 Films / Metal-oxide-Semiconductor(MOS) / Conductive atomic force microscopy / Scanning tunneling spectroscopy(STS) / Scanning tunneling microscopy(STM) / 電気伝導特性 / HfO_2 / 走査プローブ顕微鏡 / ストレス誘起リーク電流 / 高誘電率材料 / 金属酸化膜 / ゲート絶縁膜 / ストレス誘起欠陥 / 電流スポット / La_2O_3-Al_2O_3複合膜 / 高誘電率ゲート絶縁膜 / ゲートSiO_2膜 / MOSキャパシタ / 絶縁破壊 / Metal-oxide-Semiconductor / 電荷トラップ / 極薄シリコン酸化膜 / 電流検出型原子間力顕微鏡 / 走査トンネル分光 / sample holder / degradation / electric field stress / PZT / ferroelectric film / in situ obervation / 電極 / 電圧ストレス / 試料ホルダー / 劣化 / 電界ストレス / PZT薄膜 / その場観察 / twin structure / multiple nucleation and layer growth / two-step growth / salicide technique / SK成長 / 界面反応過程 / 多層多核成長 / サーファクタント効果 / 反応バリア / 反応機構 / 双晶 / 多核多層成長 / 二段階成長法 / 走査トンネル顕微鏡 / サリサイド技術 / in-situ real-time observation / STS / HREELS / impurity / Hydrogen atom / Structural relaxation / initial oxidation process of Si / SiOィイD22ィエD2 interface / 高分解能エネルギー損失分充法 / リアルタイム観察 / 分光法 / 高分解能電子エネルギー損失分光法 / 不純物 / 表面吸着水素 / 構造緩和過程 / シリコン初期酸化過程 / SiO_2界面 / high-density intgration / atomic-scale control / quantum devices / quantum dot / tunnel barrier / surfaces and interfaces / nanostructure / Single electron devices / 高密度集積化 / 原子スケール制御 / 量子デバイス / 量子ドット / トンネル障壁 / 表面・界面 / ferroelectric / field effect transistor / quantum chemistry calculation / low contact resistance / high aspect ratio / point defect relaxation process / ultra thin Si oxide / 無損傷化 / 欠陥緩和 / 欠損測定 / Siプロセス量子化学研究 / 高アスペクト比プロセス / 低抵抗コンタクト / 極薄酸化膜 / Ge歪超格子 / Si高精度化プロセス / 電界効果型トランジスタ / 量子化学計算 / 低抵抗コンタクト抵抗 / 高アスペクト比 / 点欠陥緩和過程 / 極薄Si酸化膜 / dynamic process RHEED oscillation / surface reaction / surface migration / 時間分解測定 / 表面反応 / RHEED振動 / 動的素過程 / 表面泳動 / 半導体 / 半導体界面 / 積層構造 / 超高速光・電子デバイス / 原子精度要素プロセス / 高性能トランジスタ / 極微細構造 / シリコンゲルマニウム / 光物性 / 電子物性 / 光エレクトロニクス / 人工IV族半導体 / 水素終端表面 / エピタキシ- / 水素生態 / 水素変性 / 水素媒介新物質 / トンネル現象 / 量子現象 / クーロンブロッケード / 単電子トランジスタ / 金属-半導体界面 / 基板面方位 / バッファ層 / 格子不整合 / 成長機構 / エピタキシー / 結晶成長 / 原子レベル / エピタキシー機構 / 臨界膜厚 / 原子拡散過程 / 期板傾斜角 / 基板面配向 / 格子不整合度 / 初期成長過程 / 吸着 / 赤外ダイオードレーザー分光 / レーザー誘起蛍光法 / 高速反射電子回析 / 偏光変調高感度反射赤外分光 / 角度分解型X線電子分光 / 光勃起プロセス / 光誘起表面泳動 / 反射高速電子線回折 / X線電子分光法 / アルミ薄膜 / 超LSI / 光解離分光法 / 光電子分光法 / 光イオン化質量分析法 / 反射電子回析法 / ショットキ-障壁 / 界面固相反応 / ショットキー障壁隠す

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  近藤博基, 安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
その場透過電子顕微鏡による強誘電体薄膜の劣化ダイナミクスに関する研究
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2004
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  武蔵工業大学
   東京大学
人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
反応性エピタキシャル成長によるCoSi_2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究
- 研究代表者
  
  財満鎮明 (財満鎭明)
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
極薄ゲート酸化膜の原子層制御形成技術の開発
- 研究代表者
  
  財満鎭明 (財満鎮明)
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
水素媒介新物質の物理と化学
- 研究代表者
  
  尾浦憲治郎
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
ナノ構造の表面・界面の制御と単電子トンネル障壁の最適化
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1999
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
集積化知能システム極限材料・プロセス
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1998
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
   東洋大学
電子エネルギー損失分光法を用いたフリーラジカルと半導体表面の相互作用の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
単電子エレクロニクスの基礎
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  北海道大学
電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
エピタキシー機構の研究
- 研究代表者
  
  佐々木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
電子エネルギー損失分光法を用いたフリーラジカルと半導体表面の相互作用の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
反応の計測,診断
- 研究代表者
  
  英貢
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
エピタキシャル成長の動的素過程の時間分解測定法の開発と反応種の表面泳動の研究
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  名古屋大学
パルスレーザー飛行時間法を用いたシリコン擬1次元キャリア系の量子輸送機構の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
界面の作製とその精密制御研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
界面の作製とその精密制御研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
反応の計測、診断
- 研究代表者
  
  英貢
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
反応の計測,診断
- 研究代表者
  
  英貢
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
時間分解振動励起分光法の開発と半導体薄膜成長素過程の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  名古屋大学
界面の作製とその精密制御研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究(総括班)
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究機関
  大阪大学
機能性薄膜の形成技術の開発と応用研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  総合研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  名古屋大学
固相界面反応を伴うシリコンヘテロエピタキシャル成長機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  名古屋大学
積層構造(金属-半導体,絶縁体-半導体)の総合的研究
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1986
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  大阪大学
極めて薄いSOS膜の開発とサブミクロンVLSIへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1984 – 1985
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学

すべて 2004 2003 2002 2001

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(2A)
- NAID
  10012038848
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects In Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
  
  ページ: 4679-4682
- NAID
  10013431900
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films2004
- 著者名/発表者名
  Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(4B)
  
  ページ: 1843-1847
- NAID
  10012948668
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Behavior of Local Current Leadage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  A.Seko, Y.Watanabe, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
  
  ページ: 4683-4686
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  A.Seko, Y.Watanabe, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
  
  ページ: 4683-4686
- NAID
  10013431909
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
  
  ページ: 4679-4682
- NAID
  10013431900
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films2004
- 著者名/発表者名
  Yukihiko Watanabe, Akiyoshi Seko, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.4B
  
  ページ: 1843-1847
- NAID
  10012948668
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] 電流注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析2004
- 著者名/発表者名
  世古明義, 渡辺行彦, 近藤博基, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
- 雑誌名
  
  信学論 J87-C (8)
  
  ページ: 616-624
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Yukihiko Watanabe, Akiyoshi Seko, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.7B
  
  ページ: 4679-4682
- NAID
  10013431900
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Akiyoshi Seko, Yukihiko Watanabe, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.7B
  
  ページ: 4683-4686
- NAID
  10013431909
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析2003
- 著者名/発表者名
  世古明義, 渡辺行彦, 近藤博基, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
- 雑誌名
  
  Technical report of IEICE(信学技報) 103
  
  ページ: 1-6
- NAID
  110003202684
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Local Leakage Current of HfO_2 Thin Films Characterized by Conducting Atomic Force Microscopy2003
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, T.Goto, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 42(4B)
  
  ページ: 1949-1953
- NAID
  10010800794
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Structural and electrical characteristics of HfO_2 films fabricated by pulsed laser deposition2002
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, S.Goto, K.Honda, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)
  
  ページ: 2476-2479
- NAID
  110003310815
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Characterization of defect traps in SiO_2 thin films influence of temperature on defects2002
- 著者名/発表者名
  J.-Y.Rosaye, N.Kurumado, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, P.Mialhe, J.-P.Charles, S.Zaima, Y.Yasuda, Y.Watanabe
- 雑誌名
  
  Microelectronics Journal 33(5-6)
  
  ページ: 429-436
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy2002
- 著者名/発表者名
  J.-Y.Rosaye, N.Kurumado, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, P.Mialhe, J.-P.Charles, S.Zaima, Y.Yasuda, Y.Watanabe
- 雑誌名
  
  Microelectronics Journal 33(5-6)
  
  ページ: 429-436
- NAID
  10012038848
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Growth processes and electrical characteristics of silicon nitride films formed on Si(100) by radical nitrogen.2002
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, D.Matsushita, S.Naito, K.Ohmori, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)
  
  ページ: 2463-2467
- NAID
  10015752767
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Characterization of defect traps in SiO_2 thin films influence of temperature on defects2002
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, D.Matsushita, S.Naito, K.Ohmori, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)
  
  ページ: 2463-2467
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Characterization of deffect traps in SiO_2 thin films2001
- 著者名/発表者名
  J.-Y.Rosaye, P.Mialhe, J.-P.Charles, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Active and Passive Elec.Comp. 24
  
  ページ: 169-175
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Real-time observation of initial oxidation on highly B-doped Si(100)-2x1 surfaces using scanning tunneling microscopy2001
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, M.Tsukakoshi, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proc.of the 25th International conference on the Physics of Semiconductors
  
  ページ: 329-330
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Local electrical characteristics of ultra-thin SiO_2 films formed on Si(100) surfaces2001
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, N.Kurumado, K.Ohmori, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Surface Science 493
  
  ページ: 653-658
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Microscopic Observation of X-ray Irradiation Damages in Ultra-Thin SiO_2 Films2001
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, T.Goto, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 40(4)
  
  ページ: 2823-2826
- NAID
  10017197998
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Real-time observation of initial oxdation on highly B-doped Si(100)-2xl surfaces using scanning tunneling microscopy2001
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, M.Tsukakoshi, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proc.of the 25th International conference on the Physics of Semiconductors
  
  ページ: 329-330
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005

1. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 15件

共同の研究成果数: 22件
2. 池田浩也 (00262882)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 11件
3. 岩野博隆 (50252268)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
4. 平木昭夫 (50029013)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
5. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
6. 大泊巌 (30063720)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
7. 小出康夫 (70195650)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
8. 菊田惺志 (00010934)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
9. 堀池靖浩 (20209274)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
10. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 22件
11. 長谷川英機 (60001781)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
12. 前川禎通 (60005973)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
13. 多田邦雄 (00010710)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
14. 小長井誠 (40111653)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
15. 寺倉清之 (40028212)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
16. 英貢 (90124734)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
17. 田中武彦 (00011586)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
18. 川崎昌博 (70110723)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
19. 小尾欣一 (10016090)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
20. 赤崎勇 (20144115)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
21. 尾浦憲次郎 (60029288)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
22. 菅野卓雄 (50010707)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
23. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
24. 近藤博基 (50345930)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
25. 中島尚男 (20198071)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
26. 村山洋一 (40057956)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
27. 金原粲 (90010719)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
28. 塚田捷 (90011650)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
29. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 立花明知 (40135463)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 冬木隆 (10165459)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 澤木宣彦 (70023330)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 小間篤 (00010950)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 岩見基弘 (80029123)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 米津宏雄 (90191668)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 西永頌 (10023128)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
37. 美浜和弘 (50023007)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 内山晋 (40023022)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. 佐藤真理 (70001724)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
40. 佐々木昭夫 (10025900)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
41. 沖憲典 (70037860)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
42. 春日正伸 (30023170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
43. 大坂敏明 (50112991)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
44. 伊藤利道 (00183004)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
45. 八百隆文 (60230182)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
46. 岩澤康裕 (40018015)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
47. 上田一之 (60029212)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
48. 河津璋 (20010796)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
49. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
50. 荒井英輔 (90283473)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
51. 畑朋延 (50019767)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
52. 田口常正 (90101279)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
53. 青木昌治 (80010619)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
54. 高木俊宜 (10025801)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
55. 鶴島稔夫 (10236953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
56. 松波弘之 (50026035)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
57. 恩賀伸二

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
58. 須黒恭一

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
59. 坂本統徳

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
60. 伊澤達夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

安田 幸夫 YASUDA Yukio

研究課題

研究成果

共同研究者

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

電子エネルギー損失分光法を用いたフリーラジカルと半導体表面の相互作用の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

安田幸夫 YASUDA Yukio